一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。方法包括：在电池基体的第一表面上设置掩膜层；在掩膜层中开设槽体，使得电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域裸露；在剩余的掩膜层上，以及电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域上沉积金属层；将均位于硅基底的同一侧，电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域与剩余的掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀，使得剩余的掩膜层上的金属层中的金属，电镀至电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域。阳极和阴极之间的距离大大降低，降低了电镀的难度和成本，提高了金属离子的补充速度和金属电极电镀量产化的速度。的补充速度和金属电极电镀量产化的速度。的补充速度和金属电极电镀量产化的速度。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]目前，可以采用电镀途径为太阳能电池设置金属电极。在电镀过程中，需要将太阳能电池中待设置金属电极的区域作为阴极，金属材料作为阳极，阳极和阴极放置在电镀液中，金属离子在电场力的作用下，通过电镀液移动至太阳能电池需要设置金属电极的区域，形成太阳能电池的金属电极。
[0003]现有的电镀方式中，阴极和阳极之间的距离在1
‑
100mm。然而，随着阴极和阳极之间的距离的增大，电镀难度将会成倍增加，电镀成本大幅度上升。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，旨在解决电镀金属电极的过程中，电镀难度大、成本高的问题。
[0005]本专利技术的第一方面提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：
[0006]在电池基体的第一表面上设置掩膜层；所述电池基体包含硅基底；所述电池基体的第一表面为所述电池基体上待设置金属电极的表面；
[0007]在所述掩膜层中开设槽体，使得所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域裸露；
[0008]在剩余的所述掩膜层上，以及所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域上沉积金属层；
[0009]将均位于所述硅基底的同一侧，所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域与所述剩余的所述掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀，使得所述剩余的所述掩膜层上的金属层中的金属，电镀至所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域，以形成所述电池基体的金属电极。
[0010]本专利技术实施例中，将位于硅基底的同一侧，电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域、剩余的掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀，电镀过程中，整个电池基体都放置在电镀液中，电镀装置不需要阳极，通过横向电场的分布，金属离子从剩余的掩膜层上的金属层，横向运动至电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域，以形成该电池基体的金属电极。作为阴极的电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域，和作为阳极的剩余的掩膜层上的金属层，位于该硅基底的同一侧，电镀形成金属电极的过程中，阳极和阴极之间的距离即为：位于该硅基底的同一侧，电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域、剩余的掩膜层上的金属层两者之间的距离，本专利技术实施例中阳极和阴极之间的距离仅为微米级别，阳极和阴极之间的距离大大降低，不仅降低了电镀的难度、降低了电镀成本，而且实现了金属离子的就近补充，提高了金属离子的补充速度，提高了金属电极电镀
量产化的速度。
[0011]可选的，所述槽体的开口位于所述槽体远离所述硅基底的一端，所述槽体的槽底与所述槽体的开口相对分布；在所述电池基体为HJT电池基体或HBC电池基体的情况下：
[0012]沉积金属层后，均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层远离所述硅基底的表面，比所述剩余的所述掩膜层上的金属层靠近所述掩膜层的表面，更靠近所述硅基底；
[0013]电镀，包括：将均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层与所述剩余的所述掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀。
[0014]可选的，所述槽体的槽壁位于所述槽体的开口和所述槽体的槽底之间；在所述掩膜层远离硅基底的表面对所述槽壁有遮挡的情况下，在沉积所述金属层的过程中：均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层、所述剩余的所述掩膜层上的金属层两者之间自然断开；
[0015]在其他情况下，电镀之前，所述方法还包括：将所述槽壁上的金属层去除，使得均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层与所述剩余的所述掩膜层上的金属层两者之间断开。
[0016]可选的，在所述电池基体为HJT电池基体的情况下：
[0017]设置掩膜层，包括：在所述电池基体的向光面上设置正面掩膜层，和/或，在所述电池基体的背光面上设置背面掩膜层；
[0018]开设槽体，包括：在所述正面掩膜层中开设槽体，和/或，在所述背面掩膜层中开设槽体；
[0019]沉积金属层，包括：在剩余的所述正面掩膜层上，以及所述电池基体的向光面的槽底上沉积正面金属层；和/或，在剩余的所述背面掩膜层上，以及所述电池基体的背光面的槽底上沉积背面金属层；
[0020]电镀，包括：将位于所述硅基底的向光侧的所述槽底上的金属层与所述剩余的所述正面掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀；和/或，将位于所述硅基底的背光侧的所述槽底上的金属层与所述剩余的所述背面掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀。
[0021]可选的，在所述电池基体为HBC电池基体的情况下：
[0022]设置掩膜层，包括：在所述电池基体的背光面上设置背面掩膜层；
[0023]开设槽体，包括：在所述背面掩膜层中开设槽体；
[0024]沉积金属层，包括：在剩余的所述背面掩膜层上，以及所述电池基体的背光面的槽底上沉积背面金属层；
[0025]电镀，包括：将位于所述硅基底的背光侧的所述槽底上的金属层与所述剩余的所述背面掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀。
[0026]可选的，所述槽体的开口位于所述槽体远离所述硅基底的一端，所述槽体的槽底与所述槽体的开口相对分布，所述槽壁位于所述槽体的开口和所述槽体的槽底之间；在所述电池基体为TOPCon电池基体的情况下，所述电池基体包含氮化硅层：
[0027]沉积金属层，包括：在所述剩余的所述掩膜层上，以及所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域上，依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层；
[0028]在所述掩膜层远离硅基底的表面对所述槽壁有遮挡的情况下，在沉积所述电极金属层和接触阻挡金属层的过程中：均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的电极金属层、所述剩余的所述掩膜层上的电极金属层两者之间自然断开；且，均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的接触阻挡金属层、所述剩余的所述掩膜层上的接触阻挡金属层两者之间自然断开；依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层之后，所述方法还包括：在所述氮化硅层中开槽的过程中，将所述槽底上的电极金属层和接触阻挡金属层均去除；
[0029]在其他情况下，依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层之后，所述方法还包括：在所述氮化硅层中开槽的过程中，将所述槽壁上的电极金属层和接触阻挡金属层，以及所述槽底上的电极金属层和接触阻挡金属层均去除；
[0030]电镀，包括：将均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上去除了电极金属层和接触阻挡金属层的区域与所述剩余的所述掩膜层上的接触阻挡金属层，分别作为阴极和阳极，进行第一次电镀；将均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上电镀了接触阻挡金属层的区域与所述剩余的所述掩膜层上的电极金属层，分别作为阴极和阳极，进行第二次电镀。
[0031]可选的，设置掩膜层，包括：在所述电池基体的向光面上设置正面掩膜层，和/或，在所述电池基体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在电池基体的第一表面上设置掩膜层；所述电池基体包含硅基底；所述电池基体的第一表面为所述电池基体上待设置金属电极的表面；在所述掩膜层中开设槽体，使得所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域裸露；在剩余的所述掩膜层上，以及所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域上沉积金属层；将均位于所述硅基底的同一侧，所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域与所述剩余的所述掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀，使得所述剩余的所述掩膜层上的金属层中的金属，电镀至所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域，以形成所述电池基体的金属电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述槽体的开口位于所述槽体远离所述硅基底的一端，所述槽体的槽底与所述槽体的开口相对分布；在所述电池基体为HJT电池基体或HBC电池基体的情况下：沉积金属层后，均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层远离所述硅基底的表面，比所述剩余的所述掩膜层上的金属层靠近所述掩膜层的表面，更靠近所述硅基底；电镀，包括：将均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层与所述剩余的所述掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述槽体的槽壁位于所述槽体的开口和所述槽体的槽底之间；在所述掩膜层远离硅基底的表面对所述槽壁有遮挡的情况下，在沉积所述金属层的过程中：均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层、所述剩余的所述掩膜层上的金属层两者之间自然断开；在其他情况下，电镀之前，所述方法还包括：将所述槽壁上的金属层去除，使得均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的金属层、所述剩余的所述掩膜层上的金属层两者之间断开。4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述电池基体为HJT电池基体的情况下：设置掩膜层，包括：在所述电池基体的向光面上设置正面掩膜层，和/或，在所述电池基体的背光面上设置背面掩膜层；开设槽体，包括：在所述正面掩膜层中开设槽体，和/或，在所述背面掩膜层中开设槽体；沉积金属层，包括：在剩余的所述正面掩膜层上，以及所述电池基体的向光面的槽底上沉积正面金属层；和/或，在剩余的所述背面掩膜层上，以及所述电池基体的背光面的槽底上沉积背面金属层；电镀，包括：将位于所述硅基底的向光侧的所述槽底上的金属层与所述剩余的所述正面掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀；和/或，将位于所述硅基底的背光侧的所述槽底上的金属层与所述剩余的所述背面掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀。5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述电池基体为HBC
电池基体的情况下：设置掩膜层，包括：在所述电池基体的背光面上设置背面掩膜层；开设槽体，包括：在所述背面掩膜层中开设槽体；沉积金属层，包括：在剩余的所述背面掩膜层上，以及所述电池基体的背光面的槽底上沉积背面金属层；电镀，包括：将位于所述硅基底的背光侧的所述槽底上的金属层与所述剩余的所述背面掩膜层上的金属层，分别作为阴极和阳极，进行电镀。6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述槽体的开口位于所述槽体远离所述硅基底的一端，所述槽体的槽底与所述槽体的开口相对分布，所述槽壁位于所述槽体的开口和所述槽体的槽底之间；在所述电池基体为TOPCon电池基体的情况下，所述电池基体包含氮化硅层：沉积金属层，包括：在所述剩余的所述掩膜层上，以及所述电池基体的第一表面上待设置金属电极的区域上，依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层；在所述掩膜层远离硅基底的表面对所述槽壁有遮挡的情况下，在沉积所述电极金属层和接触阻挡金属层的过程中：均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的电极金属层、所述剩余的所述掩膜层上的电极金属层两者之间自然断开；且，均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上的接触阻挡金属层、所述剩余的所述掩膜层上的接触阻挡金属层两者之间自然断开；依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层之后，所述方法还包括：在所述氮化硅层中开槽的过程中，将所述槽底上的电极金属层和接触阻挡金属层均去除；在其他情况下，依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层之后，所述方法还包括：在所述氮化硅层中开槽的过程中，将所述槽壁上的电极金属层和接触阻挡金属层，以及所述槽底上的电极金属层和接触阻挡金属层均去除；电镀，包括：将均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上去除了电极金属层和接触阻挡金属层的区域与所述剩余的所述掩膜层上的接触阻挡金属层，分别作为阴极和阳极，进行第一次电镀；将均位于所述硅基底的同一侧，所述槽底上电镀了接触阻挡金属层的区域与所述剩余的所述掩膜层上的电极金属层，分别作为阴极和阳极，进行第二次电镀。7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，设置掩膜层，包括：在所述电池基体的向光面上设置正面掩膜层，和/或，在所述电池基体的背光面上设置背面掩膜层；开设槽体，包括：在所述正面掩膜层中开设槽体，和/或，在所述背面掩膜层中开设槽体；依次沉积电极金属层和接触阻挡金属层，包括：在剩余的所述正面掩膜层上，以及所述电池基体的向光面的槽底上，依...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛朝伟，孙士洋，张洋，魏俊喆，魏超锋，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：