一种风冷双输出结构碳化硅开关电源制造技术

技术编号:38850711 阅读:12 留言:0更新日期:2023-09-17 09:58
本实用新型专利技术公开了一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,包括高压板和低压板,所述高压板和所述低压板安装于散热件两侧壁处,所述散热件的末端安装有散热风扇,所述低压板设置有两个,所述高压板上安装有主变隔值电容,主变隔值电容设置有两组,高压板安装有高压电容滤波和市电入口,两个所述低压板均安装有Sic mosfet模块同步驱动,本实用新型专利技术中,低压板设置有两个,设计成双输出结构,能保证重要电负荷装置的供电可以连续性,双电源可以作为执行元件,是一种性能完善、安全可靠的开关,通过设计的散热件和散热风扇,将低压板和高压板安装在散热件的侧壁上,导热性更高,开关速度快,大大提高效率。大提高效率。大提高效率。

【技术实现步骤摘要】
一种风冷双输出结构碳化硅开关电源


[0001]本技术涉及控制开关电源
,具体涉及一种风冷双输出结构碳化硅开关电源。

技术介绍

[0002]传统I GBT结构上是电压控制的三极管,开关速度比mosfet慢些,特别是off t ime开关损耗会变大,速度慢,效率低,s ic mosfet的特点是,高导热性、功率容量小,开关速度快,大大提高效率,但是单输出的开关电源若损坏后,可能会导致数据的丢失,可靠性较低。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题,本技术提供一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,包括高压板和低压板,所述高压板和所述低压板安装于散热件两侧壁处,所述散热件的末端安装有散热风扇。
[0004]优选的:所述低压板设置有两个。
[0005]优选的:所述高压板上安装有主变隔值电容,主变隔值电容设置有两组,高压板安装有高压电容滤波和市电入口。
[0006]优选的:两个所述低压板均安装有Sic mosfet模块同步驱动。
[0007]优选的:一个所述低压板安装有第一输出电流滤波电容,另一个所述低压板安装有第二输出电流滤波电容。
[0008]优选的:所述第一输出电流滤波电容和所述第二输出电流滤波电容均连接Si c mosfet模块。
[0009]优选的:所述Sic mosfet模块连接直流电输出,直流电输出连接电流反馈霍尔。
[0010]优选的:所述散热件开设有配合散热风扇通风的通风孔。
[0011]优选的:所述散热件的侧壁对应低压板开设有安装槽以及用于配合低压板安装的螺纹孔。
[0012]优选的:所述散热件侧面四边处对应散热风扇开设有螺纹孔,所述散热风扇的风扇支架四边处开设有通孔。
[0013]本技术的技术效果和优点:
[0014]本技术中,低压板设置有两个,设计成双输出结构,能保证重要电负荷装置的供电可以连续性,双电源可以作为执行元件,是一种性能完善、安全可靠的开关,通过设计的散热件和散热风扇,将低压板和高压板安装在散热件的侧壁上,导热性更高,开关速度快,大大提高效率。
附图说明
[0015]图1是本申请实施例提供的风冷双输出结构碳化硅开关电源结构示意图;
[0016]图2是本申请实施例提供的风冷双输出结构碳化硅开关电源的俯视图;
[0017]图3是本申请实施例提供的风冷双输出结构碳化硅开关电源中低压板的安装结构示意图;
[0018]图4是本申请实施例提供的风冷双输出结构碳化硅开关电源中散热件的结构示意图;
[0019]图5是本申请实施例提供的风冷双输出结构碳化硅开关电源中散热件和散热风扇连接的爆炸图。
[0020]图中:1、高压板;2、主变隔值电容;3、高压电容滤波;4、市电入口;5、散热件;501、通风孔;502、安装槽;503、螺纹孔;6、散热风扇;601、通孔;7、低压板;8、Si c mosfet模块同步驱动;9、第一输出电流滤波电容;10、Si c mosfet模块;11、直流电输出;12、第二输出电流滤波电容;13、电流反馈霍尔。
具体实施方式
[0021]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。本技术的实施例是为了示例和描述起见而给出的,而并不是无遗漏的或者将本技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本技术的原理和实际应用,并且使本领域的普通技术人员能够理解本技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
[0022]实施例1
[0023]请参阅图1~2,在本实施例中提供一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,包括高压板1和低压板7,低压板7设置有两个,高压板1和低压板7安装于散热件5两侧壁处,散热件5的末端安装有散热风扇6,两个低压板7形成双输出结构,在散热风扇6和散热件5作用下,本碳化硅开关电源的导热性更高,开关速度快,大大提高效率。
[0024]高压板1上安装有主变隔值电容2,主变隔值电容2设置有两组,高压板1安装有高压电容滤波3和市电入口。
[0025]请参阅图3,两个低压板7均安装有Si c mosfet模块同步驱动8,一个低压板7安装有第一输出电流滤波电容9,另一个低压板7安装有第二输出电流滤波电容12,第一输出电流滤波电容9和第二输出电流滤波电容12均连接Si c mosfet模块10,Si c mosfet模块10连接直流电输出11,直流电输出11连接电流反馈霍尔13。
[0026]实施例2
[0027]请参阅图4~5,在本实施例中,散热件5开设有配合散热风扇6通风的通风孔501,启动散热风扇6,从通风孔501的一侧进入散热件5中,从通风孔501的另一侧流出散热件5,对散热件5进行散热,提高开关的散热效果,散热件5的侧壁对应低压板7开设有安装槽502以及用于配合低压板7安装的螺纹孔503,散热件5侧面四边处对应散热风扇6开设有螺纹孔503,散热风扇6的风扇支架四边处开设有通孔601。
[0028]本技术的工作原理是:
[0029]低压板12设置有两个,设计成双输出结构,能保证重要电负荷装置的供电可以连续性,双电源可以作为执行元件,是一种性能完善、安全可靠的开关,通过设计的散热件5和散热风扇6,将低压板12和高压板1安装在散热件5的侧壁上,导热性更高,开关速度快,大大
提高效率。
[0030]显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都应属于本技术保护的范围。本技术中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法,如无特别说明和限定,均按照本领域的常规手段进行实施。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,包括高压板(1)和低压板(7),其特征在于,所述高压板(1)和所述低压板(7)安装于散热件(5)两侧壁处,所述散热件(5)的末端安装有散热风扇(6)。2.根据权利要求1所述的一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,其特征在于,所述低压板(7)设置有两个。3.根据权利要求2所述的一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,其特征在于,所述高压板(1)上安装有主变隔值电容(2),主变隔值电容(2)设置有两组,高压板(1)安装有高压电容滤波(3)和市电入口。4.根据权利要求3所述的一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,其特征在于,两个所述低压板(7)均安装有Sic mosfet模块同步驱动(8)。5.根据权利要求4所述的一种风冷双输出结构碳化硅开关电源,其特征在于,一个所述低压板(7)安装有第一输出电流滤波电容(9),另一个所述低压板(7)安装有第二输出电流滤波电容(12)。6.根据权利要求5所述的一种风冷双输...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓志克侯鸿斌施佳抄
申请(专利权)人:广州精原科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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