一种单晶炉及其氩气整流机构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氩气整流机构，用于安装在单晶炉的副室内，包括：多根整流条幅；相邻两根所述整流条幅之间形成整流通道，所述整流通道的第一端连通于所述副室的氩气口，第二端连通于所述副室的底部。本方案通过设置整流通道，避免了氩气在吹向熔融硅液面过程中向外扩散的损失，从而保证氩气到达熔融硅液面时氩气量充足，带走杂质的能力得到提升，进而制得的单晶硅品质有所提高。本实用新型专利技术还公开了一种应用上述氩气整流机构的单晶炉。种应用上述氩气整流机构的单晶炉。种应用上述氩气整流机构的单晶炉。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉及其氩气整流机构


[0001]本技术涉及太阳能光伏
，特别涉及一种单晶炉及其氩气整流机构。

技术介绍

[0002]随着光伏行业的高速发展，对于光伏整体产业链技术都提出了更高的要求，单晶硅棒品质直接决定着太阳能光伏电池的性能，因此各厂商逐步提高对单晶硅棒品质的研发力度，为电池组件的效率做保障。
[0003]当前主要是通过单晶炉制备单晶硅，单晶炉内的氩气口设置在副室顶端和主室顶端。在晶体生长阶段只使用副室顶端的氩气口，副室顶端的氩气口主要作用是调节炉内状态不在晶体生长阶段时的炉内压力。在制备单晶硅过程中，氩气从副室顶端的氩气口进入，经过副室腔体，沿着腔体内壁向下吹拂，在到达熔融液面前有部分氩气向坩埚外扩散，不能全部到达液面，带走杂质的能力减弱，硅棒品质无法得到提升。
[0004]因此，如何避免氩气到达熔融液面前向坩埚外扩散，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种氩气整流机构，通过在单晶炉的副室内设置氩气整流机构，形成整流通道，使氩气通过整流通道到达熔融液面，从而提升单晶硅棒品质。
[0006]本技术还提供了一种包括上述氩气整流机构的单晶炉。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0008]一种氩气整流机构，用于安装在单晶炉的副室内，包括：多根整流条幅；相邻两根所述整流条幅之间形成整流通道，所述整流通道的第一端连通于所述副室的氩气口，第二端连通于所述副室的底部。
[0009]优选地，多根所述整流条幅均平行于所述副室的轴向。
[0010]优选地，多根所述整流条幅沿所述副室的圆周方向均匀分布。
[0011]优选地，所述整流条幅的宽度与所述整流通道的宽度相等。
[0012]优选地，所述整流条幅的数量为5
‑
15根。
[0013]优选地，所述整流条幅的第一端位于所述副室的顶部，第二端位于所述副室的底部。
[0014]优选地，所述整流条幅的横截面形状为长方形或正方形。
[0015]优选地，还包括：连接件；多根所述整流条幅的第一端均连接于所述连接件，所述连接件设置于所述副室的顶部。
[0016]优选地，所述连接件为圆环结构，所述连接件的外径与副室的顶部内径相匹配。
[0017]一种单晶炉，包括：副室；包括：如上述的氩气整流机构。
[0018]从上述的技术方案可以看出，本技术提供的氩气整流机构，由于设置整流通道，氩气进入副室经过整流通道进行整流，按整流通道方向吹向熔融硅液面，避免了氩气在
吹向熔融硅液面过程中向外扩散的损失，从而氩气到达熔融硅液面时氩气量充足，带走杂质的能力得到提升，进而制得的单晶硅品质有所提高。
[0019]本技术还提供了一种单晶炉，由于采用了上述氩气整流机构，因此其也就具有相应的有益效果，具体可以参照前面说明，在此不再赘述。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术实施例提供的氩气整流机构的正视结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例提供的氩气整流机构的轴测结构示意图；
[0023]其中，1
‑
连接件，2
‑
整流条幅。
具体实施方式
[0024]首先对本方案涉及到的技术名词解释如下：
[0025]主室：硅晶体生长的环境空间，内部有热场，石英坩埚，石英坩埚内放置硅料，经加热熔化为硅液后进行硅晶体生长。
[0026]副室:存贮硅棒的空间，单晶硅不断在主室生长，生长到一定长度形成硅棒后逐步被牵引至副室进行冷却存贮。
[0027]熔融硅：硅料经过加热器升温后熔化，形成的硅液。
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]本技术实施例提供的一种氩气整流机构，如图1所示，用于安装在单晶炉的副室内，包括：多根整流条幅2；相邻两根所述整流条幅2之间形成整流通道，所述整流通道的第一端连通于所述副室的氩气口，第二端连通于所述副室的底部。
[0030]本技术的工作原理：氩气从所述副室的氩气口吹入所述副室，由于所述副室内相邻两根所述整流条幅2之间形成所述整流通道，氩气从所述副室顶部进入，沿着所述副室内壁向下吹拂时，氩气被分到若干所述整流通道中，沿着所述整流通道，吹向熔融硅液面。避免了氩气在吹向熔融硅液面过程中向外扩散的损失，从而氩气到达熔融硅液面时氩气量充足，带走杂质的能力得到提升，进而制得的单晶硅品质有所提高。
[0031]具体地，多根所述整流条幅2均平行于所述副室的轴向。
[0032]所述整流通道平行于所述副室的轴向，氩气经过所述整流通道时，垂直吹向熔融硅液面。进一步，多根所述整流条幅2形成所述整流通道的横截面面积不同或相同，氩气经过所述整流通道后，通过各个所述整流通道的氩气流量不同或相同。
[0033]具体地，多根所述整流条幅2沿所述副室的圆周方向均匀分布。
[0034]所述整流通道的横截面面积相等，氩气经过所述整流通道后，通过各个所述整流
通道的氩气流量均相同。进一步，所述多根整流条幅2平行或斜向所述副室的轴向，进而所述整流通道平行或斜向于所述副室的轴向，氩气经过所述整流通道后，垂直或斜向吹向熔融硅液面。
[0035]具体地，所述整流条幅2的宽度与所述整流通道的宽度相等。所述整流条幅2的宽度与所述整流通道的宽度，具体的数值，可以根据实际需要调整，此处并不限制。
[0036]具体地，所述整流条幅2的数量为5
‑
15根。进一步可以选择12根所述整流条幅2，可以根据实际需要对所述整流条幅2数量进行调整，此处并不限制。
[0037]具体地，所述整流条幅2的第一端位于所述副室的顶部，第二端位于所述副室的底部。保证氩气从所述副室的顶部进入所述所述整流通道，氩气从所述副室的底部离开所述整流通道。
[0038]具体地，所述整流条幅2的横截面形状为长方形或正方形。进一步横截面形状为长方形、正方形、半圆形及锥形，当然还可以根据实际需要选择其他形状的横截面，此处并不限制。
[0039]具体地，还包括：连接件1；多根所述整流条幅2的第一端均连接于所述连接件1，所述连接件1设置于所述副室的顶部。所述连接件1起到连接的作用。把多根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氩气整流机构，其特征在于，用于安装在单晶炉的副室内，包括：多根整流条幅(2)；相邻两根所述整流条幅(2)之间形成整流通道，所述整流通道的第一端连通于所述副室的氩气口，第二端连通于所述副室的底部。2.根据权利要求1所述氩气整流机构，其特征在于，多根所述整流条幅(2)均平行于所述副室的轴向。3.根据权利要求1所述氩气整流机构，其特征在于，多根所述整流条幅(2)沿所述副室的圆周方向均匀分布。4.根据权利要求1所述氩气整流机构，其特征在于，所述整流条幅(2)的宽度与所述整流通道的宽度相等。5.根据权利要求1所述氩气整流机构，其特征在于，所述整流条幅(2)的数量为5
‑
15根。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：高伟杰，赵韧，
申请(专利权)人：双良硅材料包头有限公司，
类型：新型
国别省市：