测试方法、计算机设备和计算机可读存储介质技术

本申请涉及一种测试方法、计算机设备和计算机可读存储介质。所述测试方法，包括：对目标存储单元写入第一数据；对所述目标存储单元进行反写；读取反写后的所述目标存储单元内存储的第二数据；判断所述第二数据与所述第一数据是否相同；当所述第二数据与所述第一数据相同时，判定所述目标存储单元的写恢复时间失效。本申请能够对写恢复时间失效有效测试。本申请能够对写恢复时间失效有效测试。本申请能够对写恢复时间失效有效测试。

【技术实现步骤摘要】
测试方法、计算机设备和计算机可读存储介质


[0001]本申请涉及半导体存储器件制造
，特别是涉及一种测试方法、计算机设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路的器件特征尺寸的不断缩小，半导体存储器件的关键尺寸也越来越小，制程工艺越来越容易产生缺陷，从而导致存储单元出现各种异常失效。其中，写恢复时间失效会对器件性能产生重要影响，因此，对其开发有效的测试方法是存储器件制程中非常关键的一项。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够对写恢复时间失效有效测试的测试方法、计算机设备和计算机可读存储介质。
[0004]一种测试方法，包括：对目标存储单元写入第一数据；对所述目标存储单元进行反写；读取反写后的所述目标存储单元内存储的第二数据；判断所述第二数据与所述第一数据是否相同；当所述第二数据与所述第一数据相同时，判定所述目标存储单元的写恢复时间失效。
[0005]在其中一个实施例中，所述当所述第二数据与所述第一数据相同时，判定所述目标存储单元的写恢复时间失效之后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，包括：对目标存储单元写入第一数据；对所述目标存储单元进行反写；读取反写后的所述目标存储单元内存储的第二数据；判断所述第二数据与所述第一数据是否相同；当所述第二数据与所述第一数据相同时，判定所述目标存储单元的写恢复时间失效。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述当所述第二数据与所述第一数据相同时，判定所述目标存储单元的写恢复时间失效之后，还包括：检测所述目标存储单元的位线与位线接触孔结构之间是否具有隔离层。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述对目标存储单元写入第一数据之后，且在所述所述对所述目标存储单元进行反写之前，包括：设置CSL开启时间，所述CSL开启时间小于预设时间。4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述对目标存储单元写入第一数据之后，且在所述对所述目标存储单元进行反写之前，还包括：读取所述目标存储单元内存储的所述第一数据。5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述判断所述第二数据与所述第一数据是否相同之后，还包括：当所述第二数据与所述第一数据不同时，再次进行所述设置CSL开启时间，以缩短所述CSL开启时间，直至所述第二数据与所述第一数据相同，获取所述第二数据与所述第一数据相同时的CSL开启时间。6.根据权利要求1任一项所述的测试方法，其特征在于，所述对目标存储单元写入第一数据之前，包括：设置所述目标存储单元的供电电压。7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述对所述目标存储单元写入第一数据的同时，对位于所述目标存储单元周围且与其相邻的其他存储单元均写入与所述第一数据相反的数据。8.根据权利要求7所述的测试方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋标，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：