一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法技术

本公开涉及芯片封装技术领域，具体公开一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，包括进行预处理、浸润TSV芯片、进行电镀填充处理和磨样抛光观察处理。本公开摒弃了传统的高分子材料的有机添加剂作为抑制剂的情况，使用对环境更加友好，不会畏寒人体且价格低廉的葡萄糖作为抑制剂对TSV芯片进行电镀填充操作，同时保护了环境，避免出现形成“夹断”现象，及铜层出现微裂缝或微孔洞的问题，不会影响产品质量。并且本公开的方法简单，对设备要求较低。对设备要求较低。对设备要求较低。

【技术实现步骤摘要】
一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法


[0001]本公开涉及芯片封装
，尤其涉及一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法。

技术介绍

[0002]集成电路产业是社会经济发展的支柱产业之一，也是智能制造、人工智能等新兴行业的基础。而在集成电路行业中，硅通孔(Through silicon via，TSV)，由于实现了堆叠芯片之间的垂直上下互连，形成高密度三维集成，具有“高密度、多功能、小尺寸”等众多优点，成为了三维集成的核心。而现有的TSV孔深高达50μm，比流体边界层厚度大1个数量级，使得盲孔底部的离子浓度、电流密度远远小于孔口，孔底沉积速度远小于孔口。导致在电镀填充过程，孔口已经闭合了而孔底还没有完全填充，形成“夹断”现象，铜层出现微裂缝或微孔洞，影响产品质量。
[0003]经查公开（公告）号：CN113186574B，公开了抑制TSV中铜热胀出的方法，此方法具体公开了：超声波调控TSV沉积铜晶粒尺寸工艺参数优化设计、使TSV沉积铜晶粒尺寸最小化的超声工艺参数电镀填充TSV以及进行实验验证的操作。在该方法中，其解决了TSV芯片在制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，其特征在于，包括以下步骤：S110、进行预处理，对TSV芯片进行清洁处理，去除TSV孔内的空气以及残留的杂质；S120、浸润TSV芯片，将预处理后的TSV芯片放置在镀铜填充液中静置10min，随后取出；S130、进行电镀填充处理，将铂电极夹连接于TSV芯片，按照预设方式间隔固定于电解槽内，并连通恒定电流，再将铂电极夹连接于TSV芯片浸入电解液中，进行电镀操作，其中，所述电解液包含纯度99%的葡萄糖；S140、磨样抛光观察处理，研磨TSV芯片盲孔的切面，接着采用金相抛光剂抛光TSV芯片横截面，查看所述TSV芯片的填充效果。2.根据权利要求1所述的采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，其特征在于，在所述步骤S110中，所述预处理包括：将所述TSV芯片置入真空环境中，所述真空环境为
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0.1 MPa，再将所述TSV芯片通过超声波清洗设备排出微孔中的空气。3.根据权利要求1所述的采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，其特征在于，在所述步骤S110中，所述清洁处理包括：依次使用酒精及蒸馏水对所述TSV芯片进行超声清洗操作，每次清洗时长为2min，所述超声清洗操作重复三次以上。4.根据权利要求1所述的采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，其特征在于，在所述步骤S120中，所述镀铜填充液中葡萄糖的浓度为1.0g/L，Cl
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浓度为100ppm、H2SO4浓度50
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100 mmol/L(6.2g/L)，设置所述镀铜填充液温度为25℃，反应时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：乐玉平，朱艳，徐闰，张秋香，万莉，李玉玲，姜来新，杨舒婕，姜世玲，孙伟，吴喆焱，
申请(专利权)人：泉州市颖秀科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：