黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法技术

黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，涉及一种半导体薄膜材料。提供一种黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法。用真空磁控溅射，加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Ｍｏ衬底上分步沉积Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ金属预制层；将Ｎ↓［２］与Ｈ↓［２］，或Ａｒ与Ｈ↓［２］混合，得混合气体；将混合气体通入气固反应室，反应室分成两个区域，固态硒（硫）升华区保证Ｈ↓［２］／Ｎ↓［２］（或Ｈ↓［２］／Ａｒ）气体与硒（硫）蒸气混合；热丝催化气固反应区使Ｈ↓［２］与硒（硫）蒸气反应，生成气态Ｈ↓［２］Ｓｅ／Ｓｅ（或Ｈ↓［２］Ｓ／Ｓ）的混合气氛，再与Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ金属预制层进行热反应硒化或／和硫化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体薄膜材料，尤其是涉及一种黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半 导体薄膜材料的制备方法。
技术介绍
黄铜矿类铜铟硒(CuInSe2，縮写为CIS)系列太阳能电池是各种薄膜太阳能电池中效率 最高、最有发展前途的薄膜太阳电池之一，其组成包括CuInSe2、Cu(In， Ga) Se2、CuInS2、CuIn(S , Se)2、 Cu(In，Ga)S2等，铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2，縮写为CIGS)代表较高开路电压Voc和 高光电转换效率的铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池，它区别于传统CIS薄膜电池。铜铟镓硒(CIGS) 太阳能电池是在普通钠钙玻璃或聚酰亚胺薄膜、金属薄板(铝、不锈钢、铝箔等)衬底上分 别沉积多层薄膜而构成的光伏器件，其单体电池结构一般为衬底/金属钼(Mo)背电极/光 吸收层(CIGS ) /缓冲层/高阻本征i-ZnO /导电窗口层/金 属栅状电极减反射膜等组成。其中光学吸收层的CIGS薄膜制备的质量是阻碍电池产业化的 主要困难之一。CIGS光学吸收层主要由Cu、 In、 Ga和Se四种元素组合或由Cu、 In、 Ga、 Se和S五种元素组合而成，是本文档来自技高网...

【技术保护点】
黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：　１）用真空磁控溅射，加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Ｍｏ衬底上分步依次沉积化学式配比量的Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ金属预制层；　２）将惰性载源气Ｎ↓［２ ］与Ｈ↓［２］，或惰性载源气Ａｒ与Ｈ↓［２］混合，得混合气体；　３）将混合气体通入气固反应室，反应室分成两个区域，固态硒或硫升华区保证Ｈ↓［２］／Ｎ↓［２］或Ｈ↓［２］／Ａｒ气体与硒或硫蒸气混合；热丝催化气固反应区使Ｈ↓［２］与硒或硫 蒸气反应，生成气态Ｈ↓［２］Ｓｅ／Ｓｅ或Ｈ↓［２］Ｓ／Ｓ的混合气氛，再与Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ金属预制层进行...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖志宏，骆建璋，吴坚，
申请(专利权)人：泉州创辉光伏太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]