本发明专利技术提出一种引晶功率的确定方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；基于工况特征向量与引晶功率之间的映射关系，构建单晶硅对应的引晶功率计算模型；将单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率，由此，基于单晶硅生产过程中的历史数据样本建立的引晶功率计算模型，实现单晶硅生产过程中的实时引晶功率的精准确定，避免人工不合理修正，提高单晶硅的成晶率和产能。高单晶硅的成晶率和产能。高单晶硅的成晶率和产能。
【技术实现步骤摘要】
引晶功率的确定方法及装置
[0001]本专利技术涉及单晶硅生产
，尤其涉及一种引晶功率的确定方法及装置。
技术介绍
[0002]硅是目前最常见、应用最广的新型材料之一，在单晶硅的生产工艺中，引晶功率是控制拉晶过程的一个重要参数。由于设备炉型、热场存在差异，且热场在使用过程中存在性能衰减、损耗、换件等，而人工修正引晶功率受限于经验，且需考虑因素过多，难以根据每台的设备情况进行引晶功率的精准修正。当所确定的引晶功率不合理时，即使可以正常完成引晶，但进入放肩后，引晶功率偏差造成放肩过程直径增长速度不一致，也容易导致放肩扩断或者等径断苞。
[0003]相关技术中，人工修正引晶功率没有成体系的标准，主观经验影响大，考虑因素复杂，修正值难以精准，不能保证不同炉台、炉次、根次间修正法的统一，不利于提升各拉晶工序的拉速、晶体形状、温度的一致性，对产量也有着负面影响，故亟需一种更可靠的引晶功率的确定方法。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0005]为此，本专利技术的第一个目的在于提出一种引晶功率的确定方法，基于单晶硅生产过程中的历史数据样本建立的引晶功率计算模型，实现单晶硅生产过程中的实时引晶功率的精准确定，避免人工不合理修正，提高单晶硅对应的成晶率和产能。
[0006]本专利技术的第二个目的在于提出一种引晶功率的确定装置。
[0007]本专利技术的第三个目的在于提出一种电子设备。
[0008]本专利技术的第四个目的在于提出一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质。
[0009]本专利技术的第五个目的在于提出一种计算机程序产品。
[0010]为达上述目的，本专利技术第一方面实施例提出了一种引晶功率的确定方法，包括：
[0011]获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，所述历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；
[0012]基于所述工况特征向量与所述引晶功率之间的映射关系，构建所述单晶硅对应的引晶功率计算模型；
[0013]将所述单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到所述引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率。
[0014]为达上述目的，本专利技术第二方面实施例提出了一种引晶功率的确定装置，包括：
[0015]获取模块，用于获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，所述历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；
[0016]构建模块，用于基于所述工况特征向量与所述引晶功率之间的映射关系，构建所
述单晶硅对应的引晶功率计算模型；
[0017]预测模块，用于将所述单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到所述引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率。
[0018]为达上述目的，本专利技术第三方面实施例提出了一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行第一方面所述的方法。
[0019]为了实现上述目的，本专利技术第四方面实施例提出了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，计算机指令用于使所述计算机执行第一方面所述的方法。
[0020]为了实现上述目的，本专利技术第五方面实施例提出了一种计算机程序产品，计算机程序在被处理器执行时实现第一方面所述的方法。
[0021]本专利技术实施例提供的引晶功率的确定方法、装置、电子设备、存储介质和计算机程序，获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；基于工况特征向量与引晶功率之间的映射关系，构建单晶硅对应的引晶功率计算模型；将单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率，由此，基于单晶硅生产过程中的历史数据样本建立的引晶功率计算模型，实现单晶硅生产过程中的实时引晶功率的精准确定，避免人工不合理修正，提高单晶硅的成晶率和产能。
[0022]本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0023]本专利技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0024]图1为本专利技术实施例所提供的一种引晶功率的确定方法的流程示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例所提供的一种非首次引晶功率的确定方法的流程示意图；
[0026]图3为本专利技术实施例所提供的一种首次引晶功率的确定方法的流程示意图；
[0027]图4为本专利技术实施例所提供的另一种引晶功率的确定方法的流程示意图；
[0028]图5为本专利技术实施例提供的一种引晶功率的确定装置的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]其中，需要说明的是，本专利技术技术方案中对数据的获取、存储、使用、处理等均符合国家法律法规的相关规定。
[0031]下面参考附图描述本专利技术实施例的引晶功率的确定方法和装置。
[0032]图1为本专利技术实施例所提供的一种引晶功率的确定方法的流程示意图。
[0033]如图1所示，该方法包括以下步骤：
[0034]步骤101，获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率。
[0035]可选地，单晶硅生产过程中的历史数据样本可以是在直拉单晶炉中通过直拉法生成出来的单晶硅棒过程中产生的拉晶数据，并经过一些数据预处理后得到，但不仅限于此。
[0036]具体地，可以设定预设采样周期，采集大批量直拉单晶炉中通过直拉法生产过程中的历史后台数据，并对其进行去重复记录、剔除异常工艺参数、线性插补缺失工艺参数等操作以提升数据质量，并依照单晶硅生产过程中工艺模式切换，从历史后台数据中提取熔接—引晶—引断、熔接—引晶—放肩—扩断、熔接—引晶—放肩—转肩—扩断、熔接—引晶—放肩—转肩—等径等情形下的单根次拉晶数据，并基于拉晶数据中的拉晶反馈信息，对每根次的拉晶数据进行筛选，以得到单晶硅生产过程中的历史数据样本。
[0037]可选地，与引晶功率相关的工况特征向量可以包括但不限于单晶炉的锅位、装料量，该实施例对此不做具体限定。
[0038]可选地，在工况特征向量为单晶炉的锅位、液口距的情况下，不同的锅位、液口距对应的引晶功率不同，并依次记录不同工况特征向量对应的引晶功率。
[0039]步骤本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种引晶功率的确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，所述历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；基于所述工况特征向量与所述引晶功率之间的映射关系，构建所述单晶硅对应的引晶功率计算模型；将所述单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到所述引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率。2.根据权利要求1所述的方法，所述获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，包括：获取所述单晶硅生产过程中的历史拉晶数据，其中，所述历史拉晶数据包括与引晶功率相关的初始工况特征向量、不同初始工况特征向量下的初始引晶功率、和拉晶反馈信息；基于所述拉晶反馈信息，构建引晶功率评价体系；基于所述引晶功率评价体系，对所述初始工况特征向量、初始引晶功率进行筛选，以筛选出满足预设评价标准的引晶功率，以及所述引晶功率对应的工况特征向量，并将所述引晶功率和所述工况特征向量作为历史数据样本，其中，所述预设评价标准是基于所述拉晶反馈信息对所述初始引晶功率进行评价的分值确定的。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获取预设的第一时间周期，并基于所述第一时间周期内单晶硅生产过程中对应的实时工况特征向量、实时引晶功率以及实时拉晶反馈信息对所述引晶功率计算模型进行迭代优化，以得到优化后的实时引晶功率计算模型。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述单晶硅对应的单晶炉当前炉次首次拉晶时，获取单晶炉各炉次中的历史数据样本，并记录所述历史数据样本中评价最佳引晶功率与所述单晶炉首次引晶功率的修正量及对应加热时长；统计不同加热时长区间内的平均引晶功率修正量，以得到平均加热时长与平均引晶功率修正量，并将所述平均加热时长与平均引晶功率修正量进行函数拟合，以得到所述单晶炉同一炉次下加热时长与引晶功率修正量间的数学关系；基于单晶炉当前炉次前上一目标炉次中的评价最佳引晶功率、加热时长以及所述数学关系，反推得到目标炉次首次拉晶的候选引晶功率，并延用其作为单晶炉当前炉次下首次拉晶的目标引晶功率。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：基于以目标引晶功率开始生产单晶硅时所述单晶炉当前炉次下对应的目标拉晶数据，对所述数学关系进行迭代优化，以得到优化后的目标数学关系。6.一种引晶功率的确定装置，其特征在于，所述装置包括：获取模块，用于获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，所述历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；构建模块，用于基于所述工况特征向量与所述引晶功率之间的映射关系，构建所述单晶硅对应的引晶功率计算模型；预测模块，用于将所述单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，傅林坚，刘华，钟坚，童佳妮，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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