反应腔室清洁装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种反应腔室清洁装置，包括远程等离子体源；包括至少两个子腔室的反应腔室；总气体管道，第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。本实用新型专利技术通过在每个子气体管道上设置调节阀从而调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止子腔室清洁过度或子腔室内的颗粒过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
反应腔室清洁装置


[0001]本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种反应腔室清洁装置。

技术介绍

[0002]对于大多数半导体设备而言，需要使用特殊气体(special gas)来清洁设备内部，而对于机型复杂的CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)设备，统一采用NF3(三氟化氮)来清洁设备内部。NF3被解离产生等离子体与腔室(chamber)中的副产物反应排出腔室，最后通过清洁率(clean rate)来衡量NF3的清洁效果。然而，CVD腔室一般包括双腔或多腔，清洁率会出现不同子腔室差异过大的问题。
[0003]目前的处理方法主要有两种，第一种方法是调节NF3的流量，第二种方法是开腔清洁。第一种方法中，CVD机型不同RPS(Remote Plasma Source，远程等离子体源)配置会不同，有一个腔室配置一个RPS，也有一个腔室配置两个RPS，RPS皆有一个MFC(Mass flow controller，质量流量控制器)监测，所以调节NF3流量是针对整个腔室的，单个子腔室的流量并无法调整，存在单个子腔室过度清洁或者单个子腔室颗粒(particle)过多的问题。
[0004]采用第二种方法清洁率差异会得到改善，但是这仅是针对喷头(shower head)被堵的情况，喷头没有被堵时，开腔清洗不仅会造成资源浪费也会增加成本。
[0005]因此，需要提供一种反应腔室清洁装置，以防止子腔室清洁率差异过大进而造成particle过多的问题，避免形成缺陷。
技术内容
[0006]本技术的目的在于提供一种反应腔室清洁装置，能够调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止particle过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。
[0007]为解决上述技术问题，本技术提供一种反应腔室清洁装置，包括：
[0008]远程等离子体源；
[0009]反应腔室，所述反应腔室包括至少两个子腔室；
[0010]总气体管道，所述总气体管道的第一端连接所述远程等离子体源；
[0011]至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及，
[0012]调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。
[0013]可选的，所述调节阀为调节针阀。
[0014]可选的，所述调节阀单向导流。
[0015]可选的，所述调节阀为手动调节阀。
[0016]可选的，所述手动调节阀设有安全销。
[0017]可选的，所述远程等离子体源包括输入端与输出端，所述输出端连接所述总气体管道的第一端，所述输入端连接输入管道以输入NF3。
[0018]可选的，所述输入管道上设置有质量流量控制器。
[0019]可选的，所述远程等离子体源、所述总气体管道、所述子气体管道、所述调节阀以及所述反应腔室之间采用卡口连接。
[0020]可选的，所述远程等离子体源、所述总气体管道、所述子气体管道、所述调节阀以及所述反应腔室之间的连接部分通过密封圈密封。
[0021]可选的，所述总气体管道与所述子气体管道是刚性金属管道。
[0022]综上所述，在本技术提供的反应腔室清洁装置中，包括远程等离子体源；反应腔室，所述反应腔室包括至少两个子腔室；总气体管道，所述总气体管道的第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。本技术通过在每个子气体管道上设置调节阀从而调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止子腔室清洁过度或子腔室内的particle过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。
附图说明
[0023]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本技术，而不对本技术的范围构成任何限定。其中：
[0024]图1是本技术一实施例提供的反应腔室清洁装置的示意图。
[0025]图2是本技术另一实施例提供的反应腔室清洁装置的示意图。
具体实施方式
[0026]为使本技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0027]如在本技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，除非内容另外明确指出外。如在本技术中所使用的，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本技术中所使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本技术中所使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征。
[0028]本技术的核心思想在于提供一种反应腔室清洁装置，避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止particle过多，避免形成缺陷，提高良率。
[0029]所述反应腔室清洁装置包括：远程等离子体源；反应腔室，所述反应腔室包括至少两个子腔室；总气体管道，所述总气体管道的第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。
[0030]本技术通过在每个子气体管道上设置调节阀从而调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止子腔室清洁过度或子腔室内的particle过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。
[0031]以下通过两个实施例对所述反应腔室清洁装置进行详细说明。
[0032]图1是本技术一实施例提供的反应腔室清洁装置的示意图，本实施例中，所述反应腔室包括两个子腔室，所述反应腔室清洁装置包括两个子气体管道。
[0033]请参考图1所示，所述反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室清洁装置，其特征在于，包括：远程等离子体源；反应腔室，所述反应腔室包括至少两个子腔室；总气体管道，所述总气体管道的第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及，调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。2.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述调节阀为调节针阀。3.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述调节阀单向导流。4.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述调节阀为手动调节阀。5.根据权利要求4所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述手动...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹笑笑，李欣伟，陆一凡，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：