本申请提供了一种半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备，该方法包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得反应室的温度保持在预设范围内，反应室为沉积工艺后的半导体器件所在的腔室，预定气体为导热系数大于预定值的气体，且预定气体不与半导体器件发生反应；在通入预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，残余反应物为沉积工艺生成的反应物。本申请解决了现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备
[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的加工方法、装置、计算机可读存储介质、处理器以及半导体加工设备。
技术介绍
[0002]目前半导体工艺中，在PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法）制程中，沉积结束后，由于残余的反应气体容易产生defect（缺陷）问题，因此需要在Plasma（等离子体）关闭后用泵抽掉反应室中的残余气体。但在抽取残余气体的过程容易产生新的defect。
技术实现思路
[0003]本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的加工方法、装置、计算机可读存储介质、处理器以及半导体加工设备，以解决现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。
[0004]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的加工方法，包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
[0005]可选地，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。
[0006]可选地，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。
[0007]可选地，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。
[0008]可选地，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述反应室中通入所述预定气体。
[0009]可选地，向反应室中通入预定气体，包括：在所述真空泵以所述第一转速运行的情况下，控制气体供应设备以第一流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵停止运行的情况下，控制所述气体供应设备以第二流速向所述反应室中通入所述预定气体；在所述真空泵以所述第二转速运行的情况下，控制所述气体供应设备以第三流速向所述反应室中通入所述预定气体，其中，所述第一流速以及所述第二流速均小于所述第三流速。
[0010]可选地，在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：在向所述反应室中通入所述预定气体第九时长的情况下，继续向所述反应室中通入所述预定气体并开始分阶段去除所述残余反应物。
[0011]可选地，所述预定气体包括氦气。
[0012]根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件的加工装置，包括：通入单元，用于在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；去除单元，用于在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。
[0013]根据本申请的再一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。
[0014]根据本申请的又一方面，提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
[0015]根据本申请的另一方面，还提供了一种半导体加工设备，包括：真空泵，与反应室连通，所述反应室中放置有沉积工艺后的半导体器件，用于从所述反应室中抽取残余反应物；气体供应设备，与所述反应室连通，用于向所述反应室中通入预定气体；电子设备，包括一个或多个处理器，存储器以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任意一种所述的方法。
[0016]应用本申请的技术方案，在完成沉积工艺之后，首先向沉积工艺后的半导体器件所在的反应室中通入导热系数大于预定值、且不与半导体器件反应的预定气体，使得反应室内的温度保持在预设范围；然后，在通入所述预定气体的过程中，分阶段地去除所述反应室内所述沉积工艺生成的残余反应物。相比于现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题，本申请在半导体器件的沉积工艺后，向反应室中通入导热系数较大的预定气体，来保持反应室内的温度，并进行残余反应物的分阶段去除，避免了持续不间断地去除残余反应物造成反应室内温度突降的问题，解决了反应室内的温度突降造成的半导体器件出现缺陷的问题，保证了去除残余反应物的过程基本不会对半导体器件造成影响，可以得到质量较好的半导体器件，保证了制作良率较高。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了根据本申请的实施例中提供的一种执行半导体器件的加工方法的移动终端的硬件结构框图；
[0019]图2示出了根据本申请的实施例提供的一种半导体器件的加工方法的流程示意图；
[0020]图3示出了根据本申请的实施例提供的半导体器件的加工方法过程中反应室内温度随时间变化示意图；
[0021]图4示出了根据本申请的实施例提供的一种半导体器件的加工装置的结构框图。
[0022]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0023]102、处理器；104、存储器；106、传输设备；108、输入输出设备。
具体实施方式
[0024]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得所述反应室的温度保持在预设范围内，所述反应室为沉积工艺后的所述半导体器件所在的腔室，所述预定气体为导热系数大于预定值的气体，且所述预定气体不与所述半导体器件发生反应；在通入所述预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，所述残余反应物为所述沉积工艺生成的反应物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分阶段去除反应室中的残余反应物，包括：控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第一转速运行第一时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第二时长；控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长，以继续从所述反应室中抽取所述残余反应物，将剩余的所述残余反应物去除，所述第一时长小于所述第三时长，所述第一转速小于所述第二转速。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，控制一与所述反应室连通的真空泵以第一转速运行，以从所述反应室中抽取所述残余反应物，包括：第一控制步骤，控制所述真空泵以所述第一转速运行第四时长，以从所述反应室中抽取所述残余反应物；第二控制步骤，在控制所述真空泵以所述第一转速运行所述第四时长后，控制所述真空泵停止运行第五时长；循环步骤，依次执行所述第一控制步骤、所述第二控制步骤以及所述第一控制步骤预定次数，所有的所述第四时长的总和为所述第一时长。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在控制所述真空泵停止运行第二时长之后，在控制停止运行的所述真空泵以第二转速运行第三时长之前，所述方法还包括：控制停止运行的所述真空泵以第三转速运行，以从所述反应室中继续抽取所述残余反应物；在所述真空泵以所述第三转速运行第六时长的情况下，控制所述真空泵停止运行第七时长，所述第三转速小于所述第二转速，所述第六时长小于所述第三时长。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，向反应室中通入预定气体，包括：控制气体供应设备以预定流速向所述反应室中持续通入所述预定气体；在去除所述反应室中的所述残余反应物后，控制所述气体供应设备继续向所述反应室中通入所述预定气体第八时长后，停止向所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱人伟，杨军，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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