一种红光Mini-LED芯片及其制备方法、显示屏技术

本发明专利技术提供了一种红光Mini

【技术实现步骤摘要】
一种红光Mini
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LED芯片及其制备方法、显示屏


[0001]本专利技术涉及LED
，更具体地说，涉及一种红光Mini
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LED芯片及其制备方法、显示屏。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，LED(Light Emitting Diode，发光二极管)作为新型的发光器件，与传统的发光器件相比，LED具有节能、环保、显色性与响应速度好等优点被广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。
[0003]目前涉及Mini
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LED的显示产品通常会用到三基色Mini
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LED芯片，也就是说会用到发出红光的Mini
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LED芯片、发出绿光的Mini
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LED芯片以及发出蓝光的Mini
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LED芯片，其中发出绿光的Mini
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LED芯片和发出蓝光的Mini
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LED芯片的发光角度一般在130度左右，而常规的发出红光的Mini
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LED本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述红光Mini
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LED芯片包括：目标衬底；位于所述目标衬底一侧的外延层；位于所述目标衬底背离所述外延层一侧的第一DBR反射层。2.根据权利要求1所述的红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述目标衬底为PSS衬底或蓝宝石衬底。3.根据权利要求1所述的红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述目标衬底为粗化面蓝宝石衬底；所述粗化面蓝宝石衬底面向所述外延层的一侧表面为粗化面。4.根据权利要求1所述的红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述外延层包括：在第一方向上依次叠层设置的P型窗口层、P型限制层、MQW层、N型半导体层、欧姆接触层、腐蚀截止层和缓冲层；其中，所述第一方向垂直于所述目标衬底所在平面，且由所述目标衬底指向所述外延层。5.根据权利要求4所述的红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述缓冲层背离所述目标衬底一侧的部分表面为粗化面。6.根据权利要求1所述的红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述红光Mini
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LED芯片还包括：位于所述外延层背离所述目标衬底一侧的第二DBR反射层。7.根据权利要求1所述的红光Mini
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LED芯片，其特征在于，所述红光Mini
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LED芯片还包括：位于所述外延层背离所述目标衬底一侧的P电极和N电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，马祥柱，马英杰，王翔宇，李皇，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：