【技术实现步骤摘要】
一种近似垂直于晶圆面的绿光超快激光束晶圆减薄方法和系统
[0001]本专利技术涉及半导体激光加工
,具体涉及一种近似垂直于晶圆面的绿光超快激光束晶圆减薄方法和系统。
技术介绍
[0002]集成电路制造工艺对晶圆片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出了很高要求。因此,在集成电路制造工艺中并不会从一开始就采用非常薄的晶圆片,而是采用一定厚度的晶圆片在制造工艺过程中传递、流传,然后在集成电路封装前从晶圆片的背面去除一定厚度的基体材料,即晶圆片减薄工艺。以减小后续形成的芯片的厚度。以改善芯片散热效果并有利于后期封装。
[0003]电子产品发展越来越趋向于多功能集成化和小型化,对便携的要求越来越高。这就要求电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,这需要不断地降低芯片封装的厚度。以存储器为例,其封装形式主要为叠层封装。随着存储容量的不断增大,封装的层数目前已达到96层以上,为满足IC先进封装要求,在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下,堆叠中各层芯片的厚度就不可避免地需要减薄。一般来说,较为先进的多层 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种近似垂直于晶圆面的绿光超快激光束晶圆减薄方法,其特征在于,所述方法包括步骤:1)将晶圆的功能面贴膜后吸附固定于真空吸附装置上;所述真空吸附装置水平固定于可移动承载台上;所述可移动承载台能够沿X轴、Y轴和Z轴移动,并可以自转;2)设置绿光超快激光器发射的超快激光束,经光路系统后通过激光振镜减薄扫描头作用于需减薄的晶圆表面,3)所述超快激光以近似垂直于减薄面的激光束在近似平行于减薄面方向的扫描实现所述晶圆的减薄。2.根据权利要求1所述的绿光超快激光束晶圆减薄方法,其特征在于,所述激光器为能够在高重复频率下发射高能量单脉冲且单脉冲能量一致性高的绿光超快激光器,所述高重复频率为300KHz
‑
500KHz,所述高能量单脉冲能量为10uJ
‑
20uJ,所述单脉冲间能量差异≤
±
5%;锁定发射频率为300KHz
‑
500KHz之间的一定值。3.根据权利要求1所述的绿光超快激光束晶圆减薄方法,其特征在于,所述激光器发射的超快激光,经过整形光路放大光束尺寸、再经过光束传输光路输入到振镜、再经过场镜后通过激光振镜减薄扫描头聚焦在可移动承载台上的晶圆表面;在软硬件控制器的控制下,设置激光发射参数,控制晶圆的旋转、平移及激光束的扫描,完成晶圆的激光减薄。4.根据权利要求1所述的绿光超快激光束晶圆减薄方法,其特征在于,所述振镜转速为100
‑
10000转/秒。5.根据权利要求4所述的绿光超快激光束晶圆减薄方法,其特征在于,所述方法还包括步骤4)自动实时测量晶圆厚度并依...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:北京赢圣科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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