一种突触晶体管器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开了一种突触晶体管器件及其制备方法，包括：获得突触晶体管器件预制结构体；所述突触晶体管器件预制结构体包括衬底、位于所述衬底上表面的第一电极；采用沉积方式在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面生长α相氧化钼薄膜，得到处理后预制结构体；在所述处理后预制结构体上制作电解质层；在所述电解质层上制作第二电极，得到突触晶体管器件。本发明专利技术α相氧化钼薄膜是通过沉积方式生长的，相较于剥离方式，沉积方式可以生长更大面积的α相氧化钼薄膜，可以实现突触晶体管器件的大面积集成。并且，沉积方式可以实现与半导体工艺兼容，有利于突触晶体管器件的实际应用。的实际应用。的实际应用。

【技术实现步骤摘要】
一种突触晶体管器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种突触晶体管器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]突触是人脑进行感知、学习、推理与记忆等复杂思维活动的基本单元，突触晶体管器件是一种类似生物突触结构并实现生物突触的功能器件。
[0003]目前，突触晶体管器件中的沟道层材料为α相氧化钼(α
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MoO3)，是一种层状结构，原子层级厚度的超薄α相氧化钼薄膜作为突触晶体管器件的沟道层，能为突触晶体管器件的高密度集成奠定基础。相关技术中在制备α相氧化钼时是通过机械剥离法获得的，机械剥离方式制备的超薄α相氧化钼薄膜的尺寸大小仅为微米级，难以实现大面积制备。并且，机械剥离法与现代半导体工艺不兼容，通过机械剥离法制备的微米级大小的α相氧化钼薄膜只适合基础研究，无法进行器件的实际应用。
[0004]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种突触晶体管器件及其制备方法，以实现α相氧化钼薄膜的大面积制备，同时使得其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种突触晶体管器件制备方法，其特征在于，包括：获得突触晶体管器件预制结构体；所述突触晶体管器件预制结构体包括衬底、位于所述衬底上表面的第一电极；采用沉积方式在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面生长α相氧化钼薄膜，得到处理后预制结构体；在所述处理后预制结构体上制作电解质层；在所述电解质层上制作第二电极，得到突触晶体管器件。2.如权利要求1所述的突触晶体管器件制备方法，其特征在于，采用沉积方式在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面生长α相氧化钼薄膜包括：采用磁控溅射方式、激光脉冲沉积方式、化学气相沉积方式、分子束外延方式中的任一种，在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面生长α相氧化钼薄膜。3.如权利要求2所述的突触晶体管器件制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方式在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面生长α相氧化钼薄膜包括：以金属钼靶作为靶材，在射频模式下，温度在400℃～500℃范围内，气压在0.5Pa～0.8Pa范围内，功率在30W～60W范围内，在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面溅射生长α相氧化钼薄膜，溅射时间在15分钟～40分钟。4.如权利要求1所述的突触晶体管器件制备方法，其特征在于，获得突触晶体管器件预制结构体包括：在所述衬底的上表面涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，形成图形化光刻胶；在形成有所述图形化光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴振发，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：