一种减少漏光的像素结构及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种减少漏光的像素结构及显示面板，像素结构包括复数个阵列排列的子像素单元，每一子像素单元包括有三个主动组件、三条栅极线和像素区，三条栅极线将像素区分隔为三个子像素区，每一子像素区内均设置有像素电极和共电极，每一共电极包括有两个第一电极和复数个连接在两个第一电极之间的第二电极，相邻两第二电极之间具有狭缝，第一电极与栅极线平行，复数个第二电极以垂直于栅极线的法线为对称轴对称设置在法线的左右两侧，且第二电极与法线的夹角为7度。采用本技术方案的像素结构后，使得PI配向方向与Gateline对于ITO电极的电场方向平行，避免液晶分子出现异常偏转，有效的改善了车载面板漏光的问题。有效的改善了车载面板漏光的问题。有效的改善了车载面板漏光的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种减少漏光的像素结构及显示面板


[0001]本技术涉及一种车载面板
，尤其涉及一种减少漏光的像素结构及显示面板。

技术介绍

[0002]随着新能源汽车的推广与普及，车载显示面板的创新与发展日新月异。目前，在车规操作温度范围广的背景之下，考量快速响应时间与烧付特性需求，正型液晶成为了车载面板的首选；同时，为减少DataIC数量，节约成本，像素Trigate(三栅极)设计也逐渐成为主流趋势。传统画素设计，如图1所示，ITO2Slit(狭缝)呈巜型。这样的设计，使得PI配向方向为横向。当面板处于黑态时，如图2所示，Gateline(栅极线)对于ITO电极的电场方向与液晶分子12长轴方向垂直，对其产生力矩，使得液晶异常偏转，出现漏光现象。若针对此问题，采取加宽BM(黑矩阵)遮挡的措施，会导致开口率大幅下降的问题，使透过率降低。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题，在于提供一种减少漏光的像素结构及显示面板，在不需要加宽BM前提下，有效改善车载面板显示漏光问题。
[0004]本技术是这样实现的：
[0005]第一方面，本技术提供了一种减少漏光的像素结构，包括有复数个阵列排列的子像素单元，每一所述子像素单元包括有三个主动组件、三条栅极线和像素区，三条所述栅极线将像素区分隔为三个子像素区，每一所述子像素区内均设置有像素电极和共电极，每一所述共电极包括有两个第一电极和复数个连接在两个第一电极之间的第二电极，相邻两所述第二电极之间具有狭缝，所述第一电极与栅极线平行，复数个所述第二电极以垂直于栅极线的法线为对称轴对称设置在法线的左右两侧，且所述第二电极与法线的夹角为7度。
[0006]进一步地，所述狭缝的宽度大于第二电极的宽度。
[0007]进一步地，每一所述主动组件均包括有汲极和触控讯号线，所述汲极与像素电极连接，所述共电极与触控讯号线连接。
[0008]第二方面，本技术提供了一种显示面板，包括有基板，所述基板的顶部设置有栅极线层，所述基板的顶部设置有能覆盖栅极线层的第一绝缘层，所述第一绝缘层顶部设置有第二金属层，所述第一绝缘层顶部还设置有能覆盖第二金属层的第二绝缘层，所述第二绝缘层顶部设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层顶部设置有触控讯号线层，所述第三绝缘层还设置有能够覆盖触控讯号线层的第四绝缘层，所述第四绝缘层顶部设置有像素电极层，所述第四绝缘层顶部设置有能够覆盖像素电极层的第五绝缘层，所述第五绝缘层的顶部设置有共电极层。
[0009]进一步地，所述第三绝缘层设置有第一过孔，所述第四绝缘层的底部通过第一过孔与第二绝缘层接触。
[0010]进一步地，所述第四绝缘层和第二绝缘层上设置有第二过孔，所述像素电极层通过第二过孔与第二金属层连接。
[0011]本技术的优点在于：采用本技术方案的像素结构后，使得PI配向方向与Gateline对于ITO电极的电场方向平行，避免液晶分子出现异常偏转，有效的改善了车载面板漏光的问题。
附图说明
[0012]下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。
[0013]图1为传统巜型像素设计的结构示意图。
[0014]图2为传统巜型像素Gate周边电场及液晶示意图。
[0015]图3为本技术像素设计的结构示意图。
[0016]图4为本技术像素Gate周边电场及液晶示意图。
[0017]图5为传统巜型像素黑态仿真结果图。
[0018]图6为本技术像素黑态仿真结果图。
[0019]图7为图3中A
‑
A处局部剖视图。
[0020]图8为图3中B
‑
B处局部剖视图。
具体实施方式
[0021]请参阅图1至图8，一方面，本技术提供了一种减少漏光的像素结构，包括有复数个阵列排列的子像素单元，每一所述子像素单元包括有三个主动组件、三条栅极线M1和像素区，三条所述栅极线M1将像素区分隔为三个子像素区，每一所述子像素区内均设置有像素电极ITO1和共电极ITO2，每一所述共电极ITO2包括有两个第一电极10和复数个连接在两个第一电极之间的第二电极11，相邻两所述第二电极11之间具有狭缝，所述第一电极与栅极线M1平行，复数个所述第二电极以垂直于栅极线M1的法线为对称轴对称设置在法线的左右两侧，即复数个第二电极分为两组，同一组内的第二电极相互平行，两组第二电极以垂直于栅极线M1的法线为对称轴对称设置在法线的左右两侧，且所述第二电极与法线的夹角为7度，即图3中θ的角度为7度。通过上述的设置，使得共电极ITO2Slit(狭缝)呈A型，如图3所示。与旧设计巜型像素不同，此时PI配向方向为纵向。当面板处于黑态时，如图4所示，Gateline对于ITO电极的电场方向与液晶分子12长轴方向平行，对其不产生力矩，因此液晶分子不会异常偏转，可有效改善漏光问题。
[0022]具体的，所述狭缝的宽度大于第二电极的宽度。上述设置有利于提高画素的光学效益。
[0023]具体的，每一所述主动组件均包括有汲极和触控讯号线M3，第二金属层M2分为源极和汲极，所述汲极与像素电极ITO1连接，所述共电极ITO2与触控讯号线M3连接。
[0024]另一方面，本技术提供了一种显示面板，基于上述的像素结构，包括有基板20，所述基板的顶部设置有栅极线层，栅极线层也称为第一金属层，栅极线层中设置有复数条栅极线M1，所述基板的顶部设置有能覆盖栅极线层的第一绝缘层PV1，所述第一绝缘层PV1顶部设置有第二金属层M2，所述第一绝缘层PV1顶部还设置有能覆盖第二金属层的第二绝缘层PV2，所述第二绝缘层PV2顶部设置有第三绝缘层PV3，所述第三绝缘层PV3顶部设置
有触控讯号线层，触控讯号线层也称为第三金属层，触控讯号线层中设置有复数个触控讯号线线M3，所述第三绝缘层PV3还设置有能够覆盖触控讯号线层的第四绝缘层PV4，所述第四绝缘层PV4顶部设置有像素电极层，像素电极层中设置有像素电极ITO1，所述第四绝缘层PV4顶部设置有能够覆盖像素电极层的第五绝缘层PV5，所述第五绝缘层的顶部设置有共电极层，共电极层由复数个共电极ITO2组成。
[0025]具体的，所述第三绝缘层设置有第一过孔21，所述第四绝缘层的底部通过第一过孔与第二绝缘层接触。
[0026]具体的，所述第四绝缘层PV4和第二绝缘层PV2上设置有第二过孔22，由于第二金属层分为源极和汲极，所述像素电极层通过第二过孔22与第二金属层的汲极连接。
[0027]本技术的共电极由传统设计中的巜型改为A型，使PI配向方向与Gateline对于ITO电极的电场方向平行，避免液晶分子出现异常偏转，通过图6的光学仿真结果，能够看出，面板处于黑态时，漏光问题在新设计A型像素上得到有效改善。
[0028]虽然以上描述了本技术的具体实施方式，但是熟悉本
的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少漏光的像素结构，其特征在于：包括有复数个阵列排列的子像素单元，每一所述子像素单元包括有三个主动组件、三条栅极线和像素区，三条所述栅极线将像素区分隔为三个子像素区，每一所述子像素区内均设置有像素电极和共电极，每一所述共电极包括有两个第一电极和复数个连接在两个第一电极之间的第二电极，相邻两所述第二电极之间具有狭缝，所述第一电极与栅极线平行，复数个所述第二电极以垂直于栅极线的法线为对称轴对称设置在法线的左右两侧，且所述第二电极与法线的夹角为7度。2.如权利要求1所述的一种减少漏光的像素结构，其特征在于：所述狭缝的宽度大于第二电极的宽度。3.如权利要求1所述的一种减少漏光的像素结构，其特征在于：每一所述主动组件均包括有汲极和触控讯号线，所述汲极与像素电极连接，所述共电极与触控讯号线连接。4.一种基于权利要求1至3任意一项所述的一种减少漏光...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄烯潼，陈廷安，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：