微蚀溶液促进剂、制备方法、终端设备及计算机存储介质技术

本申请公开了一种微蚀溶液促进剂、制备方法、终端设备及计算机存储介质，涉及微蚀溶液技术领域，本申请微蚀溶液促进剂由下述组份组成：硫酸镍5份～20份，硫酸羟胺1份～10份，水70份～94份。本申请中的微蚀溶液促进剂能够令铜微蚀溶液在保持内部过硫酸盐含量不变的情况，大幅提高对覆铜板的微蚀速率，同时，减少在对覆铜板的微蚀过程中产生的铜离子带出损耗。从而令技术人员可以在铜微蚀溶液内的铜离子含量达到50g/l之后再更换铜微蚀溶液，达到了减少对铜微蚀溶液进行更换而产生的损耗和成本的技术效果，进而节约过硫酸盐。进而节约过硫酸盐。进而节约过硫酸盐。

【技术实现步骤摘要】
微蚀溶液促进剂、制备方法、终端设备及计算机存储介质


[0001]本申请涉及微蚀溶液
，尤其涉及一种微蚀溶液促进剂、制备方法、终端设备及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]当前在PCB(printed circuit board
‑
印刷电路板)表面使用的铜微蚀溶液主要使用过硫酸钠或过硫酸氢钾作为主要成分，其主要成分对应的浓度往往在100g/l。
[0003]在对PCB进行加工的过程中，技术人员需要在铜微蚀溶液内的铜离子达到20g/l时，及时对铜微蚀溶液进行更换才能保证铜微蚀溶液内对PCB的表面微蚀效果，如此，频繁的对溶液进行更换就会带来较大的损耗，进而提高了PCB的制作成本。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种微蚀溶液促进剂、制备方法、终端设备及计算机存储介质，旨在减少对铜微蚀溶液进行更换而产生的损耗和成本，进而节约过硫酸盐。
[0005]为实现上述目的，本申请提供一种微蚀溶液促进剂，所述微蚀溶液促进剂由下述组份组成：
[0006]硫酸镍5份～20份，硫酸羟胺1份～10份，水70份～94份。
[0007]进一步地，所述硫酸镍为含量99％的六水硫酸镍。
[0008]进一步地，所述硫酸羟胺为含量99％的AR级硫酸羟胺。
[0009]此外，为实现上述目的，所述微蚀溶液促进剂的制备方法应用于制备微蚀溶液促进剂，所述微蚀溶液促进剂的制备方法，包括以下步骤：
[0010]称取硫酸镍5份～20份，和硫酸羟胺1份～10份；
[0011]将称取的硫酸镍和硫酸羟胺放入70份～94份的水中，常温搅拌至混合得到所述微蚀溶液促进剂。
[0012]进一步地，在所述常温搅拌至混合得到所述微蚀溶液促进剂的步骤之后，所述方法还包括：
[0013]获取比对溶液及目标溶液，并记录各覆铜板各自对应的第一烘干重量；
[0014]在所述比对溶液和所述目标溶液中分别放入所述覆铜板，并记录浸泡时间；
[0015]在所述浸泡时间达到的预设的时间阈值时，清洗各所述覆铜板并记录各所述覆铜板各自对应的第二烘干重量；
[0016]基于各所述第一烘干重量和各所述第二烘干重量得到验证比对结果。
[0017]进一步地，所述比对溶液的溶液组成为：硫酸2％、过硫酸钠80g/l，余量为水。
[0018]进一步地，所述目标溶液的溶液组成为：硫酸2％、过硫酸钠80g/l，所述微蚀溶液促进剂1％，余量为水。
[0019]进一步地，所述基于各所述第一烘干重量和各所述第二烘干重量得到验证比对结果的步骤，包括：
[0020]基于各所述第一烘干重量和各所述第二烘干重量得到所述比对溶液对应的第一微蚀速率，和所述目标溶液对应的第二微蚀速率；
[0021]将所述第一微蚀速率和所述第二微蚀速率进行比对得到比对结果；
[0022]若所述比对结果为所述第二微蚀速率大于所述第一微蚀速率，则确定所述验证比对结果为验证合格；
[0023]若所述比对结果为所述第二微蚀速率小于或等于所述第一微蚀速率，则确定所述验证比对结果为验证不合格。
[0024]此外，为实现上述目的，本申请还提供一种终端设备，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的微蚀溶液促进剂的制备程序，所述微蚀溶液促进剂的制备程序被所述处理器执行时实现如上述的微蚀溶液促进剂的制备方法的步骤。
[0025]此外，为实现上述目的，本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有微蚀溶液促进剂的制备程序，所述微蚀溶液促进剂的制备程序被处理器执行时实现如上述的微蚀溶液促进剂的制备方法的步骤。
[0026]本申请实施例提供的微蚀溶液促进剂，由下述组份组成：硫酸镍5份～20份，硫酸羟胺1份～10份，水70份～94份。
[0027]在本实施例中，微蚀溶液促进剂能够令铜微蚀溶液在保持内部过硫酸盐含量不变的情况，大幅提高对覆铜板的微蚀速率，同时，减少在对覆铜板的微蚀过程中产生的铜离子带出损耗。由于通过在铜微蚀溶液内添加微蚀溶液促进剂能够提高铜微蚀溶液对覆铜板的微蚀速率，并降低铜离子带出损耗，从而能够令技术人员可以在铜微蚀溶液内的铜离子含量达到50g/l之后再更换铜微蚀溶液，进而达到了减少对铜微蚀溶液进行更换而产生的损耗和成本节约过硫酸盐的技术效果。
附图说明
[0028]图1是本申请实施例方案涉及的硬件运行环境的终端设备的结构示意图；
[0029]图2为本申请微蚀溶液促进剂的组分示意图；
[0030]图3为本申请微蚀溶液促进剂的制备方法的第一实施例的流程示意图；
[0031]图4为本申请微蚀溶液促进剂的微蚀速率对照表；
[0032]图5为本申请微蚀溶液促进剂的铜表面微观情况对照表；
[0033]图6为本申请微蚀溶液促进剂的过硫酸钠分解速率对照表。
[0034]本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0035]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0036]请参照图2，图2为本申请微蚀溶液促进剂的组分示意图，如图2所示，本申请提供一种微蚀溶液促进剂，所述微蚀溶液促进剂由下述组份组成：硫酸镍5份～20份，硫酸羟胺1份～10份，水70份～94份。
[0037]进一步地，所述硫酸镍为含量99％的六水硫酸镍。
[0038]进一步地，所述硫酸羟胺为含量99％的AR级硫酸羟胺。
[0039]在本实施例中，可以通过硫酸镍5份、硫酸羟胺1份及水94份组合得到微蚀溶液促进剂，同样的，也可以通过硫酸镍20份，硫酸羟胺10份，水70份组合得到微蚀溶液促进剂，同样的，还可以通过硫酸镍10份，硫酸羟胺5份，水85份组合得到微蚀溶液促进剂。
[0040]如此，本申请提供的微蚀溶液促进剂能够令铜微蚀溶液在保持内部过硫酸盐含量不变的情况，大幅提高对覆铜板的微蚀速率，同时，减少在对覆铜板的微蚀过程中产生的铜离子带出损耗。由于通过在铜微蚀溶液内添加微蚀溶液促进剂能够提高铜微蚀溶液对覆铜板的微蚀速率，并降低铜离子带出损耗，从而能够令技术人员可以在铜微蚀溶液内的铜离子含量达到50g/l之后再更换铜微蚀溶液，进而达到了减少对铜微蚀溶液进行更换而产生的损耗和成本节约过硫酸盐的技术效果。
[0041]参照图1，图1为本申请实施例方案涉及的硬件运行环境的终端设备结构示意图。
[0042]需要说明的是，本申请实施例终端设备可以是执行本申请微蚀溶液促进剂的制备方法的设备，该终端设备具体可以是数据存储控制终端、PC等终端。
[0043]如图1所示，该终端设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微蚀溶液促进剂，其特征在于，所述微蚀溶液促进剂由下述组份组成：硫酸镍5份～20份，硫酸羟胺1份～10份，水70份～94份。2.如权利要求1所述的微蚀溶液促进剂，其特征在于，所述硫酸镍为含量99％的六水硫酸镍。3.如权利要求2所述的微蚀溶液促进剂，其特征在于，所述硫酸羟胺为含量99％的AR级硫酸羟胺。4.一种微蚀溶液促进剂的制备方法，其特征在于，所述微蚀溶液促进剂的制备方法应用于制备如权利要求1所述的微蚀溶液促进剂，所述微蚀溶液促进剂的制备方法，包括以下步骤：称取硫酸镍5份～20份，和硫酸羟胺1份～10份；将称取的硫酸镍和硫酸羟胺放入70份～94份的水中，常温搅拌至混合得到所述微蚀溶液促进剂。5.如权利要求4所述的微蚀溶液促进剂的制备方法，其特征在于，在所述常温搅拌至混合得到所述微蚀溶液促进剂的步骤之后，所述方法还包括：获取比对溶液及目标溶液，并记录各覆铜板各自对应的第一烘干重量；在所述比对溶液和所述目标溶液中分别放入所述覆铜板，并记录浸泡时间；在所述浸泡时间达到的预设的时间阈值时，清洗各所述覆铜板并记录各所述覆铜板各自对应的第二烘干重量；基于各所述第一烘干重量和各所述第二烘干重量得到验证比对结果。6.如权利要求5所述的微蚀溶液促进剂的制备方法，其特征在于，所述比对溶液的溶液组成为：硫酸2％、过硫酸钠...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴权，蔡良胜，曾剑珍，陈阳，蔡绪开，陈健，
申请(专利权)人：深圳市虹喜科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：