发光器件和包括其的电子装置制造方法及图纸

提供发光器件和包括所述发光器件的电子装置，所述发光器件包括：第一电极；第二电极；布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层；以及布置在所述第一电极和所述发射层之间的缓冲层，其中所述缓冲层与所述发射层直接接触，所述发射层包括由式1表示的第一化合物，并且所述缓冲层包括由式5表示的第二化合物。所述第一化合物和所述第二化合物分别与本说明书中描述的那些相同。明书中描述的那些相同。明书中描述的那些相同。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括其的电子装置
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年2月25日提交的韩国专利申请No.10
‑
2022
‑
0025499的优先权，将其内容全部通过引用引入本文中。


[0003]本公开内容涉及发光器件和包括其的电子装置。

技术介绍

[0004]在发光器件之中，有机发光器件是在视角、响应时间、亮度、驱动电压、和响应速度方面具有改善的特性的自发射器件，并且产生全色图像。
[0005]在实例中，有机发光器件包括阳极、阴极、以及布置在阳极和阴极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层。空穴传输区域可布置在阳极和发射层之间，且电子传输区域可布置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动，且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子可在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，由此产生光。

技术实现思路

[0006]提供同时具有优异的发光效率和寿命特性的发光器件和包括所述发光器件的装置。
[0007]额外的方面将部分地在随后的描述中阐明，并且部分地将从所述描述明晰，或者可通过本公开内容的所呈现的实施方式的实践而获知。
[0008]根据一个实施方式的方面，发光器件包括：
[0009]第一电极；
[0010]第二电极；
[0011]布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层；以及
[0012]布置在所述第一电极和所述发射层之间的缓冲层，
[0013]其中所述缓冲层与所述发射层直接接触，
[0014]所述发射层包括由式1表示的第一化合物，和
[0015]所述缓冲层包括由式5表示的第二化合物：
[0016]式1
[0017]M(L1)
n1
(L2)
n2
。
[0018]在式1中，
[0019]M为过渡金属，
[0020]L1为由式2A表示的配体，
[0021]L2为由式2B表示的配体，
[0022]n1和n2各自独立地为1或2，其中，当n1为2时，两个L1彼此相同或不同，和当n2为2
时，两个L2彼此相同或不同，
[0023]n1与n2之和为2或3，和
[0024]L1和L2彼此不同，
[0025][0026]式5
[0027][0028]在式2A、2B和5中，
[0029]Y4为C或N，
[0030]X1为Si或Ge，
[0031]X
21
为O、S、S(＝O)、N(Z
29
)、C(Z
29
)(Z
30
)、或Si(Z
29
)(Z
30
)，
[0032]T1‑
T4各自独立地为C、N、与环CY1键合的碳原子、或与式1中的M键合的碳原子，其中T1‑
T4之一可为与式1中的M键合的碳原子，并且未与M键合的剩余的T1‑
T4之一可为与环CY1键合的碳原子，
[0033]T5‑
T8各自独立地为C或N，
[0034]环CY1和环CY
14
各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，
[0035]Ar2各自为未被取代或被至少一个Z0取代的环CY2，其中环CY2为不饱和C5‑
C
30
碳环基团或不饱和C1‑
C
30
杂环基团，
[0036]L
51
和L
61
各自独立地为未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团，
[0037]R
21
‑
R
23
各自独立地为各自未被取代或被如下取代的C1‑
C
60
烷基或C6‑
C
60
芳基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
20
烷基、C3‑
C
10
环烷基、苯基、或其任意组合，
[0038]Z0、Z1、Z2、Z
29
、Z
30
、R
11
‑
R
14
、R
51
、R
61
、和R
71
‑
R
73
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
SF5、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C2‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
Si(Q3)(Q4)(Q5)、
‑
Ge(Q3)(Q4)(Q5)、
‑
B(Q6)(Q7)、
‑
P(＝O)(Q8)(Q9)、或
‑
P(Q8)(Q9)，
[0039]d2、e51和e61各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光器件，包括：第一电极；第二电极；布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层；以及布置在所述第一电极和所述发射层之间的缓冲层，其中所述缓冲层与所述发射层直接接触，所述发射层包括由式1表示的第一化合物，和所述缓冲层包括由式5表示的第二化合物：式1M(L1)
n1
(L2)
n2
其中，在式1中，M为过渡金属，L1为由式2A表示的配体，L2为由式2B表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，其中，当n1为2时，两个L1彼此相同或不同，和当n2为2时，两个L2彼此相同或不同，n1与n2之和为2或3，和L1和L2彼此不同，式5
在式2A、2B和5中，Y4为C或N，X1为Si或Ge，X
21
为O、S、S(＝O)、N(Z
29
)、C(Z
29
)(Z
30
)、或Si(Z
29
)(Z
30
)，T1‑
T4各自独立地为C、N、与环CY1键合的碳原子、或与式1中的M键合的碳原子，其中T1‑
T4之一为与式1中的M键合的碳原子，并且未与M键合的剩余的T1‑
T4之一为与环CY1键合的碳原子，T5‑
T8各自独立地为C或N，环CY1和环CY
14
各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，Ar2为未被取代或被至少一个Z0取代的环CY2，其中环CY2为不饱和C5‑
C
30
碳环基团或不饱和C1‑
C
30
杂环基团，L
51
和L
61
各自独立地为未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团，R
21
‑
R
23
各自独立地为各自未被取代或被如下取代的C1‑
C
60
烷基或C6‑
C
60
芳基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
20
烷基、C3‑
C
10
环烷基、苯基、或其任意组合，Z0、Z1、Z2、Z
29
、Z
30
、R
11
‑
R
14
、R
51
、R
61
和R
71
‑
R
73
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
SF5、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C2‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
Si(Q3)(Q4)(Q5)、
‑
Ge(Q3)(Q4)(Q5)、
‑
B(Q6)(Q7)、
‑
P(＝O)(Q8)(Q9)、或
‑
P(Q8)(Q9)，d2、e51和e61各自独立地为1
‑
6的整数，其中，当d2为2或更大时，两个或更多个Ar2彼此相同或不同，当e51为2或更大时，两个或更多个L
51
彼此相同或不同，和当e61为2或更大时，两个或更多个L
61
彼此相同或不同，
a1和b1各自独立地为0
‑
20的整数，其中，当a1为2或更大时，两个或更多个Z1彼此相同或不同，和当b1为2或更大时，两个或更多个R
14
彼此相同或不同，a2为0
‑
5的整数，其中，当a2为2或更大时，两个或更多个Z2彼此相同或不同，a73为0
‑
7的整数，其中，当a73为2或更大时，两个或更多个R
73
彼此相同或不同，a71为0
‑
4的整数，其中，当a71为2或更大时，两个或更多个R
71
彼此相同或不同，如下的各组任选地连接在一起以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团：i)R
21
‑
R
23
的两个或更多个；ii)多个Z1的两个或更多个；iii)多个Z2的两个或更多个；iv)R
12
和R
13
；v)多个R
14
的两个或更多个；和vi)Z0、Z1、Z2、Z
29
、Z
30
和R
11
‑
R
14
的两个或更多个，R
10a
与关于R
14
所描述的相同，式2A和2B中的*和*'各自表示与式1中的M的结合位点，取代的C1‑
C
60
烷基、取代的C2‑
C
60
烯基、取代的C2‑
C
60
炔基、取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的C2‑
C
10
杂环烯基、取代的C6‑
C
60
芳基、取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团、和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、或C1‑
C
60
烷硫基；各自被如下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、或C1‑
C
60
烷硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C2‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
Si(Q
13
)(Q
14
)(Q
15
)、
‑
Ge(Q
13
)(Q
14
)(Q
15
)、
‑
B(Q
16
)(Q
17
)、
‑
P(＝O...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炯俊，姜炳俊，郭丞燕，金圣玟，文珠姬，李晟熏，石原慎吾，崔炳基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：