【技术实现步骤摘要】
一种高温热炉
[0001]本技术涉及半导体设备
,尤其涉及一种高温热炉。
技术介绍
[0002]CVD(化学气相沉积)设备是在高温条件下,通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其沉积在硅片表面形成薄膜,主要应用于集成电路、电力电子、光伏、微机电系统等行业。在光伏行业中,CVD设备主要应用于多晶硅、非晶硅、SiO2、Si3N4、磷硅玻璃(PSG)和掺硼磷硅玻璃等多种薄膜的生长与沉积,因而反应室是整个设备的核心,也是设计的核心点。密封装置是用以使炉内部与外部隔绝并保持一定的密封度,来满足太阳能电池制备的工艺要求。
[0003]目前的炉管前后密封装置需要通过法兰液道冷却,冷却温度无法精准检测,难以保证密封圈在稳定的温区工作,降温或温度过高都会导致密封圈寿命短、密封失效等问题。
技术实现思路
[0004]本技术提供了一种高温热炉,解决法兰组件的冷却槽冷却温度无法精准检测控制,难以保证密封圈在稳定的温区工作,进而密封圈容易失效导致漏气的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供了如下方案:本技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温热炉,其特征在于,包括:炉管、法兰组件、炉尾板、炉门、密封组件、检测调节组件和加热组件,所述炉管外套设所述加热组件,所述炉门及所述炉尾板通过所述法兰组件及所述密封组件与所述炉管密封连接;所述法兰组件上开设有冷却槽组件,所述冷却槽组件与管路系统连通用于通过冷却液流动降低密封组件的温度;所述检测调节组件与所述管路系统连接,用于检测和调节管路系统温度。2.根据权利要求1所述的高温热炉,其特征在于,检测调节组件包括控制阀和温度检测器,所述控制阀的开度基于所述温度检测器反馈的实时温度调节,调节所述控制阀的开度以控制管路系统的进液流量使管路系统的出液温度在预设温度范围内。3.根据权利要求1所述的高温热炉,其特征在于,所述法兰组件包括前法兰组件和后法兰组件,所述炉门通过所述前法兰组件及所述密封组件与所述炉管密封连接;所述炉尾板通过所述后法兰组件及所述密封组件与所述炉管密封连接;所述前法兰组件包括第一过渡法兰、第二过渡法兰和前水冷法兰,在所述炉管前段与所述炉门之间依次设置所述第一过渡法兰、所述第二过渡法兰和所述前水冷法兰;所述后法兰组件包括第一过渡法兰、第二过渡法兰和后水冷法兰,在所述炉管后段与所述炉尾板之间依次设置所述第一过渡法兰、所述第二过渡法兰和所述后水冷法兰。4.根据权利要求2所述的高温热炉,其特征在于,所述管路系统包括进液管、内部循环管和排液管,所述进液管上设置所述控制阀,所述排液管上设置所述温度检测器;所述控制阀的开度基于所述温度检测器反馈的实时温度调节,调节所述控制阀的开度以控制进液管的进液流量使排液管的出液温度在预设温度范围内。5.根据权利要求1所述的高...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐少洪,万大明,裴志伟,张武,
申请(专利权)人:拉普拉斯新能源科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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