一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底中，且浅槽隔离结构将衬底划分为多个有源区，有源区包括第一类工作区和第二类工作区，其中第一类工作区的宽度大于第二类工作区的宽度；轻掺杂区，设置在有源区中，轻掺杂区包括受主离子或施主离子；以及防扩散区，设置在轻掺杂区中且位于轻掺杂区的边缘，防扩散区连接于浅槽隔离结构，其中位于第一类工作区的防扩散区具有第一宽度，位于第二类工作区的防扩散区具有第二宽度；其中，当轻掺杂区掺杂受主离子，第一宽度小于第二宽度，当第一类工作区和第二类工作区掺杂施主离子，第一宽度大于第二宽度。本发明专利技术能够提升半导体器件的制造良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]集成电路的功能越发复杂，晶体管越来越多，密度越来越大，因此芯片的沟道越来越小。其中沟道（channel）是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层，电流在沟道中的流动受到栅极的控制。在沟道长度变小的同时，晶体管开关的速度越快。沟道参数对器件性能影响较大。
[0003]在半导体器件中，不同宽度的沟道之间易出现阈值电压不匹配的问题，这会影响半导体器件的制造良率，并导致半导体器件的噪声容限降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以提升半导体器件的噪声容限并提升半导体器件的制造良率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种半导体器件，至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在所述衬底中，且所述浅槽隔离结构将所述衬底划分为多个有源区，所述有源区包括第一类工作区和第二类工作区，其中第一类工作区的宽度大于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在所述衬底中，且所述浅槽隔离结构将所述衬底划分为多个有源区，所述有源区包括第一类工作区和第二类工作区，其中第一类工作区的宽度大于所述第二类工作区的宽度；轻掺杂区，设置在所述有源区中，所述轻掺杂区包括受主离子或施主离子；以及防扩散区，设置在所述轻掺杂区中且位于所述轻掺杂区的边缘，所述防扩散区连接于所述浅槽隔离结构，其中位于所述第一类工作区的所述防扩散区具有第一宽度，位于所述第二类工作区的所述防扩散区具有第二宽度；其中，当所述轻掺杂区掺杂所述受主离子，所述第一宽度小于所述第二宽度，当第一类工作区和所述第二类工作区掺杂所述施主离子，所述第一宽度大于所述第二宽度。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括隔离氧化层，所述隔离氧化层设置在所述第一类工作区和所述第二类工作区中，且所述隔离氧化层连接于所述浅槽隔离结构的侧壁。3.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于，所述隔离氧化层在所述衬底中的深度大于所述轻掺杂区的深度。4.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，在形成所述轻掺杂区和所述防扩散区前，所述浅槽隔离结构上设置光阻图案，所述光阻图案与所述第一类工作区的边缘间具有第一距离，所述光阻图案与所述第二类工作区的边缘件间具有第二距离。5.根据权利要求4所述的一种半导体器件，其特征在于，当所述第一类工作区和所述第二类工作区包括受主离子，所述第一距离小于所述第二距离，当所述第一类工作区和所述第二类工作区包括施主离子，所述第一距离大于所述第二距离。6.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：