一种封装结构和封装方法技术

本发明专利技术提供了一种封装结构和封装方法，该封装结构将需要进行底部填充的第一类射频器件正常焊接在基板的第一表面，将不进行底部填充的第二类射频器件焊接在基板上的凹槽内，且对该凹槽进行密封处理，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽内的第二类射频器件的底部，而封装材料会正常填充到第一类射频器件的底部，由此可知该封装结构的设计可以简单地实现对部分射频器件进行底部填充的同时，不对部分射频器件进行底部填充，在保证底部填充射频器件的稳定性的同时，也能够保证非底部填充射频器件的正常工作。非底部填充射频器件的正常工作。非底部填充射频器件的正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构和封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，更具体地说，涉及一种封装结构和封装方法。

技术介绍

[0002]射频前端指的是天线之后，收发机之前的射频器件部分，而射频前端的模组方案(Integrated Solution)与分立方案(Discrete Solution)相对应，指的是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或两种以上的分立器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使其体积小型化的解决方案。
[0003]但是在模组产品的封装过程中，部分声学滤波器器件是不能进行底部填充的，例如SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)滤波器，需要放置于空腔之中从而实现谐振性能；而其他射频器件例如PA(Power Amplifier，功率放大器)、LNA(Low Noise Amplifier，低噪声放大器)或者SW(射频开关)等，则需要进行底部封装材料的填充，从而增加器件工作的稳定性。
[0004]显然，为了使每个射频器件都满足所需的封装要求，就导致现有的射频前端模组的封装技术较为繁琐。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种封装结构和封装方法，技术方案如下：
[0006]一种封装结构，所述封装结构包括：
[0007]基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；
[0008]位于所述第一表面上的第一类射频器件，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔；
[0009]位于所述凹槽内的第二类射频器件，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；
[0010]位于所述第一表面上的密封部件，所述密封部件在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；
[0011]位于所述第一表面一侧的封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。
[0012]优选的，在上述封装结构中，所述密封部件为加热可融化的密封板材。
[0013]优选的，在上述封装结构中，所述密封部件包括硬质板材，以及位于所述硬质板材一侧的胶层。
[0014]优选的，在上述封装结构中，所述封装结构还包括：
[0015]位于所述密封部件和所述基板之间的辅助密封层。
[0016]优选的，在上述封装结构中，位于所述凹槽内的第二类射频器件的数量为N，N≥1，且N为正整数。
[0017]本申请还提供了一种封装结构的封装方法，所述封装方法包括：
[0018]提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；
[0019]将第一类射频器件焊接在所述第一表面上，将第二类射频器件焊接在所述凹槽内，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；
[0020]采用密封部件对所述凹槽进行密封处理；
[0021]在所述第一表面的一侧形成封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。
[0022]优选的，在上述封装方法中，所述提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽，包括：
[0023]基于封装结构的排版要求在所述基板的第一表面确定所述预设区域；
[0024]对所述预设区域的基板进行处理，形成所述凹槽。
[0025]优选的，在上述封装方法中，所述密封部件为加热可融化的密封板材，所述采用密封部件对所述凹槽进行密封处理，包括：
[0026]提供一大尺寸加热可融化的密封板材；
[0027]对所述密封板材进行切割处理，得到目标尺寸的目标密封板材；
[0028]对所述目标密封板材进行加热处理与所述基板进行焊接，其中所述目标密封板在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影。
[0029]优选的，在上述封装方法中，所述密封部件包括硬质板材，以及位于所述硬质板材一侧的胶层，所述采用密封部件对所述凹槽进行密封处理，包括：
[0030]提供一大尺寸的硬质板材；
[0031]在所述硬质板材的一侧表面上形成胶层；
[0032]对具有所述胶层的硬质板材进行切割处理，得到目标尺寸的目标硬质板材；
[0033]将所述目标硬质板材具有所述胶层的一侧与所述基板进行粘结，其中所述目标硬质板材在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影。
[0034]优选的，在上述封装方法中，在采用密封部件对所述凹槽进行密封处理之前，所述封装方法还包括：
[0035]在所述凹槽周围基底的第一表面上形成辅助密封层。
[0036]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
[0037]本专利技术提供的一种封装结构和封装方法将需要进行底部填充的第一类射频器件正常焊接在基板的第一表面，将不进行底部填充的第二类射频器件焊接在基板上的凹槽内，且对该凹槽进行密封处理，所以在封装材料的填充过程中，封装材料无法填充到凹槽内的第二类射频器件的底部，而封装材料会正常填充到第一类射频器件的底部，由此可知该封装结构的设计可以简单地实现对部分射频器件进行底部填充的同时，不对部分射频器件进行底部填充，在保证底部填充射频器件的稳定性的同时，也能够保证非底部填充射频器
件的正常工作。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0039]图1为现有技术中SAW滤波器的倒装结构示意图；
[0040]图2为本专利技术实施例提供的一种封装结构的俯视示意图；
[0041]图3为本专利技术实施例提供的一种封装结构的截面示意图；
[0042]图4为本专利技术实施例提供的另一种封装结构的截面示意图；
[0043]图5为本专利技术实施例提供的又一种封装结构的截面示意图；
[0044]图6为本专利技术实施例提供的一种封装结构的封装方法的流程示意图；
[0045]图7
‑
图9为图6所示封装方法对应的部分结构示意图；
[0046]图10为本专利技术实施例提供的另一种封装结构的封装方法的流程示意图；
[0047]图11
‑
图14为图10所示封装方法对应的部分结构示意图；
[0048]图15为本专利技术实施例提供的又一种封装结构的封装方法的流程示意图；
[0049]图16
‑
图19为图15所示封装方法对应的部分结构示意图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；位于所述第一表面上的第一类射频器件，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔；位于所述凹槽内的第二类射频器件，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；位于所述第一表面上的密封部件，所述密封部件在所述基板上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基板上的正投影；位于所述第一表面一侧的封装材料层，所述封装材料层在所述基板上的正投影至少覆盖所述第一类射频器件和所述凹槽所在区域，且所述封装材料层填充所述第一类射频器件与所述第一表面之间的空腔。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封部件为加热可融化的密封板材。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述密封部件包括硬质板材，以及位于所述硬质板材一侧的胶层。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述密封部件和所述基板之间的辅助密封层。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，位于所述凹槽内的第二类射频器件的数量为N，N≥1，且N为正整数。6.一种封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供一基板，所述基板包括第一表面，所述基板的第一表面的一侧的预设区域上具有凹槽；将第一类射频器件焊接在所述第一表面上，将第二类射频器件焊接在所述凹槽内，所述第一类射频器件与所述第一表面之间具有空腔，所述第二类射频器件与所述凹槽之间具有空腔；采用密封部件对所述凹槽进行密封处理；在所述第一表面的一侧形成封装材...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩云，高安明，郑磊，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：