【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工设备，尤其涉及一种检测晶圆洗边效果的装置及沉积设备。
技术介绍
1、在物理气相沉积((physical vapor deposition，pvd)工艺下，铜会生长到晶圆边缘甚至背面，对后续工艺产生金属污染；晶圆边缘生长的铜由于不均匀与后续的薄膜存在粘附性问题，产生脱落，成为颗粒缺陷来源，为此需要在晶圆边缘对该铜进行去除，防止生长的铜从阻挡层局部薄弱的地方扩散到介电材质中，引起失效，现有晶圆处理过程中会增设铜膜去除工艺，用于除去晶圆边缘的铜膜，但是晶圆边缘去除铜膜工艺完成以后，对晶圆边缘的检测均是采用人工进行，这样即存在检测过程耗时耗力的问题，同时，也存在检测不准确的问题。因此亟需一种能够准确检测晶圆洗边效果的设备。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种检测晶圆洗边效果的装置及沉积设备，能够在晶圆边缘去除金属导电膜后，对去除结果通过电学原理进行检测，这样既可以保证检测过程达到省时省力的效果，同时又能够保证检测结果的准确性。
2、为实现上述目的，本技术提供...
【技术保护点】
1.一种检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，包括：承载部，所述承载部具有承载晶圆的承载面，所述承载面上设置有与晶圆的第一侧接触的第一电极；
2.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述电性参数包括电容、电压和电流。
3.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别与晶圆边缘的上端面和下端面接触。
4.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述承载面为所述第一电极，或所述第一电极与所述承载部为一体结构。
5.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果...
【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，包括：承载部，所述承载部具有承载晶圆的承载面，所述承载面上设置有与晶圆的第一侧接触的第一电极；
2.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述电性参数包括电容、电压和电流。
3.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别与晶圆边缘的上端面和下端面接触。
4.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述承载面为所述第一电极，或所述第一电极与所述承载部为一体结构。
5.根据权利要求1所述的检测晶圆洗边效果的装置，其特征在于，所述承载面上设...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永，李西祥，魏晓平，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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