一种蒸镀装置以及蒸镀系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开一种蒸镀装置以及蒸镀系统。其中一实施例的蒸镀装置包括蒸镀腔室，所述蒸镀腔室包括放置待蒸镀基板的第一蒸镀腔室和位于所述第一蒸镀腔室外侧的第二蒸镀腔室，所述蒸镀装置包括：设置在所述第二蒸镀腔室的蒸镀源，包括：蒸镀坩埚和位于所述蒸镀坩埚上的多个喷嘴，每一所述喷嘴出射蒸镀材料形成一个材料蒸镀区；设置在所述喷嘴远离蒸镀坩埚一侧的承载板，所述承载板与所述喷嘴具有预设距离；设置在所述承载板靠近所述蒸镀源一侧表面的探测单元，所述探测单元用于感测所述材料蒸镀区的材料蒸镀状态，以生成对应于所述材料蒸镀区的喷嘴工作信息，以及遮挡件，用于响应于输入的控制指令遮挡或者不遮挡所述探测单元。探测单元。探测单元。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸镀装置以及蒸镀系统


[0001]本技术涉及显示
更具体地，涉及一种蒸镀装置以及蒸镀系统。

技术介绍

[0002]在基板上形成OLED器件通常采用蒸镀工艺，是指在一定的真空条件下加热蒸镀材料，使蒸镀材料熔化(或升华)成原子、分子或原子团组成的蒸汽，然后凝结在基板表面成膜，从而形成OLED器件的功能层。
[0003]蒸镀工艺按照蒸镀源类型可分为点源坩埚和线源坩埚。对于线源蒸镀而言，材料经过加热后，从坩埚Nozzle口喷出，在基板上沉积后形成膜层，其膜层厚度的均一性主要取决于每个Nozzle口喷出的材料速率，膜厚的均一性变差是引起OLED器件光学不良及良率降低的主要原因，所以在生产过程中实时的监控蒸镀膜层的均一性尤为重要。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种蒸镀装置和蒸镀系统，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0005]为达到上述目的，本技术采用下述技术方案：
[0006]本技术第一方面提供了一种蒸镀装置，包括蒸镀腔室，所述蒸镀腔室包括放置待蒸镀基板的第一蒸镀腔室和位于所述第一蒸镀腔室外侧的第二蒸镀腔室，
[0007]所述蒸镀装置包括：
[0008]设置在所述第二蒸镀腔室的蒸镀源，包括：蒸镀坩埚和位于所述蒸镀坩埚上的多个喷嘴，每一所述喷嘴出射蒸镀材料形成一个材料蒸镀区；
[0009]设置在所述喷嘴远离蒸镀坩埚一侧的承载板，所述承载板与所述喷嘴具有预设距离；
[0010]设置在所述承载板靠近所述蒸镀源一侧表面的探测单元，所述探测单元用于感测所述材料蒸镀区的材料蒸镀状态，以生成对应于所述材料蒸镀区的喷嘴工作信息，以及
[0011]与所述探测单元设置在所述承载板的同一侧的遮挡件，用于响应于输入的控制指令遮挡或者不遮挡所述探测单元。
[0012]在一个可选的实施例中，所述蒸镀源还包括具有内腔的壳体，所述蒸镀坩埚和所述喷嘴设置与所述内腔中，所述壳体靠近所述喷嘴一侧的顶壁设置有对应于所述喷嘴的开口。
[0013]在一个可选的实施例中，所述开口为可调节开口，响应于输入至所述可调节开口的调节指令，所述开口的开口面积变化，以使得所述材料蒸镀区的面积变化。
[0014]在一个可选的实施例中，所述承载板包括第一板体和第二板体，所述第一板体和所述第二板体具有预设夹角，形成覆盖所述材料蒸镀区的蒸镀遮挡区，
[0015]其中，所述蒸镀遮挡区覆盖所述可调节开口的开口面积最大时对应的所述材料蒸镀区。
[0016]在一个可选的实施例中，所述遮挡件响应于所述控制指令遮挡所述探测单元时，被遮挡的所述探测单元不感测所述材料蒸镀区的材料蒸镀状态；
[0017]所述遮挡件响应于所述控制指令不遮挡所述探测单元时，位于所述第二蒸镀腔室的喷嘴向未被遮挡的所述探测单元出射蒸镀材料，所述探测单元感测所述喷嘴形成的所述材料蒸镀区的材料蒸镀状态，以生成对应于所述材料蒸镀区的喷嘴工作信息。
[0018]在一个可选的实施例中，所述探测单元包括多个沿第一方向排布的石英晶体微天平传感器，每一所述石英晶体微天平传感器对应至少一个所述材料蒸镀区，
[0019]所述第一方向平行于所述喷嘴的排布方向。
[0020]在一个可选的实施例中，所述遮挡件包括转动轴和与所述转动轴连接的转动盖，
[0021]所述转动轴沿所述第一方向延伸，
[0022]所述转动盖具有空腔，响应于所述控制指令绕所述转动轴旋转，以使得所述转动盖的空腔收容全部的所述石英晶体微天平传感器。
[0023]在一个可选的实施例中，所述遮挡件包括设置在所述承载板靠近所述蒸镀源一侧表面的滑轨和位于滑轨上的滑动盖，
[0024]所述滑轨沿所述第一方向延伸，
[0025]所述滑动盖具有空腔，响应于所述控制指令所述滑动盖在滑轨上移动，以使得所述滑动盖的空腔收容全部的所述石英晶体微天平传感器。
[0026]本技术第二方面提供了一种蒸镀系统，所述蒸镀系统包括：
[0027]本技术第一方面的蒸镀装置、与所述蒸镀源连接的位移装置、以及控制器，
[0028]其中，所述控制器用于输出控制所述位移装置的位移指令，以使得所述位移装置带动所述蒸镀装置在所述第一蒸镀腔室和在所述第二蒸镀腔室中移动；
[0029]所述控制器还用于输出控制指令至所述遮挡件，在所述遮挡件不遮挡所述探测单元时，获取所述探测单元生成的喷嘴工作信息。
[0030]在一个可选的实施例中，所述蒸镀系统还包括：
[0031]加热所述蒸镀坩埚的加热装置，
[0032]所述控制器还用于根据所述喷嘴工作信息判断不同的所述材料蒸镀区的喷嘴的工作状态，生成加热指令至所述加热装置，
[0033]所述加热装置根据所述加热指令对所述蒸镀坩埚的加热温度进行调节。
[0034]本技术的有益效果如下：
[0035]本技术实施例的蒸镀装置，利用设置在承载板上的探测单元，在未被遮挡件遮挡时，对位于第二蒸镀腔室的蒸镀源进行探测，该探测可在基板的蒸镀工艺之前进行，也可以在进行基板的蒸镀工艺时进行，即，本技术实施例的能够实时在线且快速测量蒸镀材料的膜厚及均一性，快速判断堵孔风险和位置，确保在生产过程中产品品质的同时提高产能及蒸镀材料利用率。
附图说明
[0036]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0037]图1示出本技术实施例的蒸镀装置的遮挡件处于非遮挡状态的结构示意图；
[0038]图2示出本技术实施例的蒸镀装置的遮挡件处于遮挡状态的结构示意图；
[0039]图3示出本技术实施例的蒸镀装置的截面示意图；
[0040]图4示出本技术另一个实施例的蒸镀系统的结构示意图。
具体实施方式
[0041]为了更清楚地说明本技术，下面结合实施例和附图对本技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。
[0042]当前实际蒸镀工艺的生产过程中，对于蒸镀的膜厚及均一性监控方式有以下几个问题：
①
无法实时监控；目前测量膜厚及均一性的方法是通过将材料蒸镀到具有特定测量点位的检测基板上(Key Glass)，然后通过椭偏仪测量得到膜厚及均一性，这种方法需要极长的等待时间，造成蒸镀材料的浪费，进而影响产能。
[0043]②
预判品质风险能力较差；随着生产时间的加长，蒸镀坩埚内部材料消耗不均、材料喷溅或喷嘴口(Nozzle口)堵塞都会引起蒸镀膜层均一性变差，按照当前的膜厚监控方式必须重新投入Key Glass，宕机状态下等待验证膜厚结果才能判断，一般来说，需要一个多小时才能输出结果，影响生产进程。
[0044]③
材料堵孔发现较慢；生产过程中Nozzle(喷嘴)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀装置，包括蒸镀腔室，其特征在于，所述蒸镀腔室包括放置待蒸镀基板的第一蒸镀腔室和位于所述第一蒸镀腔室外侧的第二蒸镀腔室，所述蒸镀装置包括：设置在所述第二蒸镀腔室的蒸镀源，包括：蒸镀坩埚和位于所述蒸镀坩埚上的多个喷嘴；设置在所述喷嘴远离蒸镀坩埚一侧的承载板，所述承载板与所述喷嘴具有预设距离，每一所述喷嘴出射的蒸镀材料在所述承载板上形成一个材料蒸镀区；设置在所述承载板靠近所述蒸镀源一侧表面的探测单元，所述探测单元用于感测所述材料蒸镀区的材料蒸镀状态，以生成对应于所述材料蒸镀区的喷嘴工作信息，以及与所述探测单元设置在所述承载板的同一侧的遮挡件，用于响应于输入的控制指令遮挡或者不遮挡所述探测单元。2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀源还包括具有内腔的壳体，所述蒸镀坩埚和所述喷嘴设置与所述内腔中，所述壳体靠近所述喷嘴一侧的顶壁设置有对应于所述喷嘴的开口。3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述开口为可调节开口，响应于输入至所述可调节开口的调节指令，所述开口的开口面积变化，以使得所述材料蒸镀区的面积变化。4.根据权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述承载板包括第一板体和第二板体，所述第一板体和所述第二板体具有预设夹角，形成覆盖所述材料蒸镀区的蒸镀遮挡区，其中，所述蒸镀遮挡区覆盖所述可调节开口的开口面积最大时对应的所述材料蒸镀区。5.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述探测单元包括多个沿第一方向排布的石英晶体微天平...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚志伟，宋裕斌，谢飞，刘远洋，田昊，朱彧，尚钰东，吴渊，高领伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：