电解铜箔用阴极辊、其研磨抛光方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种电解铜箔用阴极辊、其研磨抛光方法和应用。该方法包括依次采用研磨装置进行三步研磨和采用抛光装置进行两步抛光；其中，第一步研磨的研磨装置的粒度为46#～120#中的任意一种，第二步研磨的研磨装置的粒度为220#～400#中的任意一种，第三步研磨的研磨装置的粒度为600#～1000#中的任意一种，第一步抛光的抛光装置的目数为800目～1500目中的任意一种，第二步抛光的抛光装置的目数为2000目～3500目中的任意一种。上述研磨抛光方法通过采用特定粒度的研磨装置进行三步研磨和特定目数的抛光装置进行两步抛光，使得阴极辊表面粗糙度显著降低，在光面粗化低轮廓电解铜箔的制造中应用效果良好。铜箔的制造中应用效果良好。

【技术实现步骤摘要】
电解铜箔用阴极辊、其研磨抛光方法和应用


[0001]本专利技术涉及电解铜箔
，具体而言，涉及一种电解铜箔用阴极辊、其研磨抛光方法和应用。

技术介绍

[0002]电解铜箔是铜离子在阴极辊表面晶体上结晶结构的延续，铜离子电沉积在钛晶体上，并由此生长成铜箔，其中与阴极辊接触的一面称为光面，另一面称为毛面。阴极辊表面的晶体结构决定着电解铜箔的结晶状态。阴极表面光洁度高，晶粒细小，电解沉积的铜层就结晶细致。阴极辊筒表面晶格大小、形状排列不同、电化学性质、电极电位和超电压也不同，表现出与电解液中杂质和添加剂之间的电化学行为不同。
[0003]由于光面粗化反转铜箔是在生箔光面进行表面处理，当生产光面粗化低轮廓电解铜箔时，阴极辊的表面状态就更为重要。阴极辊的表面越光滑，实际表面积和理论表面积就越接近，阴极电位越向负方向移动，阴极极化值增大，有利于沉积铜的结晶细腻，生产出来的生箔光面粗糙度越低。因为随着高频高速线路板的发展需要，要求铜箔的处理面粗糙度越来越低，这就要求阴极辊的粗糙度Ra一般小于0.15μm，这对阴极辊的研磨抛光技术提出了很高要求。
[0004]中国专利申请201410259970.3公开了一种电解铜箔生产甚低轮廓铜箔用阴极辊的研磨方法，此专利技术提供一种研磨工艺合理的电解铜箔生产甚低轮廓铜箔用阴极辊的研磨方法，用于阴极辊的研磨。但在实践中发现，采用此专利技术研磨后的阴极辊粗糙度Ra一般在0.25
‑
0.4μm，达不到光面粗化反转铜箔的粗糙度要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种电解铜箔用阴极辊、其研磨抛光方法和应用，以解决现有技术中电解铜箔用阴极辊难以达到光面粗化反转铜箔的粗糙度要求的问题。
[0006]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种电解铜箔用阴极辊的研磨抛光方法，该方法包括依次采用研磨装置进行三步研磨和采用抛光装置进行两步抛光；其中，第一步研磨的研磨装置的粒度为46#～120#中的任意一种，第二步研磨的研磨装置的粒度为220#～400#中的任意一种，第三步研磨的研磨装置的粒度为600#～1000#中的任意一种，第一步抛光的抛光装置的目数为800目～1500目中的任意一种，第二步抛光的抛光装置的目数为2000目～3500目中的任意一种。
[0007]进一步地，研磨和/或抛光的介质为水，优选的，介质的流量为1～2.5m3/h；
[0008]优选的，研磨装置为砂轮，进一步优选研磨装置为PVA砂轮；
[0009]优选的，抛光装置为抛光筒，进一步优选抛光装置的磨料为碳化硅、氧化铝；
[0010]优选的，三步研磨和两步抛光在专用磨辊机上进行，专用磨辊机的一侧安装研磨装置，另一侧安装抛光装置。
[0011]进一步地，第一步研磨的研磨压力为0.3
‑
0.6MPa；优选的，第一步研磨的研磨装置
横向移动速度为30
‑
60mm/min，线速度为5
‑
15m/s，行程为2
‑
5个；优选进行第一步研磨时阴极辊的转速为2
‑
8rpm；优选的，第一步研磨的研磨装置的粒度为60#～80#中的任意一种。
[0012]进一步地，第二步研磨的研磨压力为0.2
‑
0.5MPa；优选的，第二步研磨的研磨装置横向移动速度为20
‑
50mm/min，线速度为5
‑
15m/s，行程2
‑
5个；优选进行第二步研磨时阴极辊的转速为2
‑
8rpm；优选的，第二步研磨的研磨装置的粒度为300#～400#中的任意一种。
[0013]进一步地，第三步研磨的研磨压力为0.1
‑
0.4MPa；优选的，第三步研磨的研磨装置横向移动速度为10
‑
40mm/min，线速度为5
‑
15m/s，行程为2
‑
5个，优选进行第三步研磨时阴极辊的转速为2
‑
8rpm；优选的，第三步研磨的研磨装置的粒度为800#～1000#中的任意一种。
[0014]进一步地，第一步抛光的抛光压力为1.0
‑
3.0A，优选的，进行第一步抛光时阴极辊的转速为1.5
‑
3.0rpm，优选第一步抛光的抛光时间为20
‑
40min；优选的，第一步抛光的抛光装置的目数为900目～1200目。
[0015]进一步地，第二步抛光的抛光压力0.5
‑
1.2A，优选的，进行第二步抛光时阴极辊的转速1.5
‑
3.0rpm，优选第一步抛光的抛光时间20
‑
40min；优选的，第二步抛光的抛光装置的目数为3000目～3500目。
[0016]进一步地，第二步抛光后阴极辊的表面粗糙度Ra≤0.15μm，优选的，表面粗糙度Ra≤0.12μm。
[0017]根据本申请的另一方面，提供了一种电解铜箔用阴极辊，该电解铜箔用阴极辊通过上述任一种的研磨抛光方法处理得到。
[0018]根据本申请的又一方面，提供了上述的电解铜箔用阴极辊在光面粗化低轮廓电解铜箔生产中的应用。
[0019]应用本专利技术的技术方案，上述研磨抛光方法通过采用特定粒度的研磨装置进行三步研磨和特定目数的抛光装置进行两步抛光，使得阴极辊的表面粗糙度显著降低，适用于电解铜箔的生产制造，尤其是在光面粗化低轮廓电解铜箔的制造中应用效果明显提升。并且由于阴极辊的表面粗糙度较低，有效解决了阴极辊表面的氧化、划伤问题。
具体实施方式
[0020]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本专利技术。
[0021]如本申请
技术介绍
所分析的，现有技术中存在电解铜箔用阴极辊难以达到光面粗化反转铜箔的粗糙度要求的问题，为了解决该问题，本申请提供了一种电解铜箔用阴极辊、其研磨抛光方法和应用。根据本申请的一种典型的实施方式，提供了一种电解铜箔用阴极辊的研磨抛光方法，该方法包括依次采用研磨装置进行三步研磨和采用抛光装置进行两步抛光；其中，第一步研磨的研磨装置的粒度为46#～120#中的任意一种，第二步研磨的研磨装置的粒度为220#～400#中的任意一种，第三步研磨的研磨装置的粒度为600#～1000#中的任意一种，第一步抛光的抛光装置的目数为800目～1500目中的任意一种，第二步抛光的抛光装置的目数为2000目～3500目中的任意一种。
[0022]上述研磨抛光方法通过采用特定粒度的研磨装置进行三步研磨和特定目数的抛光装置进行两步抛光，使得阴极辊的表面粗糙度显著降低，适用于电解铜箔的生产制造，尤
其是在光面粗化低轮廓电解铜箔的制造中应用效果明显提升。并且由于阴极辊的表面粗糙度较低，有效解决了阴极辊表面的氧化、划伤问题。
[0023]在本申请的一些典型的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电解铜箔用阴极辊的研磨抛光方法，其特征在于，包括依次采用研磨装置进行三步研磨和采用抛光装置进行两步抛光；其中，第一步研磨的研磨装置的粒度为46#～120#中的任意一种，第二步研磨的研磨装置的粒度为220#～400#中的任意一种，第三步研磨的研磨装置的粒度为600#～1000#中的任意一种，第一步抛光的抛光装置的目数为800目～1500目中的任意一种，第二步抛光的抛光装置的目数为2000目～3500目中的任意一种；所述研磨装置为PVA砂轮，所述抛光装置为抛光筒。2.根据权利要求1所述的研磨抛光方法，其特征在于，所述研磨和/或所述抛光的介质为水，所述介质的流量为1～2.5m3/h。3.根据权利要求1所述的研磨抛光方法，其特征在于，所述抛光装置的磨料为碳化硅、氧化铝。4.根据权利要求1至3任一项所述的研磨抛光方法，其特征在于，所述第一步研磨的研磨压力为0.3
‑
0.6MPa；和/或，所述第二步研磨的研磨压力为0.2
‑
0.5MPa；和/或，所述第三步研磨的研磨压力为0.1
‑
0.4MPa。5.根据权利要求1至3任一项所述的研磨抛光方法，其特征在于，所述第一步研磨的研磨装置横向移动速度为30
‑
60mm/min，线速度为5
‑
15m/s，行程为2
‑
5个；和/或，所述第二步研磨的研磨装置横向移动速度为20
‑
50mm/min，线速度为5
‑
15m/s，行程2
‑
5个；和/或，所述第三步研磨的研磨装置横向移动速度为10
‑
40mm/m...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫瑞刚，周建华，王卫，王文斐，朱小琴，张裕，顾凯越，张群梅，
申请(专利权)人：江苏中天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：