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本发明涉及半导体领域，公开了一种突触晶体管器件及其制备方法，包括：获得突触晶体管器件预制结构体；所述突触晶体管器件预制结构体包括衬底、位于所述衬底上表面的第一电极；采用沉积方式在所述突触晶体管器件预制结构体的上表面生长α相氧化钼薄膜，得到处...该专利属于山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司授权不得商用。