用于单晶炉的导流筒和单晶炉制造技术

本实用新型专利技术适用于单晶制造技术领域，提供了一种用于单晶炉的导流筒和单晶炉，导流筒可包括侧壁部和连接在侧壁部底部的底壁部，侧壁部环绕所述底壁部设置，底壁部形成有通孔，底壁部的底部形成有沿通孔的周向方向排列的分流孔，若干分流孔环绕通孔设置，分流孔沿底壁部延伸贯穿底壁部的外侧面。如此，在单晶硅棒的制作过程中，在保护气体沿着导流筒从底壁部上的通孔吹拂到晶体生长界面后，在流出时，一部分气体可以沿着通孔内壁上的分流孔流走而不用经过生长界面流走，降低了保护气体对晶棒生长界面的吹拂力，提升了晶棒拉制生产的稳定性，同时也能够为进一步降低导流筒和生长界面的距离提供支撑，进而提高生产效率。进而提高生产效率。进而提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
用于单晶炉的导流筒和单晶炉


[0001]本技术涉及单晶制造
，尤其涉及一种用于单晶炉的导流筒和单晶炉。

技术介绍

[0002]目前，CZ法生产硅单晶棒所使用的热场结构包括保温部分、坩埚支撑部分及热量供给部分等。其中热场部件中的导流筒成功导入到生产中，大幅度提高了单晶晶棒的生产效率。
[0003]在相关技术中，在单晶晶棒生产过程中导流筒主要有以下几点作用：
[0004]第一、导流筒为内外夹层结构，中间使用石墨软毡填充，安放在热场上部，对整个单晶硅拉制热场起到保温作用，避免热量的大幅流失，降低了生产功耗。
[0005]第二、导流筒口径根据所生产的单晶晶棒尺寸，设计为从上到下口径逐渐缩小的结构，炉台保护气体从炉台上部进入单晶炉后，在导流筒的引导下，大部分吹到长晶界面，带走炉台熔硅和石英坩埚的反应物、熔硅挥发物等的同时改变了长晶界面的温度梯度，另外进一步带走熔硅表面的氧气氛。
[0006]第三、单晶晶棒从液面生长出来后第一时间进入导流筒内部，再经导流筒逐步向上拉制，在这个过程中，单晶晶棒进入导流筒后，由于导流筒的存在，阻挡了来自加热器对晶棒的热辐射，改善了生长界面的热梯度，为晶棒高生长速度提供支撑。
[0007]在实际生产中，通常采用降低导流筒和生长界面的距离，减少来自石英坩埚壁的热量对生长界面的辐射，达到提高晶棒生产速度的效果，但是随着导流筒也生产界面距离的降低，保护气体在导流筒和生长界面的流通空间进一步变小，导致气体流速大，对生产界面的吹拂力增加，最终容易导致生长界面的熔硅内部对流发生改变，导致晶棒拉制困难、断线率高，进而导致生产效率降低。

技术实现思路

[0008]本技术提供一种用于单晶炉的导流筒和单晶炉，旨在解决现有技术的单晶炉内的保护气体在导流筒和生长界面的流通空间较小，导致气体流速大，对生产界面的吹拂力增加，最终容易导致生长界面的熔硅内部对流发生改变，导致晶棒拉制困难、断线率高的技术问题。
[0009]本技术是这样实现的，本技术实施例的导流筒包括包括侧壁部和连接在所述侧壁部底部的底壁部，所述侧壁部环绕所述底壁部设置，所述底壁部形成有通孔，所述底壁部的底部形成有若干沿所述通孔的周向方向排列的分流孔，若干所述分流孔环绕所述通孔设置，所述分流孔沿所述底壁部延伸贯穿所述底壁部的外侧面。
[0010]更进一步地，若干所述分流孔所述通孔的周向方向均匀间隔设置。
[0011]更进一步地，所述分流孔的轴线相对于水平面向上倾斜设置。
[0012]更进一步地，所述分流孔的轴线与水平面之间的夹角为10
°‑
30
°
。
[0013]更进一步地，所述底壁部包括倾斜段和弧形过渡段，所述倾斜段通过所述弧形过渡段与所述侧壁部连接，所述底壁部相对所述侧壁部向所述侧壁部的内侧倾斜设置，所述分流孔沿与所述倾斜段平行的方向延伸且贯穿所述弧形过渡段的外壁面。
[0014]更进一步地，所述倾斜段与水平面之间的夹角为10
°‑
30
°
。
[0015]更进一步地，所述底壁部还包括与所述倾斜段连接的平直段，所述平直段与水平面平行，所述平直段形成有所述通孔，所述分流孔的一端贯穿所述平直段的底部。
[0016]更进一步地，所述导流筒还包括设置在所述侧壁部顶部外侧的连接部，所述连接部上形成有安装孔。
[0017]更进一步地，所述分流孔为圆形孔或者方形孔。
[0018]本技术还提供一种单晶炉，所述单晶炉包括：
[0019]炉体；
[0020]设置在所述炉体内的坩埚；和
[0021]上述任一项所述的导流筒，所述导流筒设置在所述坩埚上方。
[0022]在本技术实施例的导流筒和单晶炉中，底壁部的底部上形成有若干沿周向方向排列的分流孔，分流孔沿底壁部延伸贯穿底壁部的外侧面。如此，在单晶硅棒的制作过程中，在保护气体沿着导流筒从底壁部上的通孔吹拂到晶体生长界面后，在流出时，一部分气体可以沿着通孔内壁上的分流孔流走而不用经过生长界面流走，降低了保护气体对晶棒生长界面的吹拂力，提升了晶棒拉制生产的稳定性，同时也能够为进一步降低导流筒和生长界面的距离提供支撑，进而提高生产效率。
[0023]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0024]图1是本技术实施例提供的单晶炉的结构示意图；
[0025]图2是本技术实施例提供的导流筒的立体结构示意图；
[0026]图3是本技术实施例提供的导流筒的平面结构示意图；
[0027]图4是图3中的导流筒沿线IV
‑
IV的剖面示意图；
[0028]图5是图4中的导流筒的局部放大示意图。
[0029]主要元件符号说明：
[0030]单晶炉1000、导流筒100、侧壁部10、底壁部20、通孔21、分流孔22、外侧面23、倾斜段24、弧形过渡段25、平直段26、导流通道30、连接部40、安装孔41、炉体200、坩埚300。
具体实施方式
[0031]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0032]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、
‘
水平
’
、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0033]在本技术的描述中，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0034]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述导流筒包括侧壁部和连接在所述侧壁部底部的底壁部，所述侧壁部环绕所述底壁部设置，所述底壁部形成有通孔，所述底壁部的底部形成有若干沿所述通孔的周向方向排列的分流孔，若干所述分流孔环绕所述通孔设置，所述分流孔沿所述底壁部延伸贯穿所述底壁部的外侧面。2.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，若干所述分流孔所述通孔的周向方向均匀间隔设置。3.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔的轴线相对于水平面向上倾斜设置。4.根据权利要求3所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述分流孔的轴线与水平面之间的夹角为10
°‑
30
°
。5.根据权利要求1所述的用于单晶炉的导流筒，其特征在于，所述底壁部包括倾斜段和弧形过渡段，所述倾斜段通过所述弧形过渡段与所述侧壁部连接，所述底壁部相对所述侧壁...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘军明，张骏凯，张镇磊，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：