反相器电路制造技术

本公开的实施例提供一种反相器电路。该反相器电路包括：第一晶体管、第二晶体管、以及压控电阻电路。其中，第一晶体管的控制极耦接第二晶体管的控制极和输入电压端。第一晶体管的第一极耦接压控电阻电路。第一晶体管的第二极耦接第二晶体管的第二极和输出电压端。第二晶体管的第一极耦接第一电压端。压控电阻电路被配置为：根据来自输入电压端的输入电压来控制第一晶体管的第一极与第二电压端之间的电阻值。其中，电阻值与输入电压成反比。电阻值与输入电压成反比。电阻值与输入电压成反比。

【技术实现步骤摘要】
反相器电路


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及反相器电路。

技术介绍

[0002]反相器电路在集成电路中的应用十分广泛。反相器电路用于将高电平的信号翻转为低电平的信号，以及将低电平的信号翻转为高电平的信号。当反相器电路的输入电压达到翻转阈值时，反相器电路的输出电压被翻转。在一些应用场景下，希望反相器电路的翻转阈值能够稳定在期望的范围内，不受工艺、温度、电源电压等影响。

技术实现思路

[0003]本文中描述的实施例提供了一种反相器电路。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种反相器电路。该反相器电路包括：第一晶体管、第二晶体管、以及压控电阻电路。其中，第一晶体管的控制极耦接第二晶体管的控制极和输入电压端。第一晶体管的第一极耦接压控电阻电路。第一晶体管的第二极耦接第二晶体管的第二极和输出电压端。第二晶体管的第一极耦接第一电压端。压控电阻电路被配置为：根据来自输入电压端的输入电压来控制第一晶体管的第一极与第二电压端之间的电阻值。其中，电阻值与输入电压成反比。
[0005]在本公开的一些实施例中，第一晶体管是NMOS晶体管，第二晶体管是PMOS晶体管。
[0006]在本公开的一些实施例中，压控电阻电路包括：第三晶体管。其中，第三晶体管的控制极耦接输入电压端。第三晶体管的第一极耦接第二电压端。第三晶体管的第二极耦接第一晶体管的第一极。第三晶体管是NMOS晶体管且第三晶体管的阈值电压小于第一晶体管的阈值电压。
[0007]在本公开的一些实施例中，第三晶体管是N沟道增强型场效应管。
[0008]在本公开的一些实施例中，第二晶体管的第一极经由第一电流源耦接第一电压端。第一电流源被配置为：生成正温度系数电流，并向第二晶体管提供正温度系数电流。
[0009]在本公开的一些实施例中，第一电流源包括：第四晶体管至第八晶体管、运放和第一电阻器。第四晶体管的控制极耦接第五晶体管的控制极和运放的输出端。第四晶体管的第一极耦接第一电压端。第四晶体管的第二极耦接第七晶体管的第一极和运放的第一输入端。第五晶体管的第一极耦接第一电压端。第五晶体管的第二极耦接第一电阻器的第一端和运放的第二输入端。第六晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极。第六晶体管的第一极耦接第一电压端。第六晶体管的第二极耦接第二晶体管的第一极。第七晶体管的控制极耦接第七晶体管的第二极和第二电压端。第八晶体管的控制极耦接第八晶体管的第二极和第二电压端。第八晶体管的第一极耦接第一电阻器的第二端。
[0010]在本公开的一些实施例中，第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管是PMOS晶体管。第七晶体管和第八晶体管是PNP双极型晶体管。
[0011]在本公开的一些实施例中，第一电流源是共源共栅结构的电流源。
[0012]在本公开的一些实施例中，第一电流源包括：第四晶体管至第十一晶体管、运放和第一电阻器。第四晶体管的控制极耦接第五晶体管的控制极和运放的输出端。第四晶体管的第一极耦接第一电压端。第四晶体管的第二极耦接第九晶体管的第一极。第五晶体管的第一极耦接第一电压端。第五晶体管的第二极耦接第十晶体管的第一极。第六晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极。第六晶体管的第一极耦接第一电压端。第六晶体管的第二极耦接第十一晶体管的第一极。第七晶体管的控制极耦接第七晶体管的第二极和第二电压端。第七晶体管的第一极耦接运放的第一输入端和第九晶体管的第二极。第八晶体管的控制极耦接第八晶体管的第二极和第二电压端。第八晶体管的第一极耦接第一电阻器的第二端。第九晶体管的控制极耦接偏置电压端、第十晶体管的控制极和第十一晶体管的控制极。第十晶体管的第二极耦接运放的第二输入端和第一电阻器的第一端。第十一晶体管的第二极耦接第二晶体管的第一极。
[0013]在本公开的一些实施例中，第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管是PMOS晶体管。第七晶体管和第八晶体管是PNP双极型晶体管。
[0014]根据本公开的第二方面，提供了一种反相器电路。该反相器电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、以及第一电流源。其中，第一晶体管的控制极耦接第二晶体管的控制极和输入电压端。第一晶体管的第一极耦接第三晶体管的第二极。第一晶体管的第二极耦接第二晶体管的第二极和输出电压端。第二晶体管的第一极耦接第一电流源。第三晶体管的控制极耦接输入电压端。第三晶体管的第一极耦接第二电压端。第一电流源被配置为：生成正温度系数电流，并向第二晶体管提供正温度系数电流。其中，第一晶体管是NMOS晶体管。第二晶体管是PMOS晶体管。第三晶体管是N沟道增强型场效应管。第一电流源是共源共栅结构的电流源。
[0015]根据本公开的第三方面，提供了一种芯片。该芯片包括根据本公开的第一方面或第二方面所述的反相器电路。
[0016]根据本公开的第四方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括根据本公开的第三方面所述的芯片。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本公开的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制，其中：
[0018]图1是一种反相器电路的示例性电路图；
[0019]图2是根据本公开的实施例的反相器电路的示意性框图；
[0020]图3是根据本公开的实施例的反相器电路的示例性电路图；
[0021]图4是根据本公开的实施例的反相器电路的另一示例性电路图；
[0022]图5是图4中的第一电流源的示例性电路图；以及
[0023]图6是图4中的第一电流源的另一示例性电路图。
[0024]在附图中，最后两位数字相同的标记对应于相同的元素。需要注意的是，附图中的元素是示意性的，没有按比例绘制。
具体实施方式
[0025]为了使本公开的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本公开的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，也都属于本公开保护的范围。
[0026]除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的形式来解释，除非在此另外明确定义。如在此所使用的，将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。
[0027]在本公开的所有实施例中，由于金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源极和漏极是对称的，并且N型晶体管和P型晶体管的源极和漏极之间的导通电流方向相反，因此在本公开的实施例中，将MOS晶体管的受控中间端称为控制极，将MOS晶体管的其余两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反相器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、以及压控电阻电路，其中，所述第一晶体管的控制极耦接所述第二晶体管的控制极和输入电压端，所述第一晶体管的第一极耦接所述压控电阻电路，所述第一晶体管的第二极耦接所述第二晶体管的第二极和输出电压端；所述第二晶体管的第一极耦接第一电压端；所述压控电阻电路被配置为：根据来自所述输入电压端的输入电压来控制所述第一晶体管的第一极与第二电压端之间的电阻值，其中，所述电阻值与所述输入电压成反比。2.根据权利要求1所述的反相器电路，其中，所述第一晶体管是NMOS晶体管，所述第二晶体管是PMOS晶体管。3.根据权利要求2所述的反相器电路，其中，所述压控电阻电路包括：第三晶体管，其中，所述第三晶体管的控制极耦接所述输入电压端，所述第三晶体管的第一极耦接所述第二电压端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第一晶体管的第一极，所述第三晶体管是NMOS晶体管且所述第三晶体管的阈值电压小于所述第一晶体管的阈值电压。4.根据权利要求3所述的反相器电路，其中，所述第三晶体管是N沟道增强型场效应管。5.根据权利要求1至4中任一项所述的反相器电路，其中，所述第二晶体管的第一极经由第一电流源耦接所述第一电压端，所述第一电流源被配置为：生成正温度系数电流，并向所述第二晶体管提供所述正温度系数电流。6.根据权利要求5所述的反相器电路，其中，所述第一电流源包括：第四晶体管至第八晶体管、运放和第一电阻器，所述第四晶体管的控制极耦接第五晶体管的控制极和所述运放的输出端，所述第四晶体管的第一极耦接所述第一电压端，所述第四晶体管的第二极耦接第七晶体管的第一极和所述运放的第一输入端；所述第五晶体管的第一极耦接所述第一电压端，所述第五晶体管的第二极耦接所述第一电阻器的第一端和所述运放的第二输入端；第六晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的所述控制极，所述第六晶体管的第一极耦接所述第一电压端，所述第六晶体管的第二极耦接所述第二晶体管的第一极；所述第七晶体管的控制极耦接所述第七晶体管的第二极和所述第二电压端；所述第八晶体管的控制极耦接所述第八晶体管的第二极和所述第二电压端，所述第八晶体管的第一极耦接所述第一电阻器的第二端。7.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽鑫，刘松，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：