一种有源层制造方法以及半导体器件技术

一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。子迁移率。子迁移率。

【技术实现步骤摘要】
一种有源层制造方法以及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种有源层制造方法以及半导体器件。

技术介绍

[0002]目前多数高载流子迁移率半导体器件是基于二维电子气实现的，而二维电子气的形成要求至少由两种及以上的具有不同能带结构的材料共同组成沟道有源层，目前多为两层，而每一层沟道材料对器件的性能均有着至关重要的影响，目前多数形成二维电子气的器件是基于两层具有不同能带结构的非晶氧化物半导体材料(amorphous oxide semiconductor,AOS)，形成异质结，该类器件具有明显高于单层沟道材料器件的迁移率(10～50cm2/(Vs))。
[0003]但是在迁移率要求更高的领域中，目前这种有源层为器件提供的迁移率还不足。

技术实现思路

[0004]本专利技术主要解决的技术问题是现有的双层非晶半导体构成的有源层的迁移率还不够高。
[0005]根据第一方面，一种实施例中提供一种半导体器件的有源层制造方法，包括：
[0006]在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的有源层制造方法，其特征在于，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，所述有源层为异质结，所述异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，所述第一半导体层在所述激光退火处理之前为非晶结构，在所述激光退火处理之后转变为多晶结构；所述第二半导体层始终为非晶结构，所述第一半导体层为金属氧化物半导体材料。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行激光退火处理之前，还包括：根据所述第一半导体层与所述第二半导体层的材料带隙，选择激光波长。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，根据以下公式选择激光波长；hc/λ>E1；其中，λ为激光波长，E1为第一半导体层的材料带隙，h为普朗克常数，c为光速。4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二半导体层为金属氧化物半导体材料，所述第二半导体层的材料带隙小于所述第一半导体层的材料带隙。5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层为氧化铟镓锡、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化镓锡、氧化锌或氧化铟锌；所述第二半导体层为氧化铟镓锡、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化镓锡、氧化锌与氧化铟锌中材料带隙小于所述第一半导体层的任一个。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆磊，孙杰，韩子娟，李继麟，张盛东，王新炜，李潇，庄昌辉，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：