一种LCD显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种LCD显示面板及其制备方法、显示装置，包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括金属导电层；在所述阵列基板的表面形成有机层，利用掩膜版形成过孔，所述过孔包括形成在所述有机层上的缓冲面，所述缓冲面的坡度角为20

【技术实现步骤摘要】
一种LCD显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请一般涉及液晶显示
，具体涉及一种LCD显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT
‑
LCD)已在平板显示领域中占据了主导地位。而有机膜技术应用于高端弯曲(Monitor)产品，有助于实现其低功耗、高分辨率、高开口率功能。
[0003]目前TFT
‑
LCD产品中TFT基板的有机膜设计，过孔深(＞3μm，Normal产品≤0.9μm)，在形成配向膜即聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film，PI)一般采用辊筒式涂布的方式，现有技术中无法采用Inkjet(喷墨打印)，若采用Inkjet(喷墨打印)方式会出现过孔扩散不均现象(M24不良)，影响显示效果。另外在采用辊筒式涂布的方式，每款产品需单独出对应的APR版(配向膜印刷版)，产能和成本影响较大。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LCD显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括金属导电层；在所述阵列基板的表面形成有机层，利用掩膜版形成过孔，所述过孔包括形成在所述有机层上的缓冲面，所述缓冲面的坡度角为20
°
～28
°
；在所述有机层上形成至少一层透明电极层，其中一层所述透明电极层通过所述过孔与所述金属导电层搭接；通过喷墨打印方式在所述至少一层透明电极层上形成配向膜；在所述配向膜上形成液晶层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版包括第一掩膜版，所述第一掩膜版包括第一基板以及在所述第一基板上阵列设置的多个第一掩膜单元，所述第一掩膜单元包括透光区以及围绕所述透光区设置的半透区，所述半透区用于形成所述缓冲面；所述利用掩膜版形成过孔，方法包括：在所述有机层上形成光刻胶；利用所述第一掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影；通过刻蚀及光刻胶剥离工艺形成所述过孔。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一基板为非透光区，所述半透区的光线透过率为40％～45％，所述透光区的宽度与所述半透区在所述透光区一侧的宽度比为2/3～1，形成所述缓冲面的坡度角为22
°
～25
°
。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版包括第二掩膜版，所述第二掩膜版包括第二基板以及在所述第二基板上阵列设置的多个第二掩膜单元，所述第二掩膜单元包括透过区以及设置在所述透过区上的狭缝，所述狭缝用于形成所述缓冲面；所述利用掩膜版形成过孔，方法包括：在所述有机层上形成光刻胶；利用所述第二掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影；通过刻蚀及光刻胶剥离工艺形成所述过孔。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二基板为非透过区，所述狭缝的宽度与所述透过区的宽度比为0.2～0.4；所述狭缝靠近所述非透过区的一侧边缘到所述非透过区之间距离与所述狭缝的宽度比为0.5～1。6.根据权利要求2
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5任一所述的方法，其特征在于，所述金属导电层为栅金属层或源漏金属层，所述有机层的厚度为3～4μm，所述光刻胶的厚度为2.5～3.5μm；所述曝光波长为360～440nm的混合波；曝光量为200mj；形成所述过孔的深度为2.0～3.5μm。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹振游，方鑫，陈周煜，李增荣，林滨，王洋，郭航乐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：