微机电系统器件技术方案

本申请公开了一种微机电系统器件，其将MEMS裸片与CMOS裸片设于基底上，CMOS裸片上设有包含多个连接触点的第一触点组，MEMS裸片上设有与第一触点组中的连接触点对应连接的第二触点组，第一触点组中的连接触点包括第一接地触点、第一驱动触点以及若干个第一信号触点，第一触点组中的第一接地触点和/或第一驱动触点设置在邻近的第一信号触点之间，第二触点组中的连接触点包括第二接地触点、第二驱动触点以及若干个第二信号触点，第二触点组中的第二接地触点和/或第二驱动触点设置在邻近的第二信号触点之间。本申请通过将接地触点、驱动触点设置在若干个信号触点之间，能够有效降低信号触点之间的寄生电容。低信号触点之间的寄生电容。低信号触点之间的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
微机电系统器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种微机电系统器件。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)器件通常与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)结合使用，目前常见的此种结构是CMOS裸片形成在基底顶部，MEMS裸片形成在CMOS裸片顶部，且与CMOS裸片引线键合(Wire Bonding)，然而在MEMS裸片的触点之间、CMOS裸片的触点之间以及引线键合用的导线之间往往会产生较大的寄生电容，从而导致MEMS裸片与CMOS裸片传输的信号产生较大损耗，影响其准确性，这种情况需要改变。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种微机电系统器件，以提高MEMS裸片和CMOS裸片间的信号传输准确性。
[0004]为实现以上目的，采用的技术方案为：
[0005]一种微机电系统器件，其包括基底、MEMS裸片以及CMOS裸片，所述MEMS裸片与所述CMOS裸片设于所述基底上。所述CMOS裸片上设有包含多个连接触点的第一触点组，所述MEMS裸片上设有与所述第一触点组中的连接触点对应连接的第二触点组。所述第一触点组中的连接触点包括第一接地触点、第一驱动触点以及若干个第一信号触点，所述第一触点组中的第一接地触点和/或所述第一驱动触点设置在邻近的第一信号触点之间；所述第二触点组中的连接触点包括第二接地触点、第二驱动触点以及若干个第二信号触点，所述第二触点组中的第二接地触点和/或所述第二驱动触点设置在邻近的第二信号触点之间。
[0006]本申请进一步设置为：所述第一触点组或所述第二触点组中的连接触点以一方向线为基准排布。
[0007]本申请进一步设置为：所述第一触点组或所述第二触点组中的连接触点沿着所述方向线的延伸方向排列并布置在该方向线上，或者偏离所述方向线布置在所述方向线两侧。
[0008]本申请进一步设置为：所述第一触点组中连接触点的排布顺序和所述第二触点组中连接触点的排布顺序相同。
[0009]本申请进一步设置为：所述第一触点组中连接触点的排布方式和所述第二触点组中连接触点的排布方式相同。
[0010]本申请进一步设置为：所述第一触点组与所述第二触点组之间通过焊接或金属导线的方式连接。
[0011]本申请进一步设置为：所述第一触点组中的连接触点布置在所述CMOS裸片的外表面，所述第二触点组中的连接触点布置在所述MEMS裸片的外表面。
[0012]本申请进一步设置为：所述MEMS裸片与所述CMOS裸片堆叠设置，或者并列设置，又
或者交错设置。
[0013]本申请进一步设置为：所述MEMS裸片与所述CMOS裸片连接，所述微机电系统器件还包括驱动触点对、接地触点对和若干个信号触点对，所述驱动触点对和/或所述接地触点对位于邻近的信号触点对之间。
[0014]本申请进一步设置为：所述第一触点组中的连接触点在所述CMOS裸片上间隔排布，所述第二触点组中的连接触点在所述MEMS裸片上间隔排布。
[0015]综上所述，与现有技术相比，本申请公开了一种微机电系统器件，包括基底以及设于基地上的MEMS裸片以及CMOS裸片，MEMS裸片与CMOS裸片之间电耦合，CMOS裸片具有第一触点组，MEMS裸片上具有第二触点组。本申请通过将接地触点、驱动触点设置在若干个信号触点之间，能够有效降低信号触点之间的寄生电容，由此，能够减少对MEMS裸片与CMOS裸片传输的信号的损耗，使其准确性提高，从而使MEMS器件输出期望的信号，提高MEMS器件的性能。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1示出了本申请实施例所涉及的微机电系统器件的剖视图；
[0018]图2至图4分别示出了本申请不同实施例所涉及的微机电系统器件的结构示意图；
[0019]图5和图6分别示出了作为实验组的MEMS裸片与CMOS裸片的触点连接图；
[0020]图7A、图7B和图8分别示出了本申请不同实施例所涉及的MEMS裸片与CMOS裸片的触点连接图。
具体实施方式
[0021]这里将详细的对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0022]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性地包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
[0023]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0024]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或者“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或者“单元”可以
混合地使用。
[0025]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]以下将通过具体实施例对本申请所示的技术方案进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。
[0027]如
技术介绍
中所述，现有技术的微机电系统器件的MEMS裸片的触点之间、CMOS裸片的触点之间以及引线键合用的导线之间存在较大的寄生电容，从而导致MEMS裸片与CMOS裸片传输的信号产生较大损耗，影响了两裸片之间信号传输的准确性，基于此，本申请公开一种微机电系统器件。其中，MEMS器件可以包括MEMS传感器，例如但不限于谐振本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统器件，其特征在于，包括基底、MEMS裸片以及CMOS裸片，所述MEMS裸片与所述CMOS裸片设于所述基底上，所述CMOS裸片上设有包含多个连接触点的第一触点组，所述MEMS裸片上设有与所述第一触点组中的连接触点对应连接的第二触点组，所述第一触点组中的连接触点包括第一接地触点、第一驱动触点以及若干个第一信号触点，所述第一触点组中的第一接地触点和/或所述第一驱动触点设置在邻近的第一信号触点之间，所述第二触点组中的连接触点包括第二接地触点、第二驱动触点以及若干个第二信号触点，所述第二触点组中的第二接地触点和/或所述第二驱动触点设置在邻近的第二信号触点之间。2.如权利要求1所述的微机电系统器件，其特征在于，所述第一触点组或所述第二触点组中的连接触点以一方向线为基准排布。3.如权利要求2所述的微机电系统器件，其特征在于，所述第一触点组或所述第二触点组中的连接触点沿着所述方向线的延伸方向排列并布置在该方向线上，或者偏离所述方向线布置在所述方向线两侧。4.如权利要求2所述的微机电系统器件，其特征在于，所述第一触点组中连接触点的排布顺序和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷永庆，向兴林，
申请(专利权)人：麦斯塔微电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：