一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺制造技术

本发明专利技术涉及晶硅电池技术领域，具体涉及一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，对预清洗后的硅片进行一次吸杂和一次制绒后进行二次吸杂和二次制绒。针对在PECVD沉积非晶硅薄膜前工序，通过预处理联动整合优化，结合特定工艺参数的实施，在形成绒面前进行预清洗与吸杂，得到首次纯净的衬底硅，实现了传统工艺宏观上对衬底硅表面缺陷态的预处理，其次形成绒面后即形成金字塔绒面后再吸杂，实现微观上对硅片内部以及绒面坑洞上表面缺陷态的预处理，随后再进行去吸杂层与圆化预处理，大幅改善了衬底硅表面的纯净度，为非晶硅的沉积和钝化创造更有利的条件，从而提升了少数载流子的寿命，减少了复合损失，提高了HJT异质结电池的转换效率。电池的转换效率。电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺


[0001]本专利技术涉及晶硅电池
，具体涉及一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺。

技术介绍

[0002]晶硅电池提效降本是光伏行业发展的关键，其中HJT异质结电池(Hetero
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junction with Intrinsic Thin layer)因工艺流程短、低温制造工艺、高转换效率、高双面率、产品光衰减低、稳定性强，降本增效空间大，前景广阔，是新一代电池技术的发展方向。
[0003]传统HJT异质结电池制造工艺，以N型单晶硅为衬底光吸收区，通过制绒
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PECVD沉积正反面本征非晶硅膜层和掺杂微晶硅膜层
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PVD沉积正反面透明导电薄膜
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丝网印刷正反面栅线电极，四道工序制作形成HJT异质结电池。
[0004]其中在HJT异质结电池结构中，硅衬底是异质结界面的一部分，其品质是决定电池性能的关键因素之一，因此硅衬底会经过预处理，传统工艺通过制绒工艺进行预处理，一方面形成低反射的绒面结构增加光的吸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：对预清洗后的硅片进行一次吸杂和一次制绒后进行二次吸杂和二次制绒。2.根据权利要求1所述的一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，其特征在于：所述硅片预清洗包括酸洗槽和碱洗槽，所述酸洗槽中氢氟酸浓度3％
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10％，盐酸浓度1
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5％，臭氧浓度10
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30ppm，清洗时间60
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200s；所述碱洗槽氢氧化钾浓度2％
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5％，清洗时间60
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200s，清洗温度60
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85℃。3.根据权利要求1所述的一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，其特征在于：所述一次吸杂和二次吸杂均为硅片进行磷源吸杂。4.根据权利要求3所述的一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，其特征在于：所述一次吸杂和二次吸杂均为通过高温磷扩散吸杂。5.根据权利要求4所述的一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，其特征在于：所述高温磷扩散吸杂中，采用高温扩散炉，利用氮气携带三氯氧磷作为吸杂源，氮气流量500
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2500sccm，三氯氧磷流量800
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2000sccm，氧气流量500
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2000sccm，炉管压力50
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300mbar，吸杂温度600
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1000℃，在硅片正反面沉积磷掺杂层，磷掺杂层方阻控制在50
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150Ω。6.根据权利要求1所述的一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，所述一次制绒为去除吸杂层后利用氢氧化钾或制绒添加剂混合液在硅片表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎剑骑，汤安民，郭小勇，钟富强，杨文栋，唐旋，
申请(专利权)人：眉山琏升光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：