一种SOIMOSFET结构制造技术

本发明专利技术提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明专利技术设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。避免了漏电极电流的减小。避免了漏电极电流的减小。

【技术实现步骤摘要】
一种SOI MOSFET结构


[0001]本专利技术涉及集成电路芯片电子器件
，特别涉及一种SOI MOSFET结构。

技术介绍

[0002]随着器件尺寸的减小，集成电路越来越小型化，现有的传统CMOS技术正在接近其物理极限，已无法满足超大规模集成电路高性能要求。SOI MOSFET(Silicon
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On
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Insulator Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)是一种基于绝缘体硅(Silicon
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On
‑
Insulator,SOI)技术制备的MOSFET器件，其源、漏区域与基底之间加入一层绝缘层，形成类似于三明治的全介质隔离，能够克服体硅材料的不足，最大程度的发挥硅集成电路存在的潜力。SOI MOSFET相对于传统的传统MOSFET具有更好的抗辐射、降低漏电流、降低功耗等特点，在超大规模集成电路(VLSI)中有广泛的应用。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SOIMOSFET结构，其特征在于，包括：衬底层；埋氧层，设置于所述衬底层的上表面，所述埋氧层的材质为SiO2；活性区，设置于所述埋氧层的上表面；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置于所述活性区的上表面，且所述源电极与所述漏电极之间具有间隔；栅介质层，设置于所述活性区的上表面，所述栅介质层的一端与所述源电极连接，所述栅介质层的另一端与所述漏电极连接；栅电极，设置于所述栅介质层内，所述栅电极与所述源电极及所述漏电极均未接触；及导热柱，贯穿所述埋氧层，所述导热柱的顶壁与所述活性区接触，所述导热柱的底壁延伸至所述衬底层内；所述栅电极为长方体状，所述栅电极底端靠近所述漏电极的一侧具有缺口，所述缺口贯穿所述栅电极。2.如权利要求1所述的SOI MOSFET结构，其特征在于，所述导热柱的材质为III
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V族化合物半导体。3.如权利要求2所述的SOI MOSFET结构，其特征在于，所述导热柱的材质为SiC、GaN、InN或AlN。4.如权利要求1所述的SOI MOSFET结构，其特征在于，所述导热柱的两端贯穿所述埋氧层，且所述导热柱的两端伸出所述埋氧层。5.如权利要求1所述的SOI MOSFET结构，其特征在于，所述导热柱的中心轴线位于所述栅电极靠近所述漏电极的侧壁的正下方，所述导热柱的中心轴线与所述栅电极靠近所述漏电极的侧壁在一条垂直线上...

【专利技术属性】
技术研发人员：任信钢，琚胡平，智薇，黄志祥，王刚，牛凯坤，王思亮，李迎松，吴先良，曹孙根，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：