一种调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法，包括以下步骤：步骤S1、辊体底层喷涂；步骤S2、辊体表层PVD镀膜：包括步骤S2.1、电阻涂层材料配制：选取氧化钛粉和氧化铝粉，然后将它们混合均匀，得到电阻涂层材料；根据电阻涂层电阻率的大小要求，来调节氧化钛粉和氧化铝粉的质量比，当电阻涂层需要较高电阻率时，应减少所述的质量比，当电阻涂层需要较低电阻率时，应增大所述的质量比。本专利能根据市场客户电阻涂层电阻率的具体需求，通过对两种涂层材料的配制，对电阻涂层电阻率的大小进行调控，不仅满足并实现了辊体电阻涂层电阻率的个案定制需求，而且还保障了电阻涂层的耐磨耐腐蚀性能。阻涂层的耐磨耐腐蚀性能。阻涂层的耐磨耐腐蚀性能。

【技术实现步骤摘要】
一种调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法


[0001]本专利技术涉及一种辊体表面涂层技术，具体是涉及一种辊体表面涂层的PVD镀膜方法。

技术介绍

[0002]PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写，中文意思是“物理气相沉积”，是指在真空条件下，用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的蒲膜制备技术，PVD镀膜分为真空蒸镀，溅射镀和离子镀。
[0003]辊子的使用场合不同，对涂层的电阻率和耐磨耐腐蚀能力的要求不同，而目前市场上，有些辊子仅关注于耐高压的性能，而弱化了耐磨耐腐蚀能力；还有些辊子仅关注于耐磨耐腐蚀能力，而弱化了耐高压的性能。如何调配涂层的电阻率和耐磨耐腐蚀能力，以满足市场的定制需要，是急需要解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种在保障耐磨耐腐蚀能力的前提下，调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法，包括以下步骤：步骤S1、辊体底层喷涂：步骤S1.1、辊体粗化：使用高纯铝对辊体表面进行粗化；步骤S1.2、喷枪等离子喷涂：利用喷枪将Ni80粉以等离子喷涂的方式，在辊体表面形成了涂层；其中，喷枪的参数如下：氩气流量为40
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60NLPM，氢气流量为8
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12NLPM，电流为450
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650A，送粉量为100
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300g/Min，送粉气体流量为5
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8NLPM；步骤S2、辊体表层PVD镀膜：步骤S2.1、电阻涂层材料配制：选取氧化钛粉(TiO2)和氧化铝粉(AL2O3)，然后将它们混合均匀，得到电阻涂层材料；根据电阻涂层电阻率的大小要求，来调节氧化钛粉(TiO2)和氧化铝粉(AL2O3)的质量比，当电阻涂层需要较高电阻率时，应减少所述的质量比，当电阻涂层需要较低电阻率时，应增大所述的质量比；S2.2基体置入：将加工好的辊体作为基体，放置到反应腔室中的载台上；S2.3靶材置入：将配制好的电阻涂层材料作为靶材，放置到反应腔室中的靶材位，然后对反应腔室进行抽真空处理；S2.4通入惰性气体：向反应腔室中通入氩气和氪气的混合惰性气体；S2.5气体电弧放电：施加小电压、大电流的直流功率，通过混合惰性气体电弧放电，使靶材蒸发形成了等离子体；S2.6生成电阻涂层：施加偏置射频功率，使等离子体在电场的作用下，使靶材的等离子体沉积到辊体的表面，形成了电阻薄膜。
[0006]进一步地，所述步骤S2.1中，电阻涂层材料中，当电阻涂层需要最小的电阻率时，氧化钛粉(TiO2)的质量百分比含量为15%，氧化铝粉(AL2O3)的质量百分比含量为85%；当电阻涂层需要最大的电阻率时，氧化钛粉(TiO2)的质量百分比含量为5%，氧化铝粉(AL2O3)的质量百分比含量为95%。
[0007]进一步地，还包括步骤S1.3、封孔处理：在辊体底膜的表面涂刷封孔剂，对辊体底膜的表面作封孔处理。
[0008]进一步地，所述封孔剂为硅烷类封孔剂。
[0009]进一步地，还包括步骤S1.4、烤制：封孔处理后，将辊体置入烘箱中进行烤制。
[0010]进一步地，还包括步骤S1.5、研磨抛光：烤制完成后，对辊体的表面作研磨抛光处理。
[0011]进一步地，所述S2.2中，反应腔室中载台的温度在280—320℃。
[0012]进一步地，所述S2.3中，反应腔室中的真空度不大于4 Torr。
[0013]进一步地，所述S2.4中，所述氩气与所述氪气流量的比值不大于0 .45。
[0014]进一步地，所述S2.5中，施加的直流功率为1.4—1.6万W。
[0015]本专利技术的有益效果在于：本专利能根据市场客户电阻涂层电阻率的具体需求，通过对两种涂层材料的配制，对电阻涂层电阻率的大小进行调控，不仅满足并实现了辊体电阻涂层电阻率的个案定制需求，而且还保障了电阻涂层的耐磨耐腐蚀性能。
附图说明
[0016]利用附图对本专利技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本专利技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图：图1为本专利技术的流程图。
具体实施方式
[0017]为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细的描述，需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0018]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上表面”、“下表面”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“正转”、“反转”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0019]实施例1，如图1所示，一种调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法，包括以下步骤：
[0020]步骤S1、辊体底层喷涂：步骤S1.1、辊体粗化：使用高纯铝对辊体表面进行粗化。
[0021]步骤S1.2、喷枪等离子喷涂：利用喷枪将Ni80粉以等离子喷涂的方式，在辊体表面
形成了涂层；其中，喷枪的参数如下：氩气流量为40NLPM，氢气流量为12NLPM，电流为450A，送粉量为100g/Min，送粉气体流量为5NLPM。
[0022]步骤S1.3、封孔处理：在辊体底膜的表面涂刷封孔剂，对辊体底膜的表面作封孔处理，所述封孔剂为硅烷类封孔剂。
[0023]步骤S1.4、烤制：封孔处理后，将辊体置入烘箱中进行烤制。
[0024]步骤S1.5、研磨抛光：烤制完成后，对辊体的表面作研磨抛光处理，辊体表面粗糙度在Ra0.5μm以下。
[0025]步骤S2、辊体表层PVD镀膜：步骤S2.1、电阻涂层材料配制：选取氧化钛粉(TiO2)和氧化铝粉(AL2O3)，然后将它们混合均匀，得到电阻涂层材料；根据电阻涂层电阻率的大小要求，来调节氧化钛粉(TiO2)和氧化铝粉(AL2O3)的质量比，当电阻涂层需要较高电阻率时，应减少所述的质量比，当电阻涂层需要较低电阻率时，应增大所述的质量比；所述步骤S2.1中，电阻涂层材料中，氧化钛粉(TiO2)的质量百分比含量为15%，氧化铝粉(AL2O3)的质量百分比含量为85%，本实施例的电阻率最小。
[0026]S2.2基体置入：将加工好的辊体作为基体，放置到反应腔室中的载台上，反应腔室中载台的温度在280℃；S2.3靶材置入：将配制好的电阻涂层材料作为靶材，放置到反应腔室中的靶材位，然后对反应腔室进行抽真空处理，反应腔室中的真空度不大于4 Torr；S2.4通入惰性气体：向反应腔室中通入氩气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、辊体底层喷涂：步骤S1.1、辊体粗化：使用高纯铝对辊体表面进行粗化；步骤S1.2、喷枪等离子喷涂：利用喷枪将Ni80粉以等离子喷涂的方式，在辊体表面形成了涂层；其中，喷枪的参数如下：氩气流量为40
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60NLPM，氢气流量为8
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12NLPM，电流为450
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650A，送粉量为100
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300g/Min，送粉气体流量为5
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8NLPM；步骤S2、辊体表层PVD镀膜：步骤S2.1、电阻涂层材料配制：选取氧化钛粉(TiO2)和氧化铝粉(AL2O3)，然后将它们混合均匀，得到电阻涂层材料；根据电阻涂层电阻率的大小要求，来调节氧化钛粉(TiO2)和氧化铝粉(AL2O3)的质量比，当电阻涂层需要较高电阻率时，应减少所述的质量比，当电阻涂层需要较低电阻率时，应增大所述的质量比；S2.2基体置入：将加工好的辊体作为基体，放置到反应腔室中的载台上；S2.3靶材置入：将配制好的电阻涂层材料作为靶材，放置到反应腔室中的靶材位，然后对反应腔室进行抽真空处理；S2.4通入惰性气体：向反应腔室中通入氩气和氪气的混合惰性气体；S2.5气体电弧放电：施加小电压、大电流的直流功率，通过混合惰性气体电弧放电，使靶材蒸发形成了等离子体；S2.6生成电阻涂层：施加偏置射频功率，使等离子体在电场的作用下，使靶材的等离子体沉积到辊体的表面，形成了电阻薄膜。2.根据权利要求1所述的调配辊体表面电阻涂层电阻率的PVD镀膜方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁芮，
申请(专利权)人：东华隆广州表面改质技术有限公司，
类型：发明
国别省市：