一种获得混合键合晶圆表面结构的方法技术

本发明专利技术提供了一种获得混合键合晶圆表面结构的方法，包括：在晶片上生长出图形化的铜柱；生长一层介质层包覆铜柱；对介质层执行化学机械研磨，直到铜柱和介质层具有相同高度；对化学机械研磨之后的结构进行退火，使得铜柱的顶面高于介质层的表面；生长完全覆盖铜柱的防扩散层；对防扩散层执行化学机械研磨，直到漏出铜柱，使得铜柱上表面与防扩散层齐平。本发明专利技术不需要在化学机械研磨工艺中刻意控制凹进部的深度；化学机械研磨主要是对介质执行，相比金属化学机械研磨会简单很多；而且不用电镀过多的铜,节约成本；并且，由于中间增加一步退火，可以减轻后续热失配效应或应力造成的一些问题。些问题。些问题。

【技术实现步骤摘要】
一种获得混合键合晶圆表面结构的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种获得混合键合晶圆表面结构的方法。

技术介绍

[0002]混合键合(Hybrid Bonding)技术是一种在相互堆叠的芯片之间获得更密集互连的方法，并帮助实现更小的外形尺寸。当缩减到大约10微米的凸点间距，将能够达到每平方毫米10000个凸点。这样，两个芯片之间能够实现更多的互连，进而可以提供更小、更简单的电路。
[0003]对于混合键合技术，有晶片到晶片(W2W)键合和芯片到晶片(D2W)两种键合方式。芯片到晶片D2W能够处理不同的管芯尺寸，这使得3D堆叠配置具有极大的灵活性。
[0004]但是，芯片到晶片D2W也有其自身的困难，对键合表面的要求极高。尤其是化学机械研磨(CMP)工艺，因为在键合工艺之后，还要进行一步退火，因此需要在CMP后达到特定的结构，从而满足整个工艺流程的要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够以简单方式获得混合键合晶圆表面结构的方法。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种获得混合键合晶圆表面结构的方法，其特征在于包括：第一步骤：在晶片上生长出图形化的铜柱；第二步骤：生长一层介质层包覆铜柱；第三步骤：对介质层执行化学机械研磨，直到铜柱和介质层具有相同高度；第四步骤：对化学机械研磨之后的结构进行退火，使得铜柱的顶面高于介质层的表面；第五步骤：生长完全覆盖铜柱的防扩散层；第六步骤：对防扩散层执行化学机械研磨，直到漏出铜柱，使得铜柱上表面与防扩散层齐平。2.根据权利要求1所述的获得混合键合晶圆表面结构的方法，其特征在于，防扩散层的材料为SiCN。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽坤，周祖源，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：