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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底中，且浅槽隔离结构将衬底划分为多个有源区，有源区包括第一类工作区和第二类工作区，其中第一类工作区的宽度大于第二类工作区的宽度；轻掺杂区，设置在有源区中...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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