一种气相沉积装置及应用该装置的镀膜设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种气相沉积装置及应用该装置的镀膜设备，所述气相沉积装置包括：处理腔室、阳极、快接法兰，所述阳极可藕接在所述处理腔室的内部，所述阳极为气管，所述气管上设置有孔道，所述处理腔室为空心结构，所述快接法兰设置在所述处理腔室的两侧，所述快接法兰与所述处理腔室进行可拆卸式连接；所述镀膜设备包括：红外测温系统、供气系统、电源系统、抽真空系统、控制系统及如上所述的气相沉积装置。本实用新型专利技术所公开的技术方案，可根据待镀工件的形状及大小对处理腔室进行调整并更换，利用空心阴极效应的等离子态增强化学气相沉积技术，能够成功在复杂的异型零部件的表面制备出具有低内应力和高结合强度的全尺寸碳基涂层。碳基涂层。碳基涂层。

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积装置及应用该装置的镀膜设备


[0001]本技术涉及防护涂层
，特别涉及一种气相沉积装置及应用该装置的镀膜设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上产生化学反应和传输反应形成固态沉积物的技术。现有的化学气相沉积装置，其反应腔室多为固定形状并固定设置，当待镀工件为异形工件或工件体积较大时，一般无法装载入反应腔室内部，化学气相沉积装置的应用场景较为局限。
[0003]因此，现有技术中的化学气相沉积装置具有应用场景较为局限的技术问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提出一种气相沉积装置及应用该装置的镀膜设备，旨在解决现有技术方案中化学气相沉积装置具有应用场景较为局限的技术问题。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]本技术公开了一种气相沉积装置，包括：处理腔室、阳极、快接法兰；所述阳极可藕接在所述处理腔室的内部，所述阳极为气管，所述气管上设置有孔道；所述处理腔室为空心结构，所述处理腔室包括第一端、与所述第一端相对的第二端、设置在所述第一端与所述第二端之间的内部空间；所述第一端与所述第二端均设置有进气口与抽气口；所述快接法兰设置在所述处理腔室的两侧，所述快接法兰与所述处理腔室进行可拆卸式连接。
[0007]优选的，所述处理腔室为可拆卸处理腔室，所述快接法兰为可拆卸快接法兰，所述快接法兰与所述处理腔室相适配。
[0008]优选的，所述阳极为多根气管相连接，所述气管上的孔道进行均匀排布。
[0009]优选的，所述阳极穿设所述处理腔室，所述阳极由所述处理腔室伸出部分设置为进气口。
[0010]优选的，所述快接法兰上设置有通道并与所述处理腔室进行连通，所述快接法兰的通道处设置为抽气口。
[0011]优选的，所述镀膜设备包括：红外测温系统、供气系统、电源系统、抽真空系统、控制系统及如上所述的气相沉积装置；所述气相沉积装置分别于所述红外测温系统、所述供气系统、所述电源系统、所述抽真空系统、所述控制系统进行连接。
[0012]优选的，所述电源系统为高功率双极性电源。
[0013]优选的，所述供气系统，包括一种或多种气体及气体输送装置。
[0014]本技术所公开的一种气相沉积装置及应用该装置的镀膜设备，所述气相沉积装置包括：处理腔室、阳极、快接法兰；所述阳极可藕接在所述处理腔室的内部，所述阳极为气管，所述气管上设置有孔道；所述处理腔室为空心结构；所述快接法兰设置在所述处理腔
室的两侧，所述快接法兰与所述处理腔室进行可拆卸式连接。所述镀膜设备包括：红外测温系统、供气系统、电源系统、抽真空系统、控制系统及如上所述的气相沉积装置；所述气相沉积装置分别与所述红外测温系统、所述供气系统、所述电源系统、所述抽真空系统、所述控制系统进行连接。本技术所公开的一种镀膜设备，可根据待镀工件的形状及大小对处理腔室进行调整，利用空心阴极效应的等离子态增强化学气相沉积技术，能够成功在复杂异型零部件表面制备出具有低内应力和高结合强度的全尺寸碳基涂层。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本技术实施例所公开的气相沉积装置的结构图；
[0017]图2为本技术实施例所公开的镀膜设备的各个模块的连接示意图。
[0018]其中：11、处理腔室；12、阳极；13、快接法兰；14、进气口；15、抽气口；1、气相沉积装置；2、红外测温系统；3、供气系统；4、抽真空系统；5、电源系统；6、控制系统。
具体实施方式
[0019]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0021]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0022]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0023]本技术公开一种气相沉积装置，如图1所示，包括：处理腔室11、阳极12、快接法兰13；所述阳极12可藕接在所述处理腔室11的内部，所述阳极12为气管，所述气管上设置有孔道，将气管直接作为阳极12，可提高放电与镀膜的均匀性；所述处理腔室11为空心结构，所述处理腔室11包括第一端、与所述第一端相对的第二端、设置在所述第一端与所述第二端之间的内部空间，所述处理腔室11设置为阴极，镀膜时，镀件设置在处理腔室11的内部
并与处理腔室11内壁直接接触。所述第一端与所述第二端均设置有进气口14与抽气口15，具体的，进气口14与供气系统进行连通，抽气口15与抽真空系统进行连通。所述快接法兰13设置在所述处理腔室11的两侧，所述快接法兰13与所述处理腔室11进行可拆卸式连接，在具体实施例中，可根据构件的不同形状更换不同的处理腔室11。
[0024]所述处理腔室11为可拆卸处理腔室，所述快接法兰13为可拆卸快接法兰，所述快接法兰13与所述处理腔室11相适配，根据待镀工件形状及大小选择对应的处理腔室11及快接法兰13，以满足对不同种类的待镀工件(如异形待镀工件)的镀膜需求。
[0025]所述阳极12为多根气管相连接，所述气管上的孔道进行均匀排布，多根气管分布在处理腔室11的各个位置且气管上的孔道均匀排布，以保证通气时气体能够被均匀地输送至处理腔室11内部的各个部位并确保镀膜的均匀性。
[0026]所述阳极12穿设所述处理腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括：处理腔室、阳极、快接法兰；所述阳极可藕接在所述处理腔室的内部，所述阳极为气管，所述气管上设置有孔道；所述处理腔室为空心结构，所述处理腔室包括第一端、与所述第一端相对的第二端、设置在所述第一端与所述第二端之间的内部空间；所述第一端与所述第二端均设置有进气口与抽气口；所述快接法兰设置在所述处理腔室的两侧，所述快接法兰与所述处理腔室进行可拆卸式连接。2.根据权利要求1所述一种气相沉积装置，其特征在于，所述处理腔室为可拆卸处理腔室，所述快接法兰为可拆卸快接法兰，所述快接法兰与所述处理腔室相适配。3.根据权利要求1所述一种气相沉积装置，其特征在于，所述阳极为多根气管相连接，所述气管上的孔道进行均匀排布。4.根据权利要求1所述一种气相沉积装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：田修波，
申请(专利权)人：新铂科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：