本发明专利技术提供一种硬化性树脂组合物、树脂硬化膜、半导体封装及显示装置，所述硬化性树脂组合物可获得不易产生由波长为340nm～480nm前后的电磁波引起的经时性黄变的树脂硬化膜、半导体封装及显示装置。一种硬化性树脂组合物，包含(A)含不饱和基的碱可溶性树脂、(B)具有两个以上的不饱和键的聚合性化合物、(C)具有两个以上的环氧基的环氧化合物及(D)溶剂。所述(A)成分是通过量子化学计算而计算出的最高占据分子轨道(HOMO)与最低未占分子轨道(LUMO)之间的能量差为3.7eV以上的树脂。(LUMO)之间的能量差为3.7eV以上的树脂。
【技术实现步骤摘要】
硬化性树脂组合物、树脂硬化膜、半导体封装及显示装置
[0001]本专利技术涉及一种硬化性树脂组合物、树脂硬化膜、半导体封装及显示装置。
技术介绍
[0002]在半导体装置或图像显示装置等中使用用于将各元件密封于基板并加以保护的保护膜。作为被要求透明性或耐热性的所述保护膜，可使用如下硬化膜，即涂布包含具有不饱和基与芴骨架的碱可溶性树脂的硬化性树脂组合物并进行图案形成及硬化而成的硬化膜(例如专利文献1等)。
[0003][现有技术文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2003
‑
089716号公报
技术实现思路
[0006][专利技术所要解决的问题][0007]已知像专利文献1中记载那样的使用具有芴骨架的碱可溶性树脂制作的硬化膜的透明性及耐热性优异。但是，基于本专利技术人等人的见解，若所述硬化膜吸收紫外线发光二极管(ultraviolet
‑
Light Emitting Diode，UV
‑
LED)或蓝色发光二极管(Blue
‑
LED)等所释放的波长为340nm～480nm前后的电磁波，则慢慢变质，有时会经时性黄变。
[0008]本专利技术是鉴于所述问题而成，其目的在于提供一种硬化性树脂组合物、由所述硬化性树脂组合物形成的树脂硬化膜、以及具有所述树脂硬化膜的半导体封装及显示装置，所述硬化性树脂组合物可获得不易产生由波长为340nm～480nm前后的电磁波引起的经时性黄变的硬化膜。
[0009][解决问题的技术手段][0010]用于解决所述课题的本专利技术的一形态涉及下述[1]～[4]的硬化性树脂组合物。
[0011][1]一种硬化性树脂组合物，包含：
[0012](A)含不饱和基的碱可溶性树脂、
[0013](B)具有两个以上的不饱和键的聚合性化合物、
[0014](C)具有两个以上的环氧基的环氧化合物、及
[0015](D)溶剂，
[0016]所述(A)成分是通过量子化学计算而计算出的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)与最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)之间的能量差为3.7eV以上的树脂。
[0017][2]根据[1]所述的硬化性树脂组合物，其中，所述(A)成分为下述通式(1)所表示的树脂。
[0018][化1][0019][0020](式(1)中，Ar独立地为碳数6以上且14以下的芳香族烃基，构成Ar的氢原子的一部分可经选自由碳数1以上且10以下的烷基、碳数6以上且10以下的芳基或芳基烷基、碳数3以上且10以下的环烷基或环烷基烷基、碳数1以上且5以下的烷氧基及卤素基所组成的群组中的取代基取代；R1独立地为碳数2以上且4以下的亚烷基；l独立地为0以上且3以下的数；G独立地为(甲基)丙烯酰基、或者下述通式(2)或下述通式(3)所表示的取代基；Y为四价的羧酸残基；Z独立地为氢原子或下述通式(4)所表示的取代基，Z的至少一个为下述通式(4)所表示的取代基；n是平均值为1以上且20以下的数)
[0021][化2][0022][0023][化3][0024][0025](式(2)及式(3)中，R2为氢原子或甲基，R3为碳数2以上且10以下的亚烷基或烷基亚芳基，R4为碳数2以上且20以下的饱和或不饱和的烃基，p为0以上且10以下的数，*为键结部位)
[0026][化4][0027][0028](式(4)中，W为二价或三价的羧酸残基，m为1或2的数，*为键结部位)
[0029][3]根据[1]或[2]所述的硬化性树脂组合物，所述(A)成分是重量平均分子量为1000以上且40000以下并且酸值为50mgKOH/g以上且200mgKOH/g以下的树脂。
[0030][4]根据[1]至[3]中任一项所述的硬化性树脂组合物，包含(E)聚合引发剂及(F)增感剂的至少一者。
[0031]本专利技术的另一形态涉及下述[5]的树脂硬化膜。
[0032][5]一种树脂硬化膜，是使根据[1]至[4]中任一项所述的硬化性树脂组合物硬化而成。
[0033]本专利技术的又一形态涉及下述[6]的半导体封装。
[0034][6]一种半导体封装，是将根据[5]所述的树脂硬化膜用作至少一层保护膜而成。
[0035]本专利技术的又一形态涉及下述[7]的显示装置。
[0036][7]一种显示装置，是将根据[5]所述的树脂硬化膜用作至少一层保护膜而成。
[0037][专利技术的效果][0038]通过本专利技术，可提供一种硬化性树脂组合物、由所述硬化性树脂组合物形成的树脂硬化膜、以及具有所述树脂硬化膜的半导体封装及显示装置，所述硬化性树脂组合物可获得不易产生由波长为340nm～480nm前后的电磁波引起的经时性黄变的硬化膜。
具体实施方式
[0039]1.硬化性树脂组合物
[0040]以下，本专利技术的一实施方式所涉及的硬化性树脂组合物包含(A)含不饱和基的碱可溶性树脂、(B)具有两个以上的不饱和键的聚合性化合物、(C)具有两个以上的环氧基的环氧化合物及(D)溶剂。
[0041][(A)成分][0042](A)成分是含不饱和基的碱可溶性树脂。(A)成分对碱显影液具有可溶性，可对硬化性树脂组合物赋予图案化性。
[0043](A)成分优选为在一分子中具有聚合性不饱和基与用于表现出碱可溶性的酸性基，更优选为具有聚合性不饱和基与羧基。(A)成分只要是所述树脂，则并无特别限定，可为各种种类的树脂。(A)成分由于具有聚合性不饱和基，因此对硬化性树脂组合物赋予优异的光硬化性，另外，在硬化时，分子量变大而发挥作为粘合剂的作用。另外，(A)成分由于具有酸性基，因此使显影性及图案化特性(图案线宽、图案直线性)等提高。
[0044]在本实施方式中，(A)成分是通过量子化学计算而计算出的最高占据分子轨道(HOMO)与最低未占分子轨道(LUMO)之间的能量差成为3.7eV以上的树脂。所述HOMO与LUMO之间的能量差大于波长为340nm～480nm前后的电磁波所具有的能量。因此，(A)成分不易吸收波长为340nm～480nm前后的电磁波，从而不易产生由所述电磁波的吸收引起的经时性劣化。
[0045]所述能量差是以(A)成分的结构单元为基础，在结构单元的结构中的最稳定结构中，通过密度泛函法(Density Functional Theory，DFT)而求出的HOMO的能量与LUMO的能量之间的能量差。最稳定结构可根据(A)成分的分子结构并通过已知的结构最佳化方法来求出。在本说明书中，(A)成分的HOMO及LUMO的能量设为使用“高斯16,修订版B.01(Gaussian16,Revision B.01)”软件包(高斯公司(Gaussian Inc.))，针对(A)成分的分子结构，以电荷0及多重度1，通过密本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硬化性树脂组合物，包含：(A)含不饱和基的碱可溶性树脂、(B)具有两个以上的不饱和键的聚合性化合物、(C)具有两个以上的环氧基的环氧化合物、及(D)溶剂，所述(A)成分是通过量子化学计算而计算出的最高占据分子轨道与最低未占分子轨道之间的能量差为3.7eV以上的树脂。2.根据权利要求1所述的硬化性树脂组合物，其中，所述(A)成分为下述通式(1)所表示的树脂；式(1)中，Ar独立地为碳数6以上且14以下的芳香族烃基，构成Ar的氢原子的一部分可经选自由碳数1以上且10以下的烷基、碳数6以上且10以下的芳基或芳基烷基、碳数3以上且10以下的环烷基或环烷基烷基、碳数1以上且5以下的烷氧基及卤素基所组成的群组中的取代基取代；R1独立地为碳数2以上且4以下的亚烷基；l独立地为0以上且3以下的数；G独立地为(甲基)丙烯酰基、或者下述通式(2)或下述通式(3)所表示的取代基；Y为四价的羧酸残基；Z独立地为氢原子或下述通式(4)所表示的取代基，...
【专利技术属性】
技术研发人员：内田一幸，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。