半导体装置制造方法及图纸

实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体部、导电体、以及控制电极。第二电极在第一方向上与第一电极分离地设置。半导体部位于第一电极与第二电极之间，并包含第一导电型的第一半导体层以及设于第一半导体层与第一电极之间的第二导电型的第二半导体层。导电体设于半导体部内，通过第一绝缘膜与半导体部电绝缘，并隔着第一绝缘膜与第一半导体层相对。控制电极与导电体分离，并包含第一部分以及第二部分。控制电极的第一部分设于第二半导体层与第一电极之间，并隔着第二绝缘膜与第二半导体层相对。第二部分在与第一方向正交的第二方向上，隔着第二绝缘膜而与第二半导体层相对，并与第一部分相连。并与第一部分相连。并与第一部分相连。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请以日本专利申请2022－29794号(申请日：2022年2月28日)为基础申请而享受优先权。本申请通过参照该基础申请参而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]电力控制所使用的半导体装置要求导通电阻的减少以及开关特性的提高。

技术实现思路

[0005]实施方式提供使开关特性提高的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体部、导电体、以及控制电极。所述第二电极在第一方向上与所述第一电极分离地设置。所述半导体部位于所述第一电极与所述第二电极之间，并包含第一导电型的第一半导体层以及设于所述第一半导体层与所述第一电极之间的第二导电型的第二半导体层。所述导电体设于所述半导体部内，通过第一绝缘膜与所述半导体部电绝缘，并隔着所述第一绝缘膜与所述第一半导体层相对。所述控制电极与所述导电体分离，并具有第一部分以及第二部分。所述控制电极的第一部分设于所述第二半导体层与所述第一电极之间，并隔着第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极，在第一方向上与所述第一电极分离地设置；半导体部，位于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一导电型的第一半导体层以及设于所述第一半导体层与所述第一电极之间的第二导电型的第二半导体层；导电体，设于所述半导体部内，通过第一绝缘膜而与所述半导体部电绝缘，并隔着所述第一绝缘膜而与所述第一半导体层相对；以及控制电极，具有第一部分以及第二部分，与所述导电体分离，所述第一部分设于所述第二半导体层与所述第一电极之间，隔着第二绝缘膜而与所述第二半导体层相对，所述第二部分在与所述第一方向正交的第二方向上，隔着所述第二绝缘膜而与所述第二半导体层相对，并与所述第一部分相连。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体部还包含局部设于所述第二半导体层上的所述第一导电型的第三半导体层，所述第三半导体层包含隔着所述第二绝缘膜而与所述控制电极的所述第一部分相对的区域。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第三半导体层包含浓度比所述第一半导体层的第一导电型杂质的浓度高的第一导电型杂质。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一电极与所述第二半导体层以及所述第三半导体层电连接，所述控制电极以及所述导电体通过第三绝缘膜而与所述第一电极电绝缘。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述第一方向上，所述第二半导体层的沿着第二绝缘膜的第一宽度比第二距离小，所述第二距离是从所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界到所述第二绝缘膜与所述第三半导体层的边界的距离。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，从所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界到所述控制电极的所述第一部分的所述第一方向的距离，在隔着所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：可知刚，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：