【技术实现步骤摘要】
锁频单脉冲紫外超快激光晶圆全切割方法和系统
[0001]本专利技术涉及激光切割
,具体涉及一种锁频单脉冲紫外超快激光晶圆全切割方法和系统。
技术介绍
[0002]近年来,晶圆片广泛用于芯片行业,高集成和高性能的半导体晶圆需求也越来越大。在芯片的加工过程中,需要对晶圆片进行分割。为了大幅度节约成本,提高效率,在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片或电路元件构造,然后再分割成各个单元,最后再进行封装和焊接。因此,晶圆切割技术对提高成品率和封装效率有着重要影响。
[0003]目前晶圆片的切割很多都是通过磨轮刀片去开槽再切割实现,又或者采用激光先开槽然后磨轮刀片去切割。随着晶圆薄片尺寸不断地增大,厚度却在不断减薄,其切割的难度也越大。切割难度使切割速度更慢,碎片率更高,切割边缘质量更差,会产生裂纹、碎屑、崩边。而且最终的切缝宽度太宽,减少了单位晶圆片上的晶圆数量,降低了良率和效率。
[0004]随着高抗折强度的薄片制造技术应用越来越广泛,厚度100μm以下的晶圆薄片会逐渐成为主流,磨轮刀片很难直接用于这种晶 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锁频单脉冲紫外超快激光晶圆全切割方法,其特征在于,所述方法包括步骤:1)将晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上,将晶圆与蓝膜一同放在操作台上的真空吸附装置上,所述操作台能够驱动晶圆沿预设路径移动;2)将所述晶圆片上表面涂覆光刻胶涂覆层;3)对晶圆片及其吸附装置进行视觉检测定位;4)设置激光器发射的激光依次经过整形光路、光束传输光路、激光切割头后,聚焦在操作台上的晶圆表面;所述激光器为能够发射锁频均匀能量单脉冲的紫外超快激光器;5)通过控制锁频均匀能量单脉冲激光束与晶圆在X、Y、Z轴的相对行进速度,将晶圆片切割为多个晶粒。2.根据权利要求1所述的超快激光晶圆全切割方法,其特征在于,所述激光束为线偏振光。3.根据权利要求1所述的超快激光晶圆全切割方法,其特征在于,所述单脉冲为单脉冲光子尖峰波。4.根据权利要求1所述的超快激光晶圆全切割方法,其特征在于,所述激光器发射频率为1KHz
‑
500KHz之间一定值;所述激光器发射的单脉冲能量为20
‑
10000uJ,所述单脉冲间能量差异≤
±
5%。5.根据权利要求1所述的超快激光晶圆全切割方法,其特征在于,所述激光器为全固态皮秒激光器。6.根据权利要求1所述的超快激光晶圆全切割方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:北京赢圣科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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