一种高延伸锂电铜箔的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高延伸锂电铜箔的制造方法，具体包括如下步骤：步骤一、将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶解制备硫酸铜溶液；步骤二、将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；涉及锂电铜箔制造技术领域。本发明专利技术高延伸锂电铜箔的制造方法采用萘基芬聚氧乙烯醚和脲类化合物作为添加剂中的成分能够在有效保证锂电铜箔抗拉强度的同时提升铜箔延伸率，萘基芬聚氧乙烯醚聚合度低，可以降低晶粒结晶速度降解愈慢，聚合度超过10以后，降解速度明显降低与脲类化合物配合降低晶界杂质，减少晶粒位错，最终能够提升铜箔的延伸率。最终能够提升铜箔的延伸率。

【技术实现步骤摘要】
一种高延伸锂电铜箔的制造方法


[0001]本专利技术属于锂电铜箔制造
，特别是涉及一种高延伸锂电铜箔的制造方法。

技术介绍

[0002]电解铜箔是覆铜板及印制电路板、锂离子电池制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中，电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的"神经网络"。作为PCB的基板材料覆铜板也成为世界上第三大生产国。由此也使我国的电解铜箔产业在近几年有了突飞猛进的发展。
[0003]在铜箔的实际生产中，通常需要添加剂使电解液电解过程中获得相对较大且均匀的晶粒，从而在保证抗拉强度的基础上，提高铜箔在拉伸过程中晶粒的滑移距离，进而提升铜箔的延伸率。为获得较高的延伸率及较低轮廓和表面粗糙度的电解铜箔，需要借助特定的添加剂，不同的添加剂在电沉积的过程中发挥着不同的作用。
[0004]研究表明烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)是一种重要的聚氧乙烯型非离子表面活性剂，它具有性质稳定、耐酸碱和成本低等特征，而特别适合于作非硫化体系的氯丁胺的安合促进剂。能常在100
‑
500℃下，选用适当的配合体系，就可进行快速的最佳硫化，且操安全，其硫化制品抗张强度高，永久压缩变形小。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种高延伸锂电铜箔的制造方法，解决了锂电铜箔延伸程度不够的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]本专利技术为一种高延伸锂电铜箔的制造方法，具体包括如下步骤：
[0008]步骤一、将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶解制备硫酸铜溶液；
[0009]步骤二、将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热到一定温度，打入电解槽打入电解槽；
[0010]步骤三、在一定温度及一定的电流密度下进行电解制备原箔。
[0011]进一步地，所述添加剂溶液包含氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂走位剂、B剂为脲类化合物、C剂为合成高分子化合物、D剂含N杂环化合物。
[0012]进一步地，所述添加剂溶液中铜离子、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为60
‑
80g/L、100
‑
120g/L、20
‑
60g/L、10
‑
60g/L、10
‑
40g/L、8
‑
60g/L。
[0013]进一步地，所述电解阴极为无缝滚筒式钛辊，电解槽阳极为尺寸稳定阳极。
[0014]进一步地，所述A剂选自亚甲基二萘磺酸钠、糖精、聚乙二醇和萘基芬聚氧乙烯醚其中的一种或多种。
[0015]进一步地，所述B剂选自硫脲、乙烯硫脲、二乙基硫脲和四甲基硫脲其中的一种或
多种。
[0016]进一步地，所述C剂选自异辛基硫酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或多种。
[0017]进一步地，所述D剂选自哌嗪、吗啉、咪唑、苯并咪唑和吡唑其中的一种和多种。
[0018]本专利技术具有以下有益效果：
[0019]本专利技术高延伸锂电铜箔的制造方法采用萘基芬聚氧乙烯醚和脲类化合物作为添加剂中的成分能够在有效保证锂电铜箔抗拉强度的同时提升铜箔延伸率，萘基芬聚氧乙烯醚聚合度低，可以降低晶粒结晶速度降解愈慢，聚合度超过10以后，降解速度明显降低与脲类化合物配合降低晶界杂质，减少晶粒位错，进而提高晶粒的滑移距离，最终能够提升铜箔的延伸率。
具体实施方式
[0020]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]实施例1
[0022]将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶解制备硫酸铜溶液；步骤二、将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热到一定温度，打入电解槽打入电解槽；步骤三、在一定温度及一定的电流密度下进行电解制备原箔；所述电解阴极为无缝滚筒式钛辊，电解槽阳极为尺寸稳定阳极。
[0023]所述添加剂溶液包含氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂走位剂、B剂为脲类化合物、C剂为合成高分子化合物、D剂含N杂环化合物；铜离子、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为60g/L、100g/L、20g/L、10g/L、10g/L、8g/L；
[0024]所述A剂为亚甲基二萘磺酸钠；
[0025]所述B剂为硫脲；
[0026]所述C剂为异辛基硫酸钠
[0027]所述D剂为哌嗪。
[0028]实施例2
[0029]将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶解制备硫酸铜溶液；步骤二、将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热到一定温度，打入电解槽打入电解槽；步骤三、在一定温度及一定的电流密度下进行电解制备原箔；
[0030]所述添加剂溶液包含氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂走位剂、B剂为脲类化合物、C剂为合成高分子化合物、D剂含N杂环化合物；铜离子、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为80g/L、120g/L、60g/L、60g/L、40g/L、60g/L。
[0031]所述A剂为糖精和聚乙二醇混合剂；
[0032]所述B剂为乙烯硫脲；
[0033]所述C剂为十二烷基硫酸钠；
[0034]所述D剂为吗啉和咪唑混合剂。
[0035]实施例3
[0036]将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶解制备硫酸铜溶液；步骤二、将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热到一定温度，打入电解槽打入电解槽；步骤三、在一定温度及一定的电流密度下进行电解制备原箔；
[0037]所述添加剂溶液包含氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂走位剂、B剂为脲类化合物、C剂为合成高分子化合物、D剂含N杂环化合物；铜离子、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为65g/L、110g/L、30g/L、35g/L、45g/L、20g/L。
[0038]所述A剂为萘基芬聚氧乙烯醚；
[0039]所述B剂为二乙基硫脲和四甲基硫脲混合剂；
[0040]所述C剂为十二烷基磺酸钠；
[0041]所述D剂为苯并咪唑和吡唑混合剂。
[0042]实施例4
[0043]将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高延伸锂电铜箔的制造方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤一、将金属铜单质放入含有硫酸和硫化镍混合液的溶铜塔中，并使用鼓风机向溶铜塔内鼓入高温空气，将铜溶解制备硫酸铜溶液；步骤二、将铜溶解制备主电解液，主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热到一定温度，打入电解槽打入电解槽；步骤三、在一定温度及一定的电流密度下进行电解制备原箔。2.根据权利要求1所述的一种高延伸锂电铜箔的制造方法，其特征在于，所述添加剂溶液包含氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂走位剂、B剂为脲类化合物、C剂为合成高分子化合物、D剂含N杂环化合物。3.根据权利要求2所述的一种高延伸锂电铜箔的制造方法，其特征在于，所述添加剂溶液中铜离子、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为60
‑
80g/L、100
‑
120g/L、20
‑
60...

【专利技术属性】
技术研发人员：帕提古丽，
申请(专利权)人：新疆亿日铜箔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：