自偏置的差分发射器制造技术

技术编号:38664217 阅读:13 留言:0更新日期:2023-09-02 22:45
提供了一种自偏置的差分发射器。该发射器可包括由电源电压供电的差分输出驱动器,所述电源电压由差分信号接收器提供。输出驱动器可包括生成偏置电压的偏置电压发生器,以使输出驱动器中的一个或多个晶体管能够在超出被包括在差分发射器内的晶体管的安全工作电压范围的差分信号下进行操作。围的差分信号下进行操作。围的差分信号下进行操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自偏置的差分发射器


[0001]本公开总体上涉及差分发射器,并且更具体地涉及自偏置的差分发射器。

技术介绍

[0002]差分信号通常用于在电子设备之间发射和接收数据,因为它们是耐噪声的并且能够支持例如1GHz及以上的高信令传递(signaling)速度。一些差分信号可符合产业规范或标准。例如,除了其他示例之外,消费者电子协会/电子产业联盟(CEA/EIA)861标准所阐述的高分辨率媒体接口(HDMI)规范还定义差分信令传递率、电压电平、差分通道的数量和差分阻抗。因此,在某些多媒体应用中使用的差分信号可以在HDMI规范或标准所阐述的电压电平下被发射。
[0003]电子设备可使用集成电路来实现发射和接收差分信号(诸如HDMI信号)的接口。所述差分信号可具有要求集成电路使用特殊的耐压晶体管的电压电平,所述晶体管可不同于贯穿集成电路所使用的其他晶体管。这些耐压晶体管可能向集成电路增加成本和复杂性。在一些情况下,特殊的耐压晶体管在用于制作集成电路内的其他晶体管的设备工艺内可能是不可行的。因此,可能期望实现差分信号接口(包括差分信号发射器接口)而无需特殊的耐压晶体管。

技术实现思路

[0004]提供本
技术实现思路
以便以简化的形式介绍下面在具体实施方式中进一步描述的概念的选择。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不旨在限制所要求保护的主题的范围。
[0005]公开了一种差分输出驱动器。该输出驱动器可包括第一晶体管对以及多个晶体管。该第一晶体管对可被配置成接收差分输入信号,第一晶体管中的每个具有第一安全工作电压。所述多个晶体管可被耦合在第一晶体管对与所述差分输出驱动器的输出端子之间,所述多个晶体管被配置成经由所述输出端子接收电源电压并降低第一晶体管对的电源电压的电压电平,其中所述电源电压大于第一安全工作电压。
[0006]公开了一种偏置电压发生器。该偏置电压发生器可包括第一晶体管、第二晶体管和运算放大器。第一晶体管可被配置成接收第一共模电压并基于第一共模电压输出漏极电流。第二晶体管可被配置成接收来自第一晶体管的漏极电流,并基于该漏极电流输出第二共模电压。所述运算放大器可包括用于接收第二共模电压的反相输入端、用于接收参考电压的非反相输入端以及用于为第一和第二晶体管的基底提供体电压(bulk voltage)的输出端,其中所述体电压至少部分基于所述参考电压来控制通过第一和第二晶体管的第二共模电压。
附图说明
[0007]本实施例通过示例的方式而被说明,并且不旨在受附图中的图限制。
[0008]图1示出根据一些实现方式的示例媒体系统。
[0009]图2示出示例HDMI系统的简化示意图。
[0010]图3示出偏置电压发生器的简化示意图。
[0011]图4是可变电阻器的框图。
[0012]图5是可切换电阻器的简化示意图。
具体实施方式
[0013]在以下描述中,阐述了许多具体细节(诸如具体部件、电路和进程的示例),以提供对本公开的透彻理解。如本文所使用的术语“耦合”意指直接连接到或通过一个或多个中间部件或电路来连接。术语“电子系统”和“电子设备”可以可互换地被使用,以指代能够以电子方式处理信息的任何系统。另外,在下面的描述中并且为了解释的目的,阐述了具体的术语,以提供对本公开的方面的透彻理解。然而,对本领域的技术人员将显而易见的是,可不要求这些具体的细节来实现示例实现方式。在其他实例中,公知的电路和设备以框图形式被示出,以避免模糊本公开。接下来的详细描述的一些部分在过程、逻辑块、处理和对计算机存储器内的数据位的操作的其他符号表示方面被呈现。
[0014]这些描述和表示是数据处理领域中的技术人员用来向本领域的其他技术人员最有效地传达其工作的实质的手段。在本公开中,过程、逻辑块、进程或类似物被设想成导致期望的结果的指令或步骤的自洽序列。所述步骤是要求对物理量的物理操纵的那些步骤。通常,尽管不一定,这些量采取在计算机系统中能够被存储、传递、组合、比较和以其他方式被操纵的电或磁信号的形式。然而,应该记住,这些和类似术语的全部将与适当的物理量相关联,并且仅仅是被应用于这些量的方便标签。
[0015]除非另有特别说明(如从以下讨论中显而易见的那样),否则要领会到贯穿本公开,利用诸如“访问”、“接收”、“发送”、“使用”、“选择”、“确定”、“归一化”、“相乘”、“平均化”、“监测”、“比较”、“应用”、“更新”、“测量”、“推导”或类似物的术语的讨论指的是计算机系统或类似的电子计算设备的动作和进程,其操纵在计算机系统的寄存器和存储器内被表示为物理(电子)量的数据并且将所述数据转化成在计算机系统存储器或寄存器或其他此类信息存储、发射或显示设备内类似地被表示为物理量的其他数据。
[0016]在图中,单个块可被描述为执行一个或多个功能;然而,在实际实践中,由那个块执行的所述一个或多个功能可在单个部件中或跨多个部件而被执行,并且/或者可使用硬件、使用软件或使用硬件和软件的组合来被执行。为了清楚地说明硬件和软件的这种可互换性,下面已经在其功能性方面总体描述了各种说明性的部件、块、模块、电路和步骤。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于特定应用及强加于整个系统的设计约束。所属领域的技术人员可针对每个特定应用以不同方式来实现所描述的功能性,但此类实现方式决策不应被解释为导致脱离本公开的范围。此外,示例输入设备可包括除了所示出的那些部件之外的部件,包括公知的部件,诸如处理器、存储器和类似物。
[0017]本文描述的技术可在硬件、软件、固件或其任何组合中被实现,除非被特别描述为以特定方式而被实现。被描述为模块或部件的任何特征还可在集成逻辑设备中一起被实现,或者被分别实现为分立但可互操作的逻辑设备。如果在软件中被实现,则所述技术可至少部分地由包括指令的非暂态处理器可读存储介质来实现,所述指令在被执行时执行以上
所描述的方法中的一个或多个。所述非暂态处理器可读数据存储介质可形成计算机程序产品的部分,所述计算机程序产品可包括封装材料。
[0018]各种实现方式一般涉及差分信令传递。一些实现方式更具体地涉及被包括在集成电路中的差分信号发射器。在一个实现方式中,差分信号发射器可包括接收一个或多个偏置电压的多个晶体管,所述一个或多个偏置电压使所述多个晶体管能够经受否则将损坏晶体管的电压。差分信号发射器可从差分信号接收器接收电源电力(supply power)。在另一个实现方式中,差分信号发射器可包括偏置电压发生器,所述偏置电压发生器从所述差分信号接收器接收电源电力并为所述差分信号发射器的所述多个晶体管生成偏置电压。
[0019]本公开中描述的主题的特定实现方式能够被实现以实现以下潜在优势中的一个或多个。在一些实现方式中,所描述的技术能够用于使晶体管在具有可能损坏所述晶体管的电压电平的差分信号下进行操作,由此减少或消除在差分信号接口中使用特殊耐压设备的需要,并降低相关联的集成电路的成本和复杂性。
[0020]图1示出根据一些本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种差分输出驱动器,其包括:第一晶体管对,所述第一晶体管对被配置成接收差分输入信号,所述第一晶体管中的每个具有第一安全工作电压范围;以及多个晶体管,所述多个晶体管被耦合在所述第一晶体管对与所述差分输出驱动器的输出端子之间,所述多个晶体管被配置成经由所述输出端子接收电源电压并降低所述第一晶体管对的所述电源电压的电压电平,其中所述电源电压大于所述第一安全工作电压范围。2.根据权利要求1所述的差分输出驱动器,其中所述第一晶体管对在超过所述第一安全工作电压范围的电压下被操作时承受损坏。3.根据权利要求1所述的差分输出驱动器,其中所述多个晶体管包括第二晶体管对,所述第二晶体管对被配置成从所述第一晶体管对接收第一中间差分输出信号并生成第二中间差分输出信号,所述第二晶体管中的每个具有与所述第一安全工作电压范围有所不同的第二安全工作电压范围。4.根据权利要求3所述的差分输出驱动器,其中所述第二安全工作电压范围是所述第一安全工作电压范围的两倍。5.根据权利要求3所述的差分输出驱动器,其中所述电源电压大于所述第一和第二安全工作电压范围。6.根据权利要求3所述的差分输出驱动器,其中所述多个晶体管包括第三晶体管对,所述第三晶体管对被配置成接收所述第二中间差分输出信号并生成被提供到所述输出端子的差分输出信号。7.根据权利要求6所述的差分输出驱动器,其中所述第三晶体管对被配置成从差分信号接收器接收所述电源电压。8.根据权利要求6所述的差分输出驱动器,进一步包括偏置电压发生器,所述电压发生器配置成向所述第二晶体管对提供第一偏置电压和向所述第三晶体管对提供第二偏置电压,其中所述第二偏置电压大于所述第一偏置电压。9.根据权利要求8所述的差分输出驱动器,其中所述偏置电压发生器被配置成向所述第二和第三晶体管对的基底提供非零电压。10.根据权利要求6所述的差分输出驱动器,其中所述差分输出信号是由所述第三晶体管对的漏极提供的。11.根据权利要求6所述的差分输出驱动器,进一步包括被耦合在所述输出端子之间的可变终端电阻器。12.根据权利要求11所述的差分输出驱动器,其中所述可变终端电阻器包括:第一电阻器,所述第一电阻器包括被耦合到所述第三晶体管对的第一漏极的第一端子和耦合到第四晶体管对的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:SJ
申请(专利权)人:辛纳普蒂克斯公司
类型:发明
国别省市:

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