建立多元素测定金属钨或钽平台石墨管原子吸收光度计，以本发明专利技术者提出的“无标准分析用横向加热石墨炉恒磁场塞曼原子吸收光度计”（申请号２００７１００９７２２１．Ｘ，申请日２００８年４月２１日）为基础。将空阴极灯取下，换上数个多元素空阴极灯，如１６个稀土元素和铀组成复合灯，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｂ，Ｓｉ复合灯。Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ复合灯，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ复合灯，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｔｅ复合灯，数个复合灯用凹面全息光栅反射集中成含６２个元素的一束光进入洛匈棱镜，用恒磁场塞曼扣背景。将单色仪取下，换上美国ＳｔｅｌｌａｒＮｅｔ？Ｉｎｃ．公司商品ＥＰＰ２０００Ｃ型ＵＶ－ＶＩＳ？ＣＣＤ？Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ，０９年售价仅２７５０美元。
【技术实现步骤摘要】
多元素测定用金属钩或钽平台石墨管原子吸收光度计 组建多元素测定用金属钨或钽平台石墨管原子吸收光度计。 本专利技术设计指导思想是本专利技术者提出的专利"无标准分析用固定金属钨或钽平 台石墨路原子吸收光度计"(申请号200710097221.5，申请日2007年4月29日)"无标 准分析用横向加热石墨炉恒磁场塞曼原子吸收光度计"(申请号200710097221.X,申请日 2007年4月29日)"固定金属钨或钽平台石墨管新制造方法"(申请号200810093774.8， 申请日2008年4月21日)"带永久基体改进剂的金属钨或钽平台石墨管的制作方法"(申 请号200810134853.9，申请日2008年8月4日)。使用这些专利后，无需建立标准曲线 可直接分析测定复杂液体或固体中待测元素含量和浓度，摆脱通常无机方析经常使用的 费时，困难繁琐的溶样，分离和测定步骤，还可摆脱相应带入的试剂空白和提纯试剂需 要的费时繁琐步骤。 本专利技术多元素测定用金属钨或钽平台石墨管原子吸收光度计包括；(一)本发 明者提出的专利"无标准分析用横向加热石墨炉恒磁场塞曼原子吸收光度计"使用的钨 或钽平台石墨管(WTaPGT)。 (二)或PE公司商品endcapTHGA型石墨管，该管在在 PE4100ZL仪器中为水平放置，但在ZTMGFAAS仪器中水平位置正好是横向磁场的磁铁， 因此必需将该管两端横向石墨加热电极由水平位置改为垂直位置，水平位置即该管按装 在横向磁铁缝隙llmm之间(8)，见附图。上端横向加然石墨电极中心的外氩气进样孔改 造成梯形进样口(l)，对准进样口 (l)在石墨管中钻一 1.6mm进样孔。(三)WTaPGT或 end cap THGA型石墨管(1)的横向加热是通过上下两平板水冷套(6)和石墨套(3)并紧贴横 向磁铁(8)。石英窗(7)和进样口 (2)按装在上水冷套。内氩气管(9)和外氩气管(10)按 装在下水冷套。紧贴横向磁铁(8)两边各一片17.5 X 17.5 X 0.4mm热解石墨片(4)插在下 水套的石墨套上。横向磁铁椎部有绝缘层(5)，同样上下水冷套之间也有绝缘层(5)。上 下水冷套都有进出水管(ll)，大电流连接片(16)。上下水套固定在底板(12)。上下水冷 套之间通过固定螺丝(13)，拧紧螺丝帽(14)和弹簧(15)保证在原子化加热时石墨管的热胀 冷縮可自动通过弹簧调整，保持大电流通过时接触良好。本石墨炉体密封良好，消耗氩 气少，石墨管烧损少，石墨管寿命长。炉体小巧，热容量小，耗电少同时升温快，容易 达到升温速率2000K/s要求，这两点是商品石墨炉实现无标准分析必不可少要求。 横向磁场可以是永久磁铁(PM)，这就是日立公司拥有专利的商品旋转洛匈棱 镜，横向永久磁铁塞曼石墨炉原子吸收光度计(ZTMPM， GFAAS)，但日立公司只拥有专 利HGA型石墨炉。本专利将endcapTHGA型石墨炉按装在zTMpM， GFAAS上，形成 新专利商品仪器(Z，PM， endcapTHGA， GFAAS)，这是日立公司所未拥有的。本专利技术 者从1977年开始用日立170-70仪器，1987-1997又用Z8000和Z8100仪器，20年经验表 明；日立HGA型石墨炉有两个缺点，(l)炉体结构和水冷部太大，升温慢，不能达到升 温速率2000K/s要求，由此引起的待测元素和基体在水冷端石墨管的深度冷却，相同元素 在相同基体所需原子化温度在日立HGA型石墨炉比PE的HGA型石墨炉高出200-300°C ， 比PE的end cap THGA型高出400-500°C 。 (2)炉体密封性差，使用高达31/min氩气石墨 管受空气氧化而烧损，使用寿命低，这两点对实现无标准分析极其不利。 因此，拥有日立仪器的实验室更需要用本专利将老日立仪器改造成新专利仪器 (ZTMPM， endcapTHGA， GFAAS)，才有可能克服上述两个缺点，实现将无标准分析用 于商品石墨炉。横向磁场可以是交变磁场磁铁(AM)， PE和Varian公司共同拥有专利商品固定平 行光洛匈棱镜，横向交变磁场磁铁塞曼石墨炉原子吸收光度计(Z，AM， GFAAS)，但只 用于HGA型石墨炉。本专利将end cap THGA型石墨炉按装在ZTMAM， GFAAS上，形 成新专利商品仪器(ZTMAM， endcapTHGA, GFAAS)，这是PE和Varian公司所未拥有过 的。按照PE公司自己提供数据，相同元素和相同基体在PE公司的HGA石墨炉所需原 子化温度比THGA石墨炉高出200-3009C，因此使用新专利仪器后，就有可能分析复杂固 体悬浮物，将分析水平提高一步。石墨管寿命得到大幅度提高，这是实现无标准分析重 要条件。从这方面来看，将1980年就出现的国内外数量最大的PEZ5000,5100,3030等已 有的HGA石墨炉，改造成THGA石墨炉，将分析水平提高一步，是一件有意义的工作。 将end cap THGA型石墨炉按装在ztmpm， GFAAS，或zTMAM， GFAAS上，就可以使用 本专利技术者提出的专利"带永久基体改进剂的金属钨或钽平台石墨管的制作方法"(申请日 2008年8月日，申请号20081009提出的带永久基体改进剂的金属鸨或钽平台石墨管进行 分析包括Se， Te， P， As， Sb， Bi， Ge， Si， Sn， Pb， Al， Ga， In， Tl， Zn， Cd， Hg， Be， Mg， Ca， Sr， Ba， Cu， Ag， Au， Li， N a， K， Rb， Cs， Cr， Mn， Fe， Co， Ni共35个元素。End cap THGA型石墨炉和PM MOD WTaPGT珠联壁合联合使用， 是实现无标准分析用于复杂基体固体悬浮物直接进样测定两个最主要和必要核心部件。 摆脱费时繁琐的溶样工作，对难溶样品，摆脱更费时繁琐的熔样后再溶样的工作，以及 同样费时繁琐的试剂提纯工作，这在无机分析化学领域是一个重大突破。 将end cap THGA型石墨炉按装在ZTMPM， GFAAS或Z頂AM， GFAAS上，就可 以使用本专利技术者提出的专利"固定金属钨或钽平台石墨管新制造方法"(申请日2008年4 月21日，申请号200810093774.8)中提出的内衬鸨片0.02-0.lmm的WTaPGT，可用于测 定Sc， Y， La， Ce， Pr， Nd， Sm， Eu， Gd， Tb， Dy， Ho， Er， Tm， Yb， Lu， U， Sr， Ba， B等20个元素，原子化温度可降到270(TC左右，提高WTaPGT使用寿命，减少 高温原子化时的幅射噪音，提高检出限。用上述专利提出的有热解石墨镀层0.05-0.1mm的WTaPGT，可用于测定Mo， V， Ti， Ru， Rh， Pd， Os， Ir， Pt， B，等10个元素，将原子化温度降到270(TC左右， 提高了 WTaPGT的使用寿命，减少高温原子化时的幅射噪音，提高检出限。 (四)空阴极灯多元素测定原子吸收光度计(见附图5)。 将62个石墨炉法能测定元素分别组成数个复合多元素空阴极灯，如16个稀土和 本文档来自技高网...
【技术保护点】
本专利技术多元素测定用金属钨或钽平台石墨管原子吸收光度计包括；（一）本专利技术者提出的专利“无标准分析用横向加热石墨炉恒磁场塞曼原子吸收光度计”使用的钨或钽平台石墨管（ＷＴａＰＧＴ）。（二）或ＰＥ公司商品ｅｎｄ ｃａｐ ＴＨＧＡ型石墨管，该管在在ＰＥ４１００ＺＬ仪器中为水平放置，但在Ｚ↑［ＴＭ］ＧＦＡＡＳ仪器中水平位置正好是横向磁场的磁铁，因此必需将该管两端横向石墨加热电极由水平位置改为垂直位置，水平位置即该管按装在横向磁铁缝隙１１ｍｍ之间（８），见附图。上端横向加然石墨电极中心的外缺点，实现将无标准分析用于商品石墨炉。 横向磁场可以是交变磁场磁铁（ＡＭ），ＰＥ和Ｖａｒｉａｎ公司共同拥有专利商品固定平行光洛匈棱镜，横向交变磁场磁铁塞曼石墨炉原子吸收光度计（Ｚ↑［ＴＭ］ＡＭ，ＧＦＡＡＳ），但只用于ＨＧＡ型石墨炉。本专利将ｅｎｄ ｃａｐ ＴＨＧＡ型石墨炉按装在Ｚ↑［ＴＭ］ＡＭ，ＧＦＡＡＳ上，形成新专利商品仪器（Ｚ↑［ＴＭ］ＡＭ，ｅｎｄ ｃａｐ ＴＨＧＡ，ＧＦＡＡＳ），这是ＰＥ和Ｖａｒｉａｎ公司所未拥有过的。按照ＰＥ公司自己提供数据，相同元素和相同基体在ＰＥ公司的ＨＧＡ石墨炉所需原子化温度比ＴＨＧＡ石墨炉高出２００－３００↑［９］Ｃ，因此使用新专利仪器后，就有可能分析复杂固体悬浮物，将分析水平提高一步。石墨管寿命得到大幅度提高，这是实现无标准分析重要条件。从这方面来看，将１９８０年就出现的国内外数量最大的ＰＥＺ５０００，５１００，３０３０等已有的ＨＧＡ石墨炉，改造成ＴＨＧＡ石墨炉，将分析水平提高一步，是一件有意义的工作。 将ｅｎｄ ｃａｐ ＴＨＧＡ型石墨炉按装在Ｚ↑［ＴＭ］ＰＭ，ＧＦＡＡＳ，或Ｚ↑［ＴＭ］ＡＭ，ＧＦＡＡＳ上，就可以使用本专利技术者提出的专利“带永久基体改进剂的金属钨或钽平台石墨管的制作方法”（申请日２００８年８月４日，申请号２００８１０１３４８５３．９）提出的带永久基体改进剂的金属钨或钽平台石墨管进行分析包括Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ共３５个元素。Ｅｎｄ ｃａｐ ＴＨＧＡ型石墨炉和ＰＭ ＭＯＤＷＴａＰＧＴ珠联壁合联合使用，是实现无标准分析用于复杂基体固体悬浮物直接进样测定两个最主要和必要核心部件。摆脱费时繁琐的溶样工作，对难溶样品，摆...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马怡载，
申请(专利权)人：马怡载，
类型：发明
国别省市：11[]
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