一种用于硅片生产的进气管道和一种硅片生产设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于硅片生产的进气管道和一种硅片生产设备，所述用于硅片生产的进气管道与反应炉连接，所述用于硅片生产的进气管道包括：进气管道本体，所述进气管道本体的第一端与所述反应炉连接，所述进气管道本体的第二端为封闭端；等间距分布在所述进气管道本体上的多个出气孔，用于释放所述进气管道本体中硅烷气体。通过本实用新型专利技术实施例进行硅片生产，可以减少硅片生产过程中硅扩散不均匀现象的发生，硅片内的厚度均匀性提高，显著提升硅片生产良率。升硅片生产良率。升硅片生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片生产的进气管道和一种硅片生产设备


[0001]本技术涉及电池硅片
，特别是涉及一种用于硅片生产的进气管道和一种硅片生产设备。

技术介绍

[0002]近来，人们愈发关注环保问题，纷纷开始大量使用清洁能源。对于太阳能等清洁能源，正日益得到广泛的应用。硅片是太阳能等清洁能源产业中最为重要的能量存储元件。如太阳能硅片在生产流程中需要经过多道处理工序，以便保证硅片的光电转换效果和光利用率。其中，硅片的厚度均匀性影响着硅片的光电转换效果和光利用率。而太阳能光伏行业发展至今，N型Top
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con(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触)工艺中，采用管式炉体生产硅片，均存在片内、片间均匀性较差的问题。而LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积法)作为其中一道重要工序，其沉积生成的硅片均匀性显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，提出了本技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种用于硅片生产的进气管道和一种硅片生产设备。
[0004]为了解决上述问题，在本技术的第一个方面，本技术实施例公开了一种用于硅片生产的进气管道，所述用于硅片生产的进气管道与反应炉连接，包括：
[0005]进气管道本体，所述进气管道本体的第一端与所述反应炉连接，所述进气管道本体的第二端为封闭端；
[0006]等间距分布在所述进气管道本体上的多个出气孔，用于释放所述进气管道本体中硅烷气体。
[0007]可选地，所述进气管道本体为单条进气管道本体；
[0008]所述单条进气管道本体的第一端与所述反应炉的炉尾连接。
[0009]可选地，所述进气管道本体的长度与所述反应炉的炉尾至所述反应炉的炉口的长度匹配，以使所述硅烷气体扩散至所述反应炉的炉口。
[0010]可选地，所述出气孔的孔径相同。
[0011]可选地，所述出气孔的孔径沿所述进气管道本体的第一端至所述进气管道本体的第二端的方向递增。
[0012]可选地，所述出气孔位于所述进气管道本体的单一横截面上。
[0013]可选地，所述出气孔位于所述进气管道本体的多个横截面上。
[0014]可选地，所述硅烷气体为甲硅烷气体。
[0015]可选地，所述管道本体为不锈钢材质。
[0016]在本技术的第二个方面，本技术实施例还公开了一种硅片生产设备，包括如上所述的用于硅片生产的进气管道。
[0017]本技术包括以下优点：
[0018]本技术实施例中的进气管道本体的第一端与反应炉连接，所述进气管道本体的第二端为封闭端；等间距分布在所述进气管道本体上的多个出气孔，用于释放所述进气管道本体中硅烷气体。通过本技术实施例进行硅片生产时，进气管道本体上的多个出气孔同时释放硅烷气体，采用多供气点弥散补气进行大气量供气；而在沉积过程中，进气管道本体内各处的硅烷气体浓度保持均匀，硅片内各处的沉积厚度也保持均匀。使得可以减少硅片生产过程中硅扩散不均匀现象的发生，硅片内的厚度均匀性提高，显著提升硅片生产良率。
附图说明
[0019]图1是现有技术中的进气管道的结构示意图；
[0020]图2是本技术的第一种用于硅片生产的进气管道的结构示意图；
[0021]图3是本技术的第二种用于硅片生产的进气管道的结构示意图；
[0022]图4是本技术的第三种用于硅片生产的进气管道的结构示意图；
[0023]图5是本技术的第四种用于硅片生产的进气管道的结构示意图。
[0024]附图标记说明：
[0025]100
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进气管道本体、200
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出气孔、300
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反应炉。
具体实施方式
[0026]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0027]参照图1，示出了现有技术中的进气管道的结构示意图。
[0028]在现有技术中，对于采用LPCVD工艺进行生产的进气管道为管式特气管路三路供气，即在反应炉上设置三条长度不同的特气管路，三条特气管路的末端为开放式三条特气管路的末端即为出气口。三条特气管路的长度分别对应于炉口、炉中、炉尾，即三条特气管路的出气口分别在炉口、炉中、炉尾对准石英舟。当特气管路充满硅烷气体时，三条特气管路的出气口分别直吹石英舟的不同位置，由于出气口为单出气口直吹，导致三个出气口对应石英舟的位置附近沉积的硅片会形成弧形色差，造成硅片内均匀性较差，磷扩后导致扩散不均匀，从而导致硅片厚度不均匀，使得硅片生产的良品率较低。
[0029]参照图2，示出了本技术的第一种用于硅片生产的进气管道的结构示意图，所述用于硅片生产的进气管道具体可以包括：
[0030]进气管道本体100，所述进气管道本体100的第一端与所述反应炉300连接，所述进气管道本体100的第二端为封闭端；
[0031]等间距分布在所述进气管道本体100上的多个出气孔200，用于释放所述进气管道本体100中硅烷气体；
[0032]其中，所述出气孔200的孔径相同；所述出气孔200位于所述进气管道本体100的单一横截面上。
[0033]在本技术实施例中，该用于硅片生产的进气管道会与反应炉300连接，使得反应炉300中生成的硅烷气体可以进入进气管道中。
[0034]具体地，该用于硅片生产的进气管道可以包括进气管道本体100和出气孔200两部分。
[0035]进气管道本体100为内部中空的管道。进气管道本体100的第一端与反应炉300连接，反应炉300中的硅烷气体经过进气管道本体100的第一端进入到进气管道本体100内部中空的容纳空间中。
[0036]进气管道本体100的第二端为封闭端，即进气管道本体100的单侧密封的管道，进气管道本体100内部容纳空间中的硅烷气体并不会经过进气管道本体100的第二端流出，而是全部经过出气孔200流出。
[0037]需要说明的是，进气管道本体100的第一端和第二端只是用于区别进气管道本体100的两端，并不对进气管道本体100的结构进行限定。其中，进气管道本体100的第一端为进气管道本体100靠近反应炉300的一端，第二端为进气管道本体100远离反应炉300的一端。
[0038]进气管道可以为直管道，也可以根据实际需求，由曲线管道和直线管道的组成，但是出气口需要设置于直线管道部分，以便于出气的浓度相同。
[0039]对于进气管道的材质可以为金属材质或非金属材质。该金属材质或非金属材质在硅烷环境下化学性质稳定，且需要耐热耐压不变形。
[0040]在本技术的一优选实施例中，所述管道本体为不锈钢材质。
[0041]在实际应用中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片生产的进气管道，其特征在于，所述用于硅片生产的进气管道与反应炉连接，包括：进气管道本体，所述进气管道本体的第一端与所述反应炉连接，所述进气管道本体的第二端为封闭端；等间距分布在所述进气管道本体上的多个出气孔，用于释放所述进气管道本体中硅烷气体；所述出气孔的孔径沿所述进气管道本体的第一端至所述进气管道本体的第二端的方向递增。2.根据权利要求1所述的用于硅片生产的进气管道，其特征在于，所述进气管道本体为单条进气管道本体；所述单条进气管道本体的第一端与所述反应炉的炉尾连接。3.根据权利要求1所述的用于硅片生产的进气管道，其特征在于，所述进气管道本体的长度与所述反应炉的炉尾至所述反应炉的炉口的长度匹配，以使所述硅烷气体扩散至所述反应炉的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新普，张力，朱伟，夏光林，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：