MOS集成电路、以及具备其的电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种ＭＯＳ集成电路以及具备其的电子设备，能降低比较器高速工作时的消耗功率。电压电流转换电路（１０３）将第１以及第２电压（Ｖｉｎｐ、Ｖｉｎｎ）转换成具有与第１电压（Ｖｉｎｐ）对应的电流值的第１电流（Ｉ（Ｖｉｎｐ））、以及具有与第２电压（Ｖｉｎｎ）对应的电流值的第２电流（Ｉ（Ｖｉｎｎ））。电流比较电路（１０４）比较第１以及第２电流（Ｉ（Ｖｉｎｐ）、Ｉ（Ｖｉｎｎ））的电流值的大小，输出表示比较结果的电压。构成电流比较电路（１０４）的ＭＯＳ晶体管的氧化膜比构成电压电流转换电路（１０３）的ＭＯＳ晶体管的氧化膜薄。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＭＯＳ集成电路，比较第１以及第２电压的大小，其特征在于，　具备：电压电流转换电路，将所述第１以及第２电压转换成具有与所述第１电压对应的电流值的第１电流、以及具有与所述第２电压对应的电流值的第２电流；和　电流比较电路，比较所述 第１以及第２电流的电流值的大小，输出表示比较结果的电压，　从包含该ＭＯＳ集成电路的ＬＳＩ的外部输入所述第１以及第２电压，　构成所述电流比较电路的ＭＯＳ晶体管的氧化膜比构成所述电压电流转换电路的ＭＯＳ晶体管的氧化膜薄。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：青池昌洋，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]