一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法技术

一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法，属于IC超高洁净度清洗领域，通过该清洗方法，可有效的保证零件表面达到半导体高洁净度的使用要求。清洗后零件表面的痕量金属污染物通过ICP

【技术实现步骤摘要】
一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法


[0001]本专利技术属于IC半导体超高洁净度清洗领域，具体是一种可靠性及操作性较高的铝合金超高洁净度化学清洗方法。

技术介绍

[0002]IC领域对半导体材料的洁净度要求极为严格，半导体设备零部件的洁净度直接关系到加工出的晶圆产品质量。半导体设备零部件材料多采用铝合金材质，对铝合金实施合适的化学清洗工艺可保证其实现超高洁净度。不洁净的设备或工件会携带大量的污染物及其他金属离子，这对于半导体加工的刻蚀或沉积工艺产生非常大的影响，而一旦封装之后，将会污染其他的真空连接腔体，会花费更大的代价去恢复洁净度、排查污染源。

技术实现思路

[0003]本专利技术是一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法。
[0004]为实现上述目的本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法，该方法清洗流程如下：
[0006]抛光
→
第一次脱脂清洗
‑
有机溶剂擦拭两遍和挂点孔内棉签擦拭
→
第一次高压水清洗
→
第二次脱脂清洗
→
第一次水洗
→
第一次喷水洗
→
第一次酸蚀
→
第二次水洗
→
第二次喷水洗
→
第一次酸洗
→
第三次水洗
→
第三次喷水洗
→
溢流纯水洗
→
第二次高压水清洗
→
第三次脱脂清洗
→
第一次专用烧杯溢流水洗
→
第四次喷水洗
→
第二次酸蚀
→
第二次专用烧杯溢流水洗
→
第五次喷水洗
→
第二次酸洗
→
第四次水洗
→
第六次喷水洗
→
超声波纯水洗、溢流
→
N2吹干后进行包装。
[0007]进一步优选方案是，对来料首先进行机械抛光打磨，用砂纸进行初步打磨，无肉眼可见缺陷后，使用菜瓜布细化表面纹路，面粗Ra＜0.8μm。
[0008]进一步优选方案是，经过抛光后，确认零件表面没有异常，第一次脱脂清洗使用脱脂剂进行预清洗10
‑
30min，清洗表面脏污，必要时应当使用高压水清洗，亦可使用蒸汽枪清洗小孔工位内部。
[0009]进一步优选方案是，第一次脱脂清洗后必须进行2次水膜连续性检测，确保零件表面洁净，无油污；第一次脱脂清洗后，进入千级洁净间使用有机溶剂擦拭零件表面、挂点内以及挂具，擦拭2遍以上，然后进入洁净间进行第一次高压水清洗；零件经第一次高压水清洗后，使用洁净的脱脂剂再次进行第二次脱脂清洗，然后进行第一次水洗和第一次喷水洗，并溢流水洗。
[0010]进一步优选方案是，第一次酸蚀采用混酸进行酸蚀，时间10
‑
120s，然后进行第二次水洗和第二次喷水洗，时间2
‑
3min；进行第一次酸洗，采用HNO3酸洗，时间10
‑
60min，然后第三次水洗2
‑
3min，第三次喷水洗净；然后，将零件放置于溢流纯水中浸泡4
‑
6h。
[0011]进一步优选方案是，完成浸泡后，进行第二次高压水清洗过程，并再次进行第三次脱脂清洗，然后进行第一次专用烧杯溢流水洗和第四次喷水洗；然后进行第二次酸蚀酸蚀，
第二次酸蚀酸蚀后采用第二次专用烧杯溢流水洗和第五次喷水洗，之后进行第二次酸洗操作。
[0012]进一步优选方案是，完成第二次酸洗水洗后，进行第四次水洗和第六次喷水洗；然后进行超声波纯水洗、溢流，保持2
‑
4h，水质电阻率＞2MΩ，使用洁净N2氮气吹干。
[0013]进一步优选方案是，N2吹干后进行包装，采用内层尼龙袋包装，不得触碰PE袋内侧，外层使用PE袋真空包装。
[0014]本专利技术的优点是：本专利技术清洗方法可靠性及操作性较高，可有效保证零件表面达到半导体高洁净度的使用要求。清洗后零件表面的痕量金属污染物通过ICP
‑
MS检测结果表明，对IC设备最为敏感的铜离子含量小于10E10atoms/cm2，其它元素也远低于IC领域的国际常用痕量污染物标准水平。
具体实施方式
[0015]下面结合实施例对本专利技术进一步详细说明。
[0016]一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法，该方法清洗流程如下：抛光
→
第一次脱脂清洗
‑
有机溶剂擦拭两遍和挂点孔内棉签擦拭
→
第一次高压水清洗
→
第二次脱脂清洗
→
第一次水洗
→
第一次喷水洗
→
第一次酸蚀
→
第二次水洗
→
第二次喷水洗
→
第一次酸洗
→
第三次水洗
→
第三次喷水洗
→
溢流纯水洗
→
第二次高压水清洗
→
第三次脱脂清洗
→
第一次专用烧杯溢流水洗
→
第四次喷水洗
→
第二次酸蚀
→
第二次专用烧杯溢流水洗
→
第五次喷水洗
→
第二次酸洗
→
第四次水洗
→
第六次喷水洗
→
超声波纯水洗、溢流
→
N2吹干后进行包装。
[0017]实施例
[0018]进一步优选方案是，对来料首先进行机械抛光打磨，用砂纸进行初步打磨，无肉眼可见缺陷后，使用菜瓜布细化表面纹路，面粗Ra＜0.8μm。
[0019]进一步优选方案是，经过抛光后，确认零件表面没有异常，第一次脱脂清洗使用脱脂剂进行预清洗10
‑
30min，清洗表面脏污，必要时应当使用高压水清洗，亦可使用蒸汽枪清洗小孔工位内部。
[0020]进一步优选方案是，第一次脱脂清洗后必须进行2次水膜连续性检测，确保零件表面洁净，无油污；第一次脱脂清洗后，进入千级洁净间使用有机溶剂擦拭零件表面、挂点内以及挂具，擦拭2遍以上，然后进入洁净间进行第一次高压水清洗；零件经第一次高压水清洗后，使用洁净的脱脂剂再次进行第二次脱脂清洗，然后进行第一次水洗和第一次喷水洗，并溢流水洗。
[0021]进一步优选方案是，第一次酸蚀采用混酸进行酸蚀，时间10
‑
120s，然后进行第二次水洗和第二次喷水洗，时间2
‑
3min；进行第一次酸洗，采用HNO3酸洗，时间10
‑
60min，然后第三次水洗2
‑
3min，第三次喷水洗净；然后，将零件放置于溢流纯水中浸泡4
‑
6h。
[0022]进一步优选方案是，完成浸泡后，进行第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法，其特征在于，该方法清洗流程如下：抛光
→
第一次脱脂清洗
‑
有机溶剂擦拭两遍和挂点孔内棉签擦拭
→
第一次高压水清洗
→
第二次脱脂清洗
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第一次水洗
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第一次喷水洗
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第一次酸蚀
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第二次水洗
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第二次喷水洗
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第一次酸洗
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第三次水洗
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第三次喷水洗
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溢流纯水洗
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第二次高压水清洗
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第三次脱脂清洗
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第一次专用烧杯溢流水洗
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第四次喷水洗
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第二次酸蚀
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第二次专用烧杯溢流水洗
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第五次喷水洗
→
第二次酸洗
→
第四次水洗
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第六次喷水洗
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超声波纯水洗、溢流
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N2吹干后进行包装。2.根据权利要求1所述的一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法，其特征在于：对来料首先进行机械抛光打磨，用砂纸进行初步打磨，无肉眼可见缺陷后，使用菜瓜布细化表面纹路，面粗Ra＜0.8μm。3.根据权利要求1所述的一种铝合金超高洁净度化学清洗的方法，其特征在于：经过抛光后，确认零件表面没有异常，第一次脱脂清洗使用脱脂剂进行预清洗10
‑
30min，清洗表面脏污，必要时...

【专利技术属性】
技术研发人员：佟毅，崔鑫，徐宏岩，秦洪达，
申请(专利权)人：北京富创精密半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：