本实用新型专利技术的实施例涉及一种碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，采用了设于提拉炉内的透明石英罩和碳毡保温桶，透明石英罩和碳毡保温桶之间形成密闭空腔，在碳毡保温桶内设有石墨坩埚，透明石英罩与碳毡保温桶紧密连接，透明石英罩的中心位置设有磁流体密封圈，磁流体密封圈中引入提拉杆，提拉杆从石墨坩埚中往所述的密闭空腔方向引出碘化锶或掺铕碘化锶晶体。解决现有技术中，常常采用坩埚下降法进行晶体生长，其类似于云母的层状结构导致生长比较困难。下降法生长晶体时，由于他与石英坩埚接触，而两者膨胀系数的差异导致晶体容易开裂，尤其是大尺寸晶体更容易开裂，生长周期长、成品率低的技术问题。成品率低的技术问题。成品率低的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置
[0001]本技术的实施例涉及一种晶体生长装置，属于晶体生长领域，特别是低温易吸潮卤化物类晶体的制备
特别涉及一种碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置。
技术介绍
[0002]碘化锶晶体属立方晶系结构，具有极高的光输出(可达10000ph/MeV)、极佳的能量分辨率及优异的光输出线性响应，广泛应用于高能物理、核物理、天文物理等科学实验，以及核医学、油井探测、工业CT等领域，是当前最为常见的γ涉嫌探测材料。
[0003]美国Robert Hofstadter于1969年首先将碘化锶晶体用于γ射线辐射探测，但由于当时原料制备水平差，性能不佳而一直未被重视。直到21世纪初美国国土安全局支持，以及原料制备水平的提高，碘化锶及掺铕碘化锶表现出优异的闪烁性能而逐渐被人们重视。
[0004]碘化锶熔点低、易吸潮，常常采用坩埚下降法进行晶体生长，其类似于云母的层状结构导致生长比较困难。下降法生长晶体时，由于他与石英坩埚接触，而两者膨胀系数的差异导致晶体容易开裂，尤其是大尺寸晶体更容易开裂，生长周期长、成品率低。
技术实现思路
[0005]本技术的实施方式的目的在于提供一种碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，具有晶体生长周期短，相比坩埚下降法，方法直观、操作方便。同时能大幅降低制造成本以及解决现有技术中，常常采用坩埚下降法进行晶体生长，其类似于云母的层状结构导致生长比较困难。下降法生长晶体时，由于他与石英坩埚接触，而两者膨胀系数的差异导致晶体容易开裂，尤其是大尺寸晶体更容易开裂，生长周期长、成品率低的技术问题。
[0006]为了实现上述目的，本技术的实施方式设计了一种碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，包括：设于提拉炉内的透明石英罩和碳毡保温桶，所述透明石英罩和碳毡保温桶之间形成密闭空腔，在所述碳毡保温桶内设有石墨坩埚，所述透明石英罩与碳毡保温桶紧密连接，所述透明石英罩的中心位置设有磁流体密封圈，所述磁流体密封圈中引入提拉杆，所述的提拉杆从所述石墨坩埚中往所述的密闭空腔方向引出碘化锶或掺铕碘化锶晶体。
[0007]进一步，在所述石墨坩埚外设有所述的所述碳毡保温桶；在所述的所述碳毡保温桶的外侧设置所述的石英桶；在所述石英桶的外侧设置所述感应线圈；所述感应线圈对所述石墨坩埚进行加热。
[0008]进一步，所述的感应线圈沿着所述石英桶的外侧环绕设置。
[0009]进一步，所述碳毡保温桶的厚度范围为10～30毫米。
[0010]进一步，所述石英桶的底部通过支架安装在提拉炉内。
[0011]进一步，所述透明石英罩为透明石英材料，便于晶体生长过程的观察。
[0012]进一步，所述磁流体密封圈中引入提拉杆，并与所述的密闭空腔相互密封。
[0013]进一步，所述碳毡保温桶为硬质碳毡保温材料。
[0014]进一步，所述碳毡保温桶沿着所述的所述石墨坩埚环绕一圈设置。
[0015]进一步，所述的提拉杆沿着磁流体密封圈的内侧上下运动；设于所述的提拉杆的一端的籽晶与碘化锶或掺铕碘化锶晶体的一端黏合；所述的碘化锶或掺铕碘化锶晶体沿着所述提拉杆的运动方向，在所述碘化锶或掺铕碘化锶晶体的另一端生长。
[0016]本技术的实施方式同现有技术相比，采用了设于提拉炉内的透明石英罩和碳毡保温桶，透明石英罩和碳毡保温桶之间形成密闭空腔，在碳毡保温桶内设有石墨坩埚，透明石英罩与碳毡保温桶紧密连接，透明石英罩的中心位置设有磁流体密封圈，磁流体密封圈中引入提拉杆，提拉杆从所述石墨坩埚中往所述的密闭空腔方向引出碘化锶或掺铕碘化锶晶体。本技术具有操作方便、直观，晶体生长周期短、成品率高等特点，在闪烁晶体制备，尤其是易吸潮低温卤化物晶体制备领域有广泛的应用前景。解决现有技术中，常常采用坩埚下降法进行晶体生长，其类似于云母的层状结构导致生长比较困难。下降法生长晶体时，由于他与石英坩埚接触，而两者膨胀系数的差异导致晶体容易开裂，尤其是大尺寸晶体更容易开裂，生长周期长、成品率低的技术问题。
附图说明
[0017]图1为本技术的全剖结构示意图。
[0018]图中的附图标记如下：
[0019]1‑
石英罩、2
‑
磁流体密封圈、3
‑
密闭空腔、4
‑
感应线圈、5
‑
石墨坩埚、6熔体、7
‑
籽晶、8
‑
晶体、9
‑
碳毡保温桶、10
‑
石英桶、11
‑
支架、12
‑
提拉杆；13
‑
提拉炉。
具体实施方式
[0020]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
[0021]本技术的第一实施方式涉及一种碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，如图1所示，包括：
[0022]设于提拉炉(13)内的透明石英罩(1)和碳毡保温桶(9)，透明石英罩(1)和碳毡保温桶(9)之间形成密闭空腔(3)，在碳毡保温桶(9)内设有石墨坩埚(5)，透明石英罩(1)与碳毡保温桶(9)紧密连接，透明石英罩(1)的中心位置设有磁流体密封圈(2)，磁流体密封圈(2)中引入提拉杆(12)，提拉杆(12)从石墨坩埚(5)中往密闭空腔(3)方向引出碘化锶或掺铕碘化锶晶体。
[0023]上述的结构采用了提拉法生长的方法，提拉杆(12)从石墨坩埚(5)中往密闭空腔(3)方向引出碘化锶或掺铕碘化锶晶体。实现了碘化锶或掺铕碘化锶晶体的向上生长；解决现有技术中，常常采用坩埚下降法进行晶体生长，其类似于云母的层状结构导致生长比较困难。下降法生长晶体时，由于他与石英坩埚接触，而两者膨胀系数的差异导致晶体容易开裂，尤其是大尺寸晶体更容易开裂，生长周期长、成品率低的技术问题。本实施例中的碘化
锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，具有操作方便、直观，晶体生长周期短、成品率高等特点，在闪烁晶体制备，尤其是易吸潮低温卤化物晶体制备领域有广泛的应用前景。
[0024]在本实施例中的碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，如图1所示，石墨坩埚(5)外设有感应线圈(4)；感应线圈(4)对石墨坩埚(5)进行加热。
[0025]在本实施例中的碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，如图1所示，在感应线圈(4)的外侧设置碳毡保温桶(9)，在碳毡保温桶(9)外侧设有石英桶(10)。
[0026]在本实施例中的碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，如图1所示，碳毡保温桶(9)的厚度范围为10～30毫米。
[0027]在本实施例中的碘化锶本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，包括：设于提拉炉(13)内的透明石英罩(1)和碳毡保温桶(9)，其特征在于，所述透明石英罩(1)和碳毡保温桶(9)之间形成密闭空腔(3)，在所述碳毡保温桶(9)内设有石墨坩埚(5)，所述透明石英罩(1)与碳毡保温桶(9)紧密连接，所述透明石英罩(1)的中心位置设有磁流体密封圈(2)，所述磁流体密封圈(2)中引入提拉杆(12)，所述的提拉杆(12)从所述石墨坩埚(5)中往所述的密闭空腔(3)方向引出碘化锶或掺铕碘化锶晶体。2.如权利要求1所述碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，其特征在于，在所述石墨坩埚(5)外设有所述的所述碳毡保温桶(9)；在所述碳毡保温桶(9)的外侧设置石英桶(10)；在所述石英桶(10)的外侧设置感应线圈(4)；所述感应线圈(4)对所述石墨坩埚(5)进行加热。3.如权利要求2所述碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，其特征在于，所述的感应线圈(4)沿着所述石英桶(10)的外侧环绕设置。4.如权利要求3所述碘化锶及掺铕碘化锶晶体提拉法生长装置，其特征在于，所述碳毡保温桶(9)的厚度范围为10～30毫米。5....
【专利技术属性】
技术研发人员：何晓明，丁国锋，倪倚天，
申请(专利权)人：上海新漫传感科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。