一种降低激光相干性的方法及其位相调制器技术

本发明专利技术涉及激光领域，尤其涉及一种通过降低激光相干性来消除激光散斑效应的方法及其对应的位相调制器。本发明专利技术采用电光材料制作波导结构的电光位相调制器，通过调制器的激光可获得高频位相调制，并使位相无序化，降低激光的相干性，从而减弱激光散斑效应。本发明专利技术的位相调制器是电光位相调制器，电光晶体采用波导结构，其上下、左右四个侧面均被折射率低于电光介质的衬底材料或胶层包围而形成波导结构，并在上下两个侧面镀超薄金属膜或导电膜作电极；或上下两个侧面为胶层、深化光胶层、衬底材料及超薄金属膜或导电膜包围，另外两个侧面为空气的波导结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光领域，尤其涉及一种通过降低激光相干性来消除激光散斑 效应的方法及其对应的位相调制器。
技术介绍
激光显示技术由于性能优越而受到广泛关注，人们已投入大量精力进行研 究。阻碍激光显示快速发展的一个重要原因是激光散斑的存在。由于激光具有 的高相干性而在激光显示中产生严重的激光散斑效应，造成激光显示图象质量 严重下降。采用破坏激光输出位相是消除激光散斑效应的一种重要方法。通常可采用电光调制器来调制激光的相位。由于横向电光调制器所需调制电压V。ocd/L(其中d为外加电压方向的晶体宽度，L为光波传输方向的晶体的长度)，因 此增大L或减小d就可以降^f氐半波电压，尤其对于电光波导调制器，利用波导 结构大的长度与厚度比值可大大降低调制电压。 一般的各向同性材料如电光陶 瓷其半波电压为500V左右，若将其制成200 ju m x 200 |i m x 10000 p m的波导结 构，则电压只有1V左右。如此低电压将易于实现高频调制，如10MHZ, 100MHZ 等。
技术实现思路
本专利技术采用电光波导调制器来调制激光的相位，以获得低相干性的激光光 源，该光源用于激光显示时可有效消除激光散斑效应。 本专利技术的具体技术方案是本专利技术的降低激光相干性的方法是通过调制频率足够高的电光位相调制器 来调制激光相位，使其发生无序的改变，从而降低激光的相干性。进一步的，所述的调制是横向电光调制效应。进一步的，所述的调制周期远小于所述激光的相干时间。本专利技术的位相调制器是电光位相调制器，电光晶体采用波导结构。进一步的，所述的波导结构是所述的电光晶体的上下、左右四个侧面均被折射率低于电光晶体的衬底材料或胶层包围，并在上下两个侧面镀超薄金属膜或导电膜作电极，而形成波导结构。或者，所述的波导结构是所述的电光晶体的上下两个侧面为胶层、深化光胶层、衬底材料及超薄金属膜或导电膜包围，另外两个侧面为空气，而形成波导结构。进一步的，所述的电光晶体可为双折射电光晶体，也可为各向同性的电光 陶瓷。进一步的，通过调制入射光的偏振方向或相位来改变入射光的相位差。 进一步的，所述的位相调制器采用透4竟或柱面透4竟对入射光束进行聚焦或 准直。本专利技术采用电光材料制作波导结构的电光调制器，使通过其激光获得高频 位相调制，从而减弱激光相干性。 附图说明图1 (a)是本专利技术的第一种波导结构的位相调制器的示意图； 图l(b)是图l(a)的横截面图;图1 (c)是本专利技术的第二种波导结构的位相调制器的示意图； 图2是本专利技术第一实施方式示意图； 图3是本专利技术第二实施方式示意图； 图4是本专利技术第三实施方式示意图。具体实施例方式现结合附图说明和具体实施方式对本专利技术进一步说明。电光调制器根据调制原理分为两种方式电光强度调制器和电光相位调制 器。前者改变的是入射光偏振方向；后者改变的是入射光的相位，而保持偏振 方向不变。激光的相干长度较长，即使普通的多纵模激光器，其相干长度仍有几米至 几十米。若激光相干长度为100m,则其相干时间为10^8 10"^，即为jus量级。若电光调制频率为100MHZ,即在10ns时间内，激光位相改变2丌。在1 ju s 的相干时间内，激光输出位相将改变102次。若激光相干长度为10m，则一个相 干时间内，激光位相将改变10次。若电光调制频率更高，则可获得更快的调制 速度。这样通过调制可使激光位相在相干时间内不断变化，减弱了相干性，从 而达到减弱激光散斑效应的目的。目前常用的条形光波导一般采用Ti内扩散或质子交换技术制作。这些方法 均存在制作工艺复杂，成本较高等缺点。本专利技术采用一种简单的方法来制备光 波导结构。该结构如图1所示，图l(a)中，IOIA、 IOIB、 101C及101D为村底 材料，102为电光晶体，103A和103B均可为超薄金属膜、导电膜及深化光胶膜， 103C和103D为胶层或深化光胶膜层。其中电光晶体102的厚度为几微米至十几 微米量级，长度为几厘米量级。电光晶体102与底材料101A、底材料101B、底 材料101C及底材料101D通过胶合、光胶或深化光胶结合在一起，其中各村底 材料101A、 IOIB、 IOIC、 101D或各膜层103A、 103B、 103C、 103D的折射率低 于电光晶体102,这样就在电光晶体102形成波导结构。对波导结构的垂直端面 抛光，镀入射光增透膜。为更清楚的表示，图l(b)所示为该波导结构的横截面。 本专利技术的波导腔结构的具体技术方案已经通过其他专利申请文件所公开，于此不在赘述。如图l(c)所示的另一种波导结构的位相调制器，电光晶体102的上下侧面 为衬底材料IOIA、衬底材料101B、胶层及导电膜103A、 103B包围，两个侧面 为空气。采用这种结构可对输入激光的一个方向进行限制，而对另一个方向不 作限制，且该结构制作较为简易。如图2所示的第一实施结构，201为入射激光，202A、 202B为透镜，203 为本专利的波导、电光调制器，204为电极，205为出射光。对LN波导电光调制 器，沿晶体z轴加电场，入射光201的输入面和输出面垂直于y轴。因光束沿y 轴传播，其偏振方向在x轴方向和z轴方向上，由于两偏振分量的折射率不同， 光束通过波导长L后，产生一定的相位差。通过调制输入电压大小可改变入射 光的相位差，>^人而实现对入射光的位相调制。如图3所示的第二实施结构，301为入射激光，302A、 302B为透镜，303为 本专利的波导电光相位调制器，电光材料可为KDP晶体等材料，304为电极，305 为出射光。沿着电光波导z轴加电场时，产生感应主轴x'轴和y'轴， 一束激 光垂直于x' z轴平面入射，且E矢量与z轴成45。角，进入晶体后即分解为沿 x'轴和z轴方向的两个垂直分量。因而外电场不改变出射光的偏振状态，仅改 变其相位。传播距离L后，两偏振分量间产生相位差。通过调制电压使其彼此 间的相位差无序化，进而降低入射光的相干性。该结构原理也可采用LiNb03晶 体，在x轴方向加电场，z轴方向通光来实现。如图4所示的第三实施结构，401为入射激光，402A， 402B均采用柱面透 镜，403为图l(c)所示电光波导结构，404为电极，405为出射光。釆用这样的 结构一个激光方向发散角很小， 一个激光方向发散角大，发散角小方向激光通 过波导发散角变化很小。当仅需对晶体的一个方向进行限制时将更加适用。6尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本专利技术，但所属领域的技术人员 应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本专利技术的精神和范围内，在形式 上和细节上可以对本专利技术做出各种变化，均为本专利技术的保护范围。权利要求1. 一种降低激光相干性的方法，其特征在于通过调制频率足够高的位相调制器来调制激光相位，使其发生无序的改变，从而降低激光的相干性。2. 根据权利要求1所述的降低激光相干性的方法，其特征在于所述的调制是 橫向电光调制效应。3. 根据权利要求1所述的降低激光相干性的方法，其特征在于所述的调制周 期远小于所述激光的相干时间。4. 一种位相调制器，其特征在于所述的位相调制器是电光位相调制器，电光晶 体采用波导结构。5. 根据权利要求4所述的位相调制器，其特征在于所述的波导结构是所述的电 光晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低激光相干性的方法，其特征在于：通过调制频率足够高的位相调制器来调制激光相位，使其发生无序的改变，从而降低激光的相干性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，陈燕平，马英俊，凌吉武，
申请(专利权)人：福州高意通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]