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本发明提供了一种获得混合键合晶圆表面结构的方法，包括：在晶片上生长出图形化的铜柱；生长一层介质层包覆铜柱；对介质层执行化学机械研磨，直到铜柱和介质层具有相同高度；对化学机械研磨之后的结构进行退火，使得铜柱的顶面高于介质层的表面；生长完全覆盖...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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