本实用新型专利技术公开了一种半导体单晶衬底防腐装置，涉及衬底防腐装置技术领域，该衬底防腐装置旨在解决现有技术下衬底防腐装置内部没有设置抗腐蚀和配合加固支撑结构的技术问题，该衬底防腐装置包括单晶衬底本体、开设在单晶衬底本体内部的防护固定空腔、连接于单晶衬底本体的底部防腐放置组件；单晶衬底本体上端内部设置有端面防腐保护组件，单晶衬底本体下端内部设置有减震加固防护组件，底部防腐放置组件内部包括有圆形的防腐蚀耐磨损底盘，端面防腐保护组件内部设置有防腐蚀内套圈，该衬底防腐装置通过底部防腐放置组件和端面防腐保护组件使单晶衬底本体有一定防腐蚀保护效果，而通过减震加固防护组件能够可以起到加固连接支撑作用。连接支撑作用。连接支撑作用。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体单晶衬底防腐装置
[0001]本技术属于衬底防腐装置
，具体涉及一种半导体单晶衬底防腐装置。
技术介绍
[0002]衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片，现今，市面上针对半导体单晶所使用的衬底大多采用氮化物衬底材料等，而衬底内部没有设有一定防腐和加固支撑结构，从而导致衬底在长时间的使用下容易发生腐蚀变形等现象，进一步降低了衬底使用的安全性和稳定性。
[0003]因此，针对上述衬底防腐装置内部没有设置抗腐蚀和配合加固支撑结构问题，亟需得到解决，以改善衬底防腐装置的使用场景。
技术实现思路
[0004](1)要解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种半导体单晶衬底防腐装置，该衬底防腐装置旨在解决现有技术下衬底防腐装置内部没有设置抗腐蚀和配合加固支撑结构的技术问题。
[0006](2)技术方案
[0007]为了解决上述技术问题，本技术提供了这样一种半导体单晶衬底防腐装置，该衬底防腐装置包括单晶衬底本体、开设在所述单晶衬底本体内部的防护固定空腔、连接于所述单晶衬底本体的底部防腐放置组件；所述单晶衬底本体上端内部设置有端面防腐保护组件，所述单晶衬底本体下端内部设置有减震加固防护组件，所述底部防腐放置组件内部包括有圆形的防腐蚀耐磨损底盘，所述端面防腐保护组件内部设置有防腐蚀内套圈。
[0008]使用本技术方案的衬底防腐装置时，通过底部防腐放置组件和单晶衬底本体上端内部设置的端面防腐保护组件的设置，使单晶衬底本体有一定防腐蚀保护效果，而通过单晶衬底本体下端内部设置的减震加固防护组件能够可以起到加固连接支撑作用，从而确保了单晶衬底本体使用的稳定性和安全性。
[0009]进一步地，所述底部防腐放置组件内部包括有设置在防腐蚀耐磨损底盘下端的防滑支撑弹性垫板，所述防滑支撑弹性垫板下表面设置有防滑纹，通过防滑支撑弹性垫板和防滑纹的设置，可以起到底部防滑连接支撑的作用。
[0010]进一步地，所述单晶衬底本体内部设置有抗腐蚀表层，所述抗腐蚀表层内侧设置有抗压防变形保护套圈，通过抗腐蚀表层的设置，可以起到外部抗腐蚀保护效果，而通过抗压防变形保护套圈的设置，可以起到一定承压防护作用。
[0011]进一步地，所述抗压防变形保护套圈内侧设置有与防腐蚀内套圈相连接使用的隔绝密封连接层，所述防腐蚀内套圈内表面设置有防腐蚀内层，通过隔绝密封连接层和防腐蚀内层的设置，可以起到内部配合防腐蚀保护效果。
[0012]进一步地，所述防腐蚀内套圈内部开设有定位放置槽，所述防护固定空腔内表面上设置有底部防腐涂层，通过定位放置槽的设置，可以确保半导体单晶放置使用的准确性，而通过底部防腐涂层的设置，能够起到底部防腐蚀保护作用。
[0013]进一步地，所述单晶衬底本体内部开设有缓冲减震底空腔，所述减震加固防护组件内部包括有设置在缓冲减震底空腔中的抗压中心盘，所述抗压中心盘外侧设置有加固连接支杆，通过缓冲减震底空腔和加固连接支杆的设置，可以起到一定加固缓冲支撑的效果。
[0014]进一步地，所述加固连接支杆外侧设置有减震连接板，所述单晶衬底本体下表面开设有防护卡位凹槽，所述底部防腐放置组件内部包括有与防护卡位凹槽相契合使用的卡紧弧形块，所述卡紧弧形块下侧固定连接有与防腐蚀耐磨损底盘相连接使用的挤压防腐圈，通过防护卡位凹槽和卡紧弧形块的设置，可以起到稳定卡紧使用的作用，而通过防腐蚀耐磨损底盘和挤压防腐圈的设置，能够起到双重耐腐蚀防护功能。
[0015](3)有益效果
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0017]1、本技术通过底部防腐放置组件和单晶衬底本体上端内部设置的端面防腐保护组件的设置，使单晶衬底本体有一定防腐蚀保护效果。
[0018]2、本技术通过单晶衬底本体下端内部设置的减震加固防护组件能够可以起到加固连接支撑作用，从而确保了单晶衬底本体使用的稳定性和安全性。
附图说明
[0019]图1为本技术衬底防腐装置一种具体实施方式的结构示意图；
[0020]图2为本技术衬底防腐装置一种具体实施方式的减震加固防护组件的结构示意图；
[0021]图3为本技术衬底防腐装置一种具体实施方式的防腐蚀耐磨损底盘的结构示意图；
[0022]图4为本技术衬底防腐装置一种具体实施方式的单晶衬底本体的内部结构示意图。
[0023]附图中的标记为：1、单晶衬底本体；2、防护固定空腔；3、底部防腐放置组件；4、端面防腐保护组件；5、减震加固防护组件；6、防腐蚀耐磨损底盘；7、防腐蚀内套圈；8、防滑支撑弹性垫板；9、防滑纹；10、抗腐蚀表层；11、抗压防变形保护套圈；12、隔绝密封连接层；13、防腐蚀内层；14、定位放置槽；15、底部防腐涂层；16、缓冲减震底空腔；17、抗压中心盘；18、加固连接支杆；19、减震连接板；20、防护卡位凹槽；21、卡紧弧形块；22、挤压防腐圈。
具体实施方式
[0024]如图1
‑
4所示，本技术提供一种半导体单晶衬底防腐装置，包括单晶衬底本体1、开设在所述单晶衬底本体1内部的防护固定空腔2、连接于所述单晶衬底本体1的底部防腐放置组件3；所述单晶衬底本体1上端内部设置有端面防腐保护组件4，所述单晶衬底本体1下端内部设置有减震加固防护组件5，所述底部防腐放置组件3内部包括有圆形的防腐蚀耐磨损底盘6，所述端面防腐保护组件4内部设置有防腐蚀内套圈7。
[0025]针对本具体实施方式，防腐蚀耐磨损底盘6的规格可以根据设计需要进行相应的
调整。
[0026]其中，所述底部防腐放置组件3内部包括有设置在防腐蚀耐磨损底盘6下端的防滑支撑弹性垫板8，所述防滑支撑弹性垫板8下表面设置有防滑纹9，所述单晶衬底本体1内部设置有抗腐蚀表层10，所述抗腐蚀表层10内侧设置有抗压防变形保护套圈11，所述抗压防变形保护套圈11内侧设置有与防腐蚀内套圈7相连接使用的隔绝密封连接层12，所述防腐蚀内套圈7内表面设置有防腐蚀内层13。防滑支撑弹性垫板8的数量和形状可以根据使用需要进行相应的调整。
[0027]另外，所述防腐蚀内套圈7内部开设有定位放置槽14，所述防护固定空腔2内表面上设置有底部防腐涂层15，所述单晶衬底本体1内部开设有缓冲减震底空腔16，所述减震加固防护组件5内部包括有设置在缓冲减震底空腔16中的抗压中心盘17，所述抗压中心盘17外侧设置有加固连接支杆18，所述加固连接支杆18外侧设置有减震连接板19，所述单晶衬底本体1下表面开设有防护卡位凹槽20，所述底部防腐放置组件3内部包括有与防护卡位凹槽20相契合使用的卡紧弧形块21，所述卡紧弧形块21下侧固定连接有与防腐蚀耐磨损底盘6相连接使用的挤压防腐圈22。
[0028]在此还需要特别说明的是，防护卡位凹槽20和卡紧弧形块21的位置和形状可以根据实际需要进行相应调整设定。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体单晶衬底防腐装置，该衬底防腐装置包括单晶衬底本体、开设在所述单晶衬底本体内部的防护固定空腔、连接于所述单晶衬底本体的底部防腐放置组件；其特征在于，所述单晶衬底本体上端内部设置有端面防腐保护组件，所述单晶衬底本体下端内部设置有减震加固防护组件，所述底部防腐放置组件内部包括有圆形的防腐蚀耐磨损底盘，所述端面防腐保护组件内部设置有防腐蚀内套圈。2.根据权利要求1所述的一种半导体单晶衬底防腐装置，其特征在于，所述底部防腐放置组件内部包括有设置在防腐蚀耐磨损底盘下端的防滑支撑弹性垫板，所述防滑支撑弹性垫板下表面设置有防滑纹。3.根据权利要求1所述的一种半导体单晶衬底防腐装置，其特征在于，所述单晶衬底本体内部设置有抗腐蚀表层，所述抗腐蚀表层内侧设置有抗压防变形保护套圈。4.根据权利要求3所述的一种半导体单晶衬底防腐装置，其特征在于，所述抗压防...
【专利技术属性】
技术研发人员：林浩，朱丽华，曹祥俊，
申请(专利权)人：江苏正其心半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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