一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及LED技术领域，具体涉及一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法，所述LED芯片自下而上依次是背电极、Si基片、第二键合金属层、第一键合金属层、镜面金属层、介质膜层、P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、P面波导层、多量子阱、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层、钝化保护膜、焊线电极；相邻芯片的镜面金属层不直接连接，并在隔离道对应区域被第一键合金属层填充，形成键合金属层包覆镜面的结构。本发明专利技术通过优化金属反射镜的加工过程，形成键合金属层包覆镜面结构，避开隔离道制作和激光切割区域，使镜面金属层在后续加工过程中不受影响，保证LED芯片的性能及可靠性。保证LED芯片的性能及可靠性。保证LED芯片的性能及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及LED
，具体是涉及一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管，简称LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，广泛应用在如数码指示、照明、户内外显示、安防等领域，具有节能、环保、寿命长、显色性与响应速度好等特点。随着社会的发展，LED的应用范围进一步拓宽，对于LED除提高亮度外，因其运用在一些特殊环境及汽车领域，对其可靠性同样提出了更高的要求。而镜面工艺对芯片无论是性能方面还是可靠性方面都影响巨大，LED芯片在加工过程中，会经历一系列的加工过程，诸如清洗、蚀刻、减薄、切割等工序，如果上述工艺过程设计不合理，容易造成镜面结构变化，从而造成芯片存在性能及可靠性等方面的不利影响。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法，该LED芯片通过优化金属反射镜的加工过程，利用版图设计，形成键合金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，所述LED芯片自下而上依次是背电极、Si基片、第二键合金属层、第一键合金属层、镜面金属层、介质膜层、P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、P面波导层、多量子阱、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层、钝化保护膜、焊线电极；所述镜面金属层覆盖在所述介质膜层上，并通过介质膜层上的通孔与所述P型窗口层接触；所述第一键合金属层包覆在所述镜面金属层的表面和侧壁，并在靠近隔离道对应区域与所述P型窗口层接触。2.根据权利要求1所述的一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，相邻芯片的所述镜面金属层和相邻芯片的所述介质膜层不直接连接，并在镜面金属层和介质膜层与相邻芯片的隔离道对应区域被所述第一键合金属层填充。3.根据权利要求1所述的一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，所述P型窗口层的材料为GaP，厚度为2.5
±
0.5μm。4.根据权利要求1所述的一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，所述介质膜层的材料为SiO2，厚度为0.5
±
0.1μm。5.根据权利要求1所述的一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，所述镜面金属层的材料为AuBe或AuZn，厚度为5000
±
200埃。6.根据权利要求1所述的一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，所述第一键合金属层的厚度为1
±
0.5μm；所述第二键合金属层的厚度为1.5
±
0.5μm；所述焊线电极的材料为AuGe/Ni/Au，厚度为1
±
0.5μm。7.根据权利要求1所述的一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片，其特征在于，所述钝化保护膜的材料为SiN，厚度为0.3
±
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宝，戴文，王克来，李俊承，林擎宇，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：