【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅开关电源结构
[0001]本技术涉及控制开关电源
,具体涉及一种碳化硅开关电源结构。
技术介绍
[0002]传统IGBT结构上是电压控制的三极管,开关速度比mosfet慢些,特别是off time开关损耗会变大,速度慢,效率低,现有的mosfet中的各个功能模块之间的距离较远,在相同功率情况下,开关电源结构体积较大。
技术实现思路
[0003]为解决上述技术问题,本技术提供一种碳化硅开关电源结构,包括底座,底座通过螺栓连接总控制显示板,底座上端连接散热器,散热器用于本开关电源散热,散热器的进气口处安装有散热风扇。
[0004]优选的:所述散热器上端安装有高压板,高压板上端设置有主变隔值电容和高压电容滤波。
[0005]优选的:所述高压板靠近散热风扇的一侧上端设置有市电入口。
[0006]优选的:所述散热器靠近散热风扇的侧壁安装有进电总开关。
[0007]优选的:所述散热器侧壁安装有低压板,低压板靠近高压板的侧壁安装有Sic mosfet模块。
[0008]优选的:所述低压板连接Sic mosfet模块同步驱动。
[0009]优选的:所述高压板安装有直流电输出,直流电输出上端安装有输出电流滤波电容。
[0010]优选的:所述直流电输出的插片连接电流反馈霍尔。
[0011]优选的:所述直流电输出连接输出低压滤波电感。
[0012]本技术的技术效果和优点:
[0013]将低压板和高压板分别设计在散热器的两侧,底座和总 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅开关电源结构,包括底座(15),其特征在于,所述底座(15)通过螺栓连接总控制显示板(16),底座(15)上端连接散热器(13),散热器(13)用于本开关电源散热,散热器(13)的进气口处安装有散热风扇(5)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅开关电源结构,其特征在于,所述散热器(13)上端安装有高压板(14),高压板(14)上端设置有主变隔值电容(1)和高压电容滤波(2)。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅开关电源结构,其特征在于,所述高压板(14)靠近散热风扇(5)的一侧上端设置有市电入口(3)。4.根据权利要求2所述的一种碳化硅开关电源结构,其特征在于,所述散热器(13)靠近散热风扇(5)的侧壁安装有进电总开关(6)。5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓志克,侯鸿斌,施佳抄,
申请(专利权)人:广州精原科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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