一种无尘镊子及其制作方法技术

本发明专利技术涉及镊子技术领域，公开了一种无尘镊子及其制作方法，通过对镊子进行离子束刻蚀，以清洁镊子表面，再以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层作为过渡，最后在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层，从而避免现有技术中的镊子容易产生碎屑而导致污染的问题。术中的镊子容易产生碎屑而导致污染的问题。术中的镊子容易产生碎屑而导致污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种无尘镊子及其制作方法


[0001]本专利技术涉及镊子
，特别是涉及一种无尘镊子及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体行业中，会对无尘度有较高的要求，产品需要在无尘环境中加工，并要求每个生产环节中严格控制粉尘的数目。通常在生产作业中的手工环节最容易出现灰粉尘度高的问题，经调查，手工夹具，特别是镊子的使用会造成粉尘增加，使得每平方米有2
‑
3粒粉尘的标准级别，增加到10粒粉尘，从而影响半导体元件的后续的使用。目前，在镊子在制作过程中，通常要考虑采用软的防静电材料，即硬度至少要低于半导体材料本身，目的是避免刮伤半导体产品，但此类材料通常容易产生碎屑，从而造成污染。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种无尘镊子的制作方法，其能够避免镊子产生碎屑而导致污染的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种无尘镊子的制作方法，其包括：
[0005]对镊子进行离子束刻蚀；
[0006]以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层；
[0007]在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层。
[0008]作为优选方案，所述对镊子进行离子束刻蚀，具体包括：
[0009]采用氩等离子体、氩氧混合气体和氩乙烷混合气体中的其中一种对镊子进行离子束刻蚀。
[0010]作为优选方案，所述以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层，具体包括：
[0011]在真空室中通入Ar，以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上沉积硅层，Ar流量为120
‑
180sccm，真空度为2.0
×
10
‑2Pa，离子源功率为2.0～2.5kW，工件负偏压为100V～150V，溅射靶功率为1.8～2.5kW。
[0012]作为优选方案，沉积所述硅层的沉积速率为1.5～2.5埃/秒，沉积时间为10～15min。
[0013]作为优选方案，所述在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层，具体包括：
[0014]在真空室中通入Ar和CH4，在形成所述硅层后的镊子上沉积DLC层，Ar流量为120
‑
180sccm，CH4流量为80
‑
120sccm，真空度为2
×
10
‑1Pa，离子源功率为2.5～3.0kW，工件负偏压为150V。
[0015]作为优选方案，沉积所述DLC层的沉积时间为40min。
[0016]作为优选方案，在所述在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层之前，还包括：
[0017]在所述硅层远离所述镊子的一面形成多个孔。
[0018]作为优选方案，所述孔为通孔或盲孔。
[0019]为了解决相同的技术问题，本专利技术实施例还提供一种采用所述的无尘镊子的制作
方法制成的无尘镊子，所述无尘镊子包括镊子、硅层和DLC层，所述硅层设于所述DLC层和所述镊子之间。
[0020]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种无尘镊子及其制作方法，通过对镊子进行离子束刻蚀，以清洁镊子表面，再以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层作为过渡，最后在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层，从而避免现有技术中的镊子容易产生碎屑而导致污染的问题。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施例的无尘镊子的制作方法的流程图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]请参阅图1所示，其是本专利技术实施例的无尘镊子的制作方法的流程图。
[0024]本专利技术实施例的无尘镊子的制作方法，其包括：
[0025]步骤S101，对镊子进行离子束刻蚀；
[0026]步骤S102，以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层；
[0027]步骤S103，在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层。
[0028]在本专利技术实施例中，通过对镊子进行离子束刻蚀，以清洁镊子表面，再以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层作为过渡，最后在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层，从而避免现有技术中的镊子容易产生碎屑而导致污染的问题。
[0029]在一种可选的实施方式中，所述步骤S101“对镊子进行离子束刻蚀”，具体包括：
[0030]采用氩等离子体、氩氧混合气体和氩乙烷混合气体中的其中一种对镊子进行离子束刻蚀。
[0031]在本实施例中，通过离子束刻蚀镊子，是为了使镊子表面更清洁，有利于获得较佳的沉积过程。
[0032]在一种可选的实施方式中，所述步骤S102“以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层”，具体包括：
[0033]在真空室中通入Ar，以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上沉积硅层，Ar流量为120
‑
180sccm，例如可以是120sccm、125sccm、130sccm、135sccm、140sccm、145sccm、150sccm、155sccm、160sccm、165sccm、170sccm、175sccm、180sccm等，当然，Ar的流量还可以根据实际要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。真空度为2.0
×
10
‑2Pa，离子源功率为2.0～2.5kW，工件负偏压为100V～150V，溅射靶功率为1.8～2.5kW。沉积所述硅层的沉积速率为1.5～2.5埃/秒，沉积时间为10～15min。
[0034]在一种可选的实施方式中，所述步骤S103“在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层”，具体包括：
[0035]在真空室中通入Ar和CH4，在形成所述硅层后的镊子上沉积DLC层，Ar流量为120
‑
180sccm，例如可以是120sccm、125sccm、130sccm、135sccm、140sccm、145sccm、150sccm、155sccm、160sccm、165sccm、170sccm、175sccm、180sccm等，当然，Ar的流量还可以根据实际要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。CH4流量为80
‑
120sccm，例如可以是80sccm、85sccm、90sccm、95sccm、100sccm、105sccm、110sccm、115sccm、120sccm、125sccm、130sccm等，当然，CH4的流量还可以根据实际要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。真空度为2
×
10
‑1Pa，离子源功率为2.5～3.0kW，工件负偏压为150V。沉积所述DLC层的沉积时间为40min。
[0036]在本专利技术实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无尘镊子的制作方法，其特征在于，包括：对镊子进行离子束刻蚀；以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层；在形成所述硅层后的镊子上形成DLC层。2.如权利要求1所述的无尘镊子的制作方法，其特征在于，所述对镊子进行离子束刻蚀，具体包括：采用氩等离子体、氩氧混合气体和氩乙烷混合气体中的其中一种对镊子进行离子束刻蚀。3.如权利要求1所述的无尘镊子的制作方法，其特征在于，所述以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上形成硅层，具体包括：在真空室中通入Ar，以硅靶为靶材，通过溅射在所述镊子上沉积硅层，Ar流量为120
‑
180sccm，真空度为2.0
×
10
‑2Pa，离子源功率为2.0～2.5kW，工件负偏压为100V～150V，溅射靶功率为1.8～2.5kW。4.如权利要求3所述的无尘镊子的制作方法，其特征在于，沉积所述硅层的沉积速率为1.5～2.5埃/秒，沉积时间为10～15min。5.如权利要求1所述的无尘镊子的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖宝军，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：