半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构，包括：基底结构，基底结构包括源极、漏极和沟道区；栅极结构，位于基底结构上；源极和漏极分别位于栅极结构的两侧，沟道区位于栅极结构的下方；基底结构还包括第一应力层，第一应力层至少位于源极与沟道区之间或至少位于漏极与沟道区之间；其中，至少部分第一应力层位于栅极结构下方；第一应力层的上部和第一应力层的下部对沟道区的应力方向相反。方向相反。方向相反。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的微型化、高密度化、高集成度化，存储器尺寸的不断缩小，半导体器件中的晶体管特征尺寸缩小到纳米尺度后，晶体管的功耗密度、迁移率等到达物理极限，对提高晶体管的性能带来了更大的挑战。相关技术中的晶体管受限于功耗密度、传输速度等物理极限，难以降低晶体管的功耗、提高晶体管的传输速度等。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种半导体结构及其制造方法。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：基底结构，基底结构包括源极、漏极和沟道区；栅极结构，位于基底结构上；源极和漏极分别位于栅极结构的两侧，沟道区位于栅极结构的下方；基底结构还包括第一应力层，第一应力层至少位于源极与沟道区之间或至少位于漏极与沟道区之间；其中，至少部分第一应力层位于栅极结构下方；第一应力层的上部和第一应力层的下部对沟道区的应力方向相反。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底结构，所述基底结构包括源极、漏极和沟道区；栅极结构，位于所述基底结构上；所述源极和所述漏极分别位于所述栅极结构的两侧，所述沟道区位于所述栅极结构的下方；所述基底结构还包括第一应力层，所述第一应力层至少位于所述源极与沟道区之间或至少位于所述漏极与所述沟道区之间；其中，至少部分所述第一应力层位于所述栅极结构下方；所述第一应力层的上部和所述第一应力层的下部对所述沟道区的应力方向相反。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道区包括P型掺杂剂；所述第一应力层的上部对所述沟道区的应力为拉伸应力；所述第一应力层的下部对所述沟道区的应力为压缩应力；或者，所述沟道区包括N型掺杂剂；所述第一应力层的上部对所述沟道区的应力为压缩应力；所述第一应力层的下部对所述沟道区的应力为拉伸应力。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道区包括P型掺杂剂时，所述第一应力层的上部包含的元素的平均晶格常数小于所述沟道区包含的元素的平均晶格常数；所述第一应力层的下部包含的元素的平均晶格常数大于所述沟道区包含的元素的平均晶格常数。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一应力层的上部包含第一元素；所述第一元素的晶格常数小于所述沟道区的主要元素的晶格常数；所述第一应力层的下部包含第二元素；所述第二元素的晶格常数大于所述沟道区的主要元素的晶格常数；其中，在所述第一应力层的上部指向所述第一应力层的下部的方向上，所述第一元素的原子百分比呈梯度递减分布，所述第二元素的原子百分比呈梯度递增分布；或者，所述第一元素的原子百分比呈先增后减分布，所述第二元素的原子百分比呈先增后减分布。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道区包括N型掺杂剂时，所述第一应力层的上部包含的元素的平均晶格常数大于所述沟道区包含的元素的平均晶格常数；所述第一应力层的下部包含的元素的平均晶格常数小于所述沟道区包含的元素的平均晶格常数。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一应力层的上部包含第二元素；所述第二元素的晶格常数大于所述沟道区的主要元素的晶格常数；所述第一应力层的下部包含第一元素；所述第一元素的晶格常数小于所述沟道区的主要元素的晶格常数；其中，在所述第一应力层的上部指向所述第一应力层的下部的方向上，所述第二元素的原子百分比呈梯度递减分布，所述第一元素的原子百分比呈梯度递增分布；或者，所述第一元素的原子百分比呈先增后减分布，所述第二元素的原子百分比呈先增后减分布。7.根据权利要求4或6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一元素包括碳，所述第二元素包括锗，所述沟道区的主要元素包括硅。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张书浩，汪恒，杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：